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公开(公告)号：WO2022203191A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/KR2022/001877
申请日：2022-02-08
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 국민대학교산학협력단
IPC: B01J37/08 , B01J37/10 , B01J35/00 , B01J35/02 , B01J23/20 , B01J21/06 , B01J23/46 , C01G55/00 , C25B11/093 , C25B1/26
Abstract: 본 발명은 안정성 및 전기화학적 물성이 우수한 니오븀 함유 티타늄-루테늄 복합 나노 입자를 용이하게 제조하는 방법, 안정성 및 효율이 우수한 니오븀 함유 티타늄-루테늄 복합 나노 입자 및 이를 포함하는 염소발생 전극에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2014168345A1
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：PCT/KR2014/002050
申请日：2014-03-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B01J19/088 , B01J2219/0877 , C01G23/047 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64
Abstract: 간단하면서 지속적인 합성이 가능한 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 티타늄 산화물 나노 구조 제조 방법에서는 반응 챔버 내부에 티타늄 함유 전구체 용액을 투입한 후, 펄스 방식의 전원을 인가하여 플라즈마 아크 방전을 일으켜 티타늄 산화물 나노 구조를 생성한다. 본 발명에 따르면, 나노 구조를 구성하는 조성으로 전극을 구성할 필요가 없고 추가의 기체 공급이 필요 없으므로 기존의 방법에 비하여 간단하고, 용이하며, 공정 비용의 절감뿐만 아니라 대량 생산이 가능하다.
Abstract translation: 提供一种直接制造氧化钛纳米结构的方法和装置，同时允许持续的合成。 在根据本发明的氧化钛纳米结构体的制造方法中，通过将钛含量前体溶液引入反应室，然后施加脉冲型电源，使等离子体电弧 卸货。 根据本发明，不需要由构成纳米结构的组合物构成电极，不需要任何额外的气体供给，因此与现有的方法相比，本发明是直接，简单且节省的 加工成本，另外允许批量生产。
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2015016399A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/KR2013/006811
申请日：2013-07-30
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2027 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO 3 : M (여기서, M은 BaSnO 3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO 3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.
Abstract translation: 公开了一种包括新型Ba-Sn-O基多组分氧化物半导体膜的光电极。 本发明提供了一种染料敏化太阳能电池光电极，包括：导电透明基板; 以及在该基板上形成的多成分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以由BaSnO 3：M表示（这里，M是在BaSnO 3中掺杂的金属，并且包含选自Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K， In，Zr，Te，Fe，Y，Sm，Sc，Co，La和Rh）。 根据本发明，可以提供通过提高BaSnO 3半导体氧化膜的光电能转换效率来制造高效太阳能电池的光电极。
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公开(公告)号：KR101034333B1
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：KR1020090013423
申请日：2009-02-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , B82Y40/00
Abstract: 스위칭 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 스위칭 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 스위칭 소자 제조방법은 부 전극 상에 양이온 고분자 박막 및 음이온인 티타늄 전구체 박막을 반복적으로 적층하여, 다층 박막을 제조하는 단계; 상기 다층박막을 열처리하여, 상기 다층박막의 티타늄 전구체 박막을 티타늄 산화물 박막으로 전환시키는 단계; 및 상기 다층 박막 상에 상부 전극을 적층하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 스위칭 소자 제조방법은 금속 입자를 소자 내에 자유로이 삽입함으로써 유니폴라, 바이폴라 특성의 스위칭 소자를 자유로이 선택, 제조할 수 있다. 즉, 본 발명은 LbL 자기조립법에 의하여 제조된 다층 박막을 이용하여 전이금속 산화막 기반의 가변저항 메모리 소자를 구현하며, 특히 제조공정과 소자 특성 관점에서, 본 발명에 따른 스위칭 소자는 용액 공정으로 형성하는 유기물 소자와 진공 증착에 의한 무기물 재료 기반의 소자가 갖는 장점을 모두 갖는다. 또한 본 발명에 따른 스위칭 소자의 제조방법은 대면적 스위칭 소자의 제조를 가능하게 하며, 조절 가능한 전기적 성질을 가지면서 용액 공정으로 제조가 가능한 무기재료 기반의 가변저항 스위칭 메모리 소자를 제작하는 새로운 방법을 제공할 수 있다. 더 나아가, 상기 방법에 의하여 제조된 스위칭 소자는 7개월 이상 동안 전기적 안정성을 가지므로, 매우 안정되고, 신뢰성 있는 스위칭 소자로서 사용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020100094136A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020090013423
申请日：2009-02-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a switching device and the switching device are provided to select and manufacture a switching device with a unipolar or bipolar characteristic by inserting metal nano-particles into the switching device. CONSTITUTION: A polymer thin film and a titanium precursor thin film are repetitively stacked on a lower electrode in order to manufacture a multi-layered thin film. The multi-layered thin film is thermally treated. The titanium precursor thin film is converted into a titanium oxide thin film. An upper electrode is stacked on the multi-layered thin film. The multi-layered thin film includes metal nano-particles.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造开关装置和开关装置的方法，以通过将金属纳米颗粒插入开关装置中来选择和制造具有单极或双极性特征的开关装置。 构成：为了制造多层薄膜，将聚合物薄膜和钛前体薄膜重