다층박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 다층박막
    1.
    发明授权
    다층박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 다층박막 有权
    一种制造多层薄膜和多层薄膜的方法

    公开(公告)号:KR101045782B1

    公开(公告)日:2011-07-04

    申请号:KR1020100033192

    申请日:2010-04-12

    Abstract: 다층박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 다층박막이 제공된다.
    본 발명에 따른 다층박막 제조방법은 광가교성 기능기를 함유하는 고분자 물질에 광을 조사하는 단계를 포함하며, 매우 간단하고, 효과적인 방식으로 종래 기술에 비하여 매우 빠른 속도로 다층박막을 증착, 제조할 수 있으므로, 산업적 측면에서 그 유용성이 매우 높다. 또한, 종래 기술과 같이 소수성 물질에 대한 제조상의 한계가 없으므로 적용 가능 대상 물질이 매우 폭넓으며, 용액 침지 또는 가열 방식이 아닌 빛을 조사하는 방식으로 기판상의 다층박막을 제조할 수 있으므로, 용액 조건에서 손쉽게 제거될 수 있는 기판을 사용하는 경우, 기판이 제거된 다층박막 필름을 용이하게 제조할 수도 있다.

    Abstract translation: 提供多层薄膜制造方法和由此制造的多层薄膜。

    스위칭 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 스위칭 소자
    2.
    发明公开
    스위칭 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 스위칭 소자 有权
    用于制造切换装置的方法和使用该开关装置制造的开关装置

    公开(公告)号:KR1020100094136A

    公开(公告)日:2010-08-26

    申请号:KR1020090013423

    申请日:2009-02-18

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a switching device and the switching device are provided to select and manufacture a switching device with a unipolar or bipolar characteristic by inserting metal nano-particles into the switching device. CONSTITUTION: A polymer thin film and a titanium precursor thin film are repetitively stacked on a lower electrode in order to manufacture a multi-layered thin film. The multi-layered thin film is thermally treated. The titanium precursor thin film is converted into a titanium oxide thin film. An upper electrode is stacked on the multi-layered thin film. The multi-layered thin film includes metal nano-particles.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造开关装置和开关装置的方法,以通过将金属纳米颗粒插入开关装置中来选择和制造具有单极或双极性特征的开关装置。 构成:为了制造多层薄膜,将聚合物薄膜和钛前体薄膜重复堆叠在下电极上。 对多层薄膜进行热处理。 钛前体薄膜转变为氧化钛薄膜。 上层电极层叠在多层薄膜上。 多层薄膜包括金属纳米颗粒。

    다층박막 패터닝을 이용한 전기화학 바이오센서 및 그것의제조방법
    3.
    发明公开
    다층박막 패터닝을 이용한 전기화학 바이오센서 및 그것의제조방법 有权
    使用多层布局的电化学生物质及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090116407A

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:KR1020080042316

    申请日:2008-05-07

    Abstract: PURPOSE: Electro-chemical biosensor using multi-layered patterning and a manufacturing method thereof are provided to produce the electro-chemical biosensor of multi-layered structure with a method not to attenuate the biological activity. CONSTITUTION: A method for manufacturing an electro-chemical biosensor using multi-layered patterning comprises steps of: laminating an enzyme layer charged with second electric charges on a substrate charged with first electric charges, selectively laminating a first thin film charged with the first electric charges on the enzyme layer, laminating a second thin film charged with second electric charges on the first thin film, changing the surface charges of the exposed enzyme layer from the second electric charges into the first electric charges, and laminating a third thin film charged with the first electric charges on the second thin film.

    Abstract translation: 目的:提供使用多层图案化的电化学生物传感器及其制造方法,以生产不生物活性的方法生产多层结构的电化学生物传感器。 构成:使用多层图案的电化学生物传感器的制造方法包括以下步骤:将带有第二电荷的酶层层压在充有第一电荷的基板上,选择性地层叠带有第一电荷的第一薄膜 在酶层上,在第一薄膜上层叠充有第二电荷的第二薄膜,将暴露的酶层的表面电荷从第二电荷改变为第一电荷,并且将第三薄膜 在第二薄膜上的第一电荷。

    저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자
    4.
    发明公开
    저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자 有权
    制造电阻随机存取存储器的方法和使用其制造的电阻随机存取存储器

