-
公开(公告)号：KR101884561B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：KR1020170032268
申请日：2017-03-15
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L29/66 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 질소도핑된금속산화물반도체층을구비하는금속산화물박막트랜지스터제조방법을제공한다. 금속산화물박막트랜지스터제조방법은, 기판상에게이트전극을형성하는단계, 게이트전극상에게이트절연막을형성하는단계, 게이트절연막상에위치하고, 게이트절연막과의계면에질소가도핑된금속산화물반도체층을형성하는단계및 금속산화물반도체층의양단에접속하는소스전극및 드레인전극을형성하는단계를포함할수 있다. 본발명에따르면, 금속산화물반도체층및 게이트절연막의계면에질소기능기를도입함으로써, 금속산화물의산소공공의비율을높여금속산화물반도체박막트랜지스터의특성을향상시킬수 있다.
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
