公开(公告)号：WO2022203191A1

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：PCT/KR2022/001877

申请日：2022-02-08

Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  국민대학교산학협력단

Inventor： 김진영 ,  이찬우 ,  임현우 ,  박재현

IPC: B01J37/08 ,  B01J37/10 ,  B01J35/00 ,  B01J35/02 ,  B01J23/20 ,  B01J21/06 ,  B01J23/46 ,  C01G55/00 ,  C25B11/093 ,  C25B1/26

Abstract: 본 발명은 안정성 및 전기화학적 물성이 우수한 니오븀 함유 티타늄-루테늄 복합 나노 입자를 용이하게 제조하는 방법, 안정성 및 효율이 우수한 니오븀 함유 티타늄-루테늄 복합 나노 입자 및 이를 포함하는 염소발생 전극에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101034333B1

公开(公告)日：2011-05-16

申请号：KR1020090013423

申请日：2009-02-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김인표 ,  조진한 ,  이찬우

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  B82Y40/00

Abstract: 스위칭 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 스위칭 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 스위칭 소자 제조방법은 부 전극 상에 양이온 고분자 박막 및 음이온인 티타늄 전구체 박막을 반복적으로 적층하여, 다층 박막을 제조하는 단계; 상기 다층박막을 열처리하여, 상기 다층박막의 티타늄 전구체 박막을 티타늄 산화물 박막으로 전환시키는 단계; 및 상기 다층 박막 상에 상부 전극을 적층하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 스위칭 소자 제조방법은 금속 입자를 소자 내에 자유로이 삽입함으로써 유니폴라, 바이폴라 특성의 스위칭 소자를 자유로이 선택, 제조할 수 있다. 즉, 본 발명은 LbL 자기조립법에 의하여 제조된 다층 박막을 이용하여 전이금속 산화막 기반의 가변저항 메모리 소자를 구현하며, 특히 제조공정과 소자 특성 관점에서, 본 발명에 따른 스위칭 소자는 용액 공정으로 형성하는 유기물 소자와 진공 증착에 의한 무기물 재료 기반의 소자가 갖는 장점을 모두 갖는다. 또한 본 발명에 따른 스위칭 소자의 제조방법은 대면적 스위칭 소자의 제조를 가능하게 하며, 조절 가능한 전기적 성질을 가지면서 용액 공정으로 제조가 가능한 무기재료 기반의 가변저항 스위칭 메모리 소자를 제작하는 새로운 방법을 제공할 수 있다. 더 나아가, 상기 방법에 의하여 제조된 스위칭 소자는 7개월 이상 동안 전기적 안정성을 가지므로, 매우 안정되고, 신뢰성 있는 스위칭 소자로서 사용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100094136A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090013423

申请日：2009-02-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 김인표 ,  조진한 ,  이찬우

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a switching device and the switching device are provided to select and manufacture a switching device with a unipolar or bipolar characteristic by inserting metal nano-particles into the switching device. CONSTITUTION: A polymer thin film and a titanium precursor thin film are repetitively stacked on a lower electrode in order to manufacture a multi-layered thin film. The multi-layered thin film is thermally treated. The titanium precursor thin film is converted into a titanium oxide thin film. An upper electrode is stacked on the multi-layered thin film. The multi-layered thin film includes metal nano-particles.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造开关装置和开关装置的方法，以通过将金属纳米颗粒插入开关装置中来选择和制造具有单极或双极性特征的开关装置。 构成：为了制造多层薄膜，将聚合物薄膜和钛前体薄膜重复堆叠在下电极上。 对多层薄膜进行热处理。 钛前体薄膜转变为氧化钛薄膜。 上层电极层叠在多层薄膜上。 多层薄膜包括金属纳米颗粒。

公开(公告)号：KR1020100094152A

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：KR1020090013445

申请日：2009-02-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이찬우 ,  조진한 ,  김인표

IPC: H01L21/8247

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a resistance random access memory and the resistance random access memory are provided to include a binary transition-metal oxide using a sol-gel technique. CONSTITUTION: A sol state solution in which a transition-metal precursor is dispersed is gelated. The gelated transition-metal precursor is applied on a lower electrode. The applied transition-metal precursor is thermally treated in order to form a transition-metal oxide thin film. An upper electrode is formed on the transition-metal oxide thin film. The transition-metal oxide thin film includes oxygen cavity.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电阻随机存取存储器和电阻随机存取存储器的方法，以包括使用溶胶 - 凝胶技术的二元过渡金属氧化物。 构成：其中分散有过渡金属前体的溶胶状溶液凝胶化。 将凝胶化的过渡金属前体施加在下电极上。 对所施加的过渡金属前体进行热处理以形成过渡金属氧化物薄膜。 在过渡金属氧化物薄膜上形成上电极。 过渡金属氧化物薄膜包括氧气腔。

公开(公告)号：KR101055406B1

公开(公告)日：2011-08-08

申请号：KR1020090013445

申请日：2009-02-18

Applicant: 국민대학교산학협력단

Inventor： 이찬우 ,  조진한 ,  김인표

IPC: H01L21/8247

Abstract: 저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 저항변화 메모리 소자 제조방법은 전이금속 전구체가 분산된 솔 상태의 용액을 젤화(gelation)시키는 단계; 상기 젤화된 전이금속 전구체를 하부 전극 상에 도포하는 단계; 상기 도포된 전이금속 전구체를 열처리하여 전이금속 산화물 박막을 제조하는 단계; 및 상기 티타늄 산화물 박막 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며, 낮은 구동 전압, 빠른 스위칭 속도, 높은 ON/OFF 비율 및 우수한 전기적 안정성과 같이 뛰어난 전기적 특성을 보이는 소자를 경제적인 방식으로 제조할 수 있게 한다.