    公开(公告)号:KR1020100094152A

    公开(公告)日:2010-08-26

    申请号:KR1020090013445

    申请日:2009-02-18

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a resistance random access memory and the resistance random access memory are provided to include a binary transition-metal oxide using a sol-gel technique. CONSTITUTION: A sol state solution in which a transition-metal precursor is dispersed is gelated. The gelated transition-metal precursor is applied on a lower electrode. The applied transition-metal precursor is thermally treated in order to form a transition-metal oxide thin film. An upper electrode is formed on the transition-metal oxide thin film. The transition-metal oxide thin film includes oxygen cavity.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于制造电阻随机存取存储器和电阻随机存取存储器的方法,以包括使用溶胶 - 凝胶技术的二元过渡金属氧化物。 构成:其中分散有过渡金属前体的溶胶状溶液凝胶化。 将凝胶化的过渡金属前体施加在下电极上。 对所施加的过渡金属前体进行热处理以形成过渡金属氧化物薄膜。 在过渡金属氧化物薄膜上形成上电极。 过渡金属氧化物薄膜包括氧气腔。

    다층박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 다층박막
    5.
    发明公开
    다층박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 다층박막 有权
    制造多层薄膜的方法及其制造的多层薄膜

    公开(公告)号:KR1020100057000A

    公开(公告)日:2010-05-28

    申请号:KR1020100033192

    申请日:2010-04-12

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multi-layered thin film is provided to deposit the multi-layered thin film at a very high speed, to easily control a thickness, functionality, and a structure, and to be easily applied to an aqueous component. CONSTITUTION: A method for manufacturing a multi-layered thin film comprises the following steps: coating a substrate with a mixed solution of a photo-curable first polymer containing inorganic particles and a photo-curable second polymer with no inorganic particles; spin-coating the coated mixed solution; and hardening the spin-coated mixed solution by irradiating light. The photo-curable first polymer and the second polymer include a photo-crosslinkable functional group.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造多层薄膜的方法,以非常高的速度沉积多层薄膜,以容易地控制厚度,功能性和结构,并且易于应用于水性组分。 构成:制造多层薄膜的方法包括以下步骤:用无机颗粒和可光固化的第二聚合物的可光固化的第一聚合物与无机颗粒的混合溶液涂布基材; 旋涂涂层混合溶液; 并通过照射光来硬化旋涂的混合溶液。 可光固化的第一聚合物和第二聚合物包括光可交联官能团。

    저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자

    公开(公告)号:KR101055406B1

    公开(公告)日:2011-08-08

    申请号:KR1020090013445

    申请日:2009-02-18

    Abstract: 저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자가 제공된다.
    본 발명에 따른 저항변화 메모리 소자 제조방법은 전이금속 전구체가 분산된 솔 상태의 용액을 젤화(gelation)시키는 단계; 상기 젤화된 전이금속 전구체를 하부 전극 상에 도포하는 단계; 상기 도포된 전이금속 전구체를 열처리하여 전이금속 산화물 박막을 제조하는 단계; 및 상기 티타늄 산화물 박막 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며, 낮은 구동 전압, 빠른 스위칭 속도, 높은 ON/OFF 비율 및 우수한 전기적 안정성과 같이 뛰어난 전기적 특성을 보이는 소자를 경제적인 방식으로 제조할 수 있게 한다.

    레이어-바이-레이어 다층박막 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 레이어-바이-레이어 다층박막
    7.
    发明公开
    레이어-바이-레이어 다층박막 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 레이어-바이-레이어 다층박막 有权
    层状多层膜的制造方法及其制造的层状多层膜

    公开(公告)号:KR1020110088644A

    公开(公告)日:2011-08-04

    申请号:KR1020100008239

    申请日:2010-01-29

    CPC classification number: H01L23/564

    Abstract: PURPOSE: A layer-by-layer multi-layered membrane and a manufacturing method of the same are provided to minimize a melt gap measurement error, thereby reducing an inferiority rate by minimizing a monocrystal quality variation and preventing a process accident due to a melt gap variation during the process in beforehand. CONSTITUTION: A multi-layered membrane is interconnected by a nucleophilic substitution reaction. An insertion part included in a heat shield bottom comprises at least more than one hole. A melt gap measurement stick includes a hook-like shape. The multi-layered membrane is comprised of a first membrane and a second membrane. The first membrane includes a first composition material, a quantum dot, and a nano or metal particle.

