公开(公告)号：KR101884561B1

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：KR1020170032268

申请日：2017-03-15

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이미정 ,  김채원 ,  박진우 ,  이여량

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 질소도핑된금속산화물반도체층을구비하는금속산화물박막트랜지스터제조방법을제공한다. 금속산화물박막트랜지스터제조방법은, 기판상에게이트전극을형성하는단계, 게이트전극상에게이트절연막을형성하는단계, 게이트절연막상에위치하고, 게이트절연막과의계면에질소가도핑된금속산화물반도체층을형성하는단계및 금속산화물반도체층의양단에접속하는소스전극및 드레인전극을형성하는단계를포함할수 있다. 본발명에따르면, 금속산화물반도체층및 게이트절연막의계면에질소기능기를도입함으로써, 금속산화물의산소공공의비율을높여금속산화물반도체박막트랜지스터의특성을향상시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101460489B1

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：KR1020130075585

申请日：2013-06-28

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이미정 ,  박진우

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/324 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은, 졸겔(sol-gel)법을 이용한 산화물 반도체층 제조방법에 있어서, (a) 산화물 전구체 화합물을 포함하는 용액을 준비하는 단계; (b) 상기 용액을 기판 상에 도포하는 단계; (c) 상기 용액이 도포된 기판을 건조하는 단계; 및 (d) 상기 건조된 기판에 대해 150 내지 200℃의 온도에서 이루어지는 열처리 및 산소(oxygen) 플라즈마 처리를 동시에 수행하는 단계를 포함하는 산화물 반도체층 제조방법 및 이에 의해 제조된 산화물 반도체층에 대한 것이다. 본 발명에 따른 산화물 반도체층 제조방법에 의하면, 졸겔법을 이용해 산화물 반도체층을 형성할 때 열처리시 산소 플라즈마 처리를 함께 수행함으로써, 산소 플라즈마 내에 포함된 산소 라디칼 등이 반응성을 증가시켜 200℃ 이하의 저온에서 열처리 하더라도 금속산화물의 결정화를 위한 활성화 에너지를 수월하게 극복할 수 있도록 도와주기 때문에 200℃ 이하의 저온 열처리를 통해서도 우수한 전하 이동도(carrier mobility)를 가지는 고성능 반도체 소자 제작이 가능하여 유연성 LCD, 유연성 OLED, 전자 종이 등 유연성(flexible) 전자소자 제조에 유용하게 사용될 수 있다.

Abstract translation: 对于使用溶胶 - 凝胶法的氧化物半导体层制造方法，本发明涉及氧化物半导体层制造方法，其包括制备包含氧化物前体化合物的溶液的步骤（a） 将溶液施加到基底上的步骤（b） 用溶液干燥基材的步骤（c）; 以及对干燥后的基板进行150〜200℃的氧等离子体处理和热处理的步骤（d），以及通过该方法制造的氧化物半导体层。 根据本发明，通过氧化物半导体层的制造方法，通过使用溶胶 - 凝胶法在形成氧化物半导体层时通过热处理进行氧等离子体处理，氧等离子体中包含的氧自由基提高反应性，有助于克服激活 即使在不高于200℃的低温下进行热处理，金属氧化物的结晶能量也能够实现，即使通过低于200℃的低温热处理也具有优异的载流子迁移率的高性能半导体器件， 被制造成可用于制造诸如柔性LCD，柔性OLED和电子纸的柔性电子装置。