    Abstract translation: 目的:提供层叠多层膜及其制造方法以使熔体间隙测量误差最小化,从而通过使单晶质量变化最小化并防止由熔融间隙引起的过程事故而降低劣化率 预处理过程中的变化。 构成:多层膜通过亲核取代反应相互连接。 包括在隔热罩底部中的插入部分包括至少多于一个孔。 熔体间隙测量棒包括钩状形状。 多层膜由第一膜和第二膜组成。 第一膜包括第一组合物材料,量子点和纳米或金属颗粒。

    나노복합체 제조방법, 이에 의하여 제조된 나노복합체, 이를 포함하는 다층막 및 이를 이용한 전기화학 센서

    公开(公告)号:KR101046985B1

    公开(公告)日:2011-07-07

    申请号:KR1020090099492

    申请日:2009-10-20

    Inventor: 조진한

    Abstract: 나노복합체 제조방법, 이에 의하여 제조된 나노복합체, 이를 포함하는 다층막 및 이를 이용한 전기화학 센서가 제공된다.
    본 발명에 따른 나노복합체 제조방법은 금속 나노입자 전구체 용액에 효소를 혼입하는 단계; 및 상기 금속 나노입자 전구체를 환원시켜 상기 효소에 의하여 캡슐화된 금속 나노입자를 제조하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 금속 나노입자를 캡슐화하는 상기 효소의 전하 종류는 용액의 pH 조건에 의존적인 것을 특징으로 하며, 본 발명은 pH 조절을 통하여 카탈라아제와 같은 효소 안정화제의 전하를 변환시킴으로써 효소로부터 금속 나노입자를 직접 합성할 수 있고, 또한 상기 금속 나노입자를 포함하는 다층막 구조는 카탈라아제와 같이 전하의 조절이 가능한 효소와 고분자전해질 층 사이의 정전기적 결합에 의하여 형성되며, 본 발명은 또한, 금속 전구체 용액의 농도, pH 조건에 따라 금속 나노복합체의 형태를 분산상, 콜로이드상, 네트워크상으로 자유로이 선택, 제어할 수 있다.

    다층박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 다층박막
    9.
    发明公开
    다층박막 제조방법 및 이에 의하여 제조된 다층박막 有权
    制造多层薄膜的方法及其制造的多层薄膜

    公开(公告)号:KR1020100023359A

    公开(公告)日:2010-03-04

    申请号:KR1020080082074

    申请日:2008-08-21

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a multilayered film is provided to ensure rapid process, to control a thickness, functionality and structure by users, and to be applied to aqueous components. CONSTITUTION: A method for manufacturing a multilayered film comprises the steps of: (a) applying a polymer containing a photo-curable first functional group on a substrate; (b) spin-coating the applied polymer; and (c) crosslinking the polymer by irradiating light to the polymer; and further removing the substrate after forming the multilayered film.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造多层膜的方法,以确保快速处理,控制使用者的厚度,功能和结构,并适用于含水组分。 构成:制造多层膜的方法包括以下步骤:(a)在基材上涂布含有可光固化的第一官能团的聚合物; (b)旋涂所施加的聚合物; 和(c)通过向聚合物照射光来交联聚合物; 并且在形成多层膜之后进一步去除衬底。

    다층의 전하저장층을 가지는 플로팅 게이트, 플로팅게이트의 제조방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및그 제조방법
    10.
    发明公开
    다층의 전하저장층을 가지는 플로팅 게이트, 플로팅게이트의 제조방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및그 제조방법 有权
    具有多个充电储存层的浮动闸门,用于制造浮动闸门的方法,非易失性存储器装置和使用其制造非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号:KR1020090032352A

    公开(公告)日:2009-04-01

    申请号:KR1020070097519

    申请日:2007-09-27

    Abstract: A floating gate having multiple charge storing layers, a method for fabricating the floating gate, a non-volatile memory device and a method for fabricating the non-volatile memory device using the same are provided to improve the charge storage capacity of the non-volatile memory device by laminating polyelectrolyte and metal nano crystal in multilayer. A gate structure is formed on the upper side of a silicon substrate(10). The gate structure comprises a tunneling oxide film(11), a floating gate(20) having charge storage layers(12a,13a-12n,13n) of multilayer, a control oxide film(14), and a control gate(15). A source region and a drain region doped with the impurity are formed in the silicon substrate. A channel region is formed between the source region and the drain region. The floating gate is formed on the top of the tunneling oxide film through the self-assembly method. The floating gate is made of the charge storage layer of multilayer.

    Abstract translation: 提供具有多个电荷存储层的浮动栅极,用于制造浮置栅极的方法,非易失性存储器件和使用其的非易失性存储器件的制造方法,以提高非易失性存储器件的电荷存储容量 存储器件通过在多层膜中层压聚电解质和金属纳米晶体。 栅极结构形成在硅衬底(10)的上侧。 栅极结构包括隧道氧化膜(11),具有多层电荷存储层(12a,13a-12n,13n)的浮栅(20),控制氧化膜(14)和控制栅极(15)。 在硅衬底中形成掺杂有杂质的源区和漏区。 在源极区域和漏极区域之间形成沟道区域。 浮动栅极通过自组装方法形成在隧道氧化膜的顶部。 浮栅由多层电荷存储层制成。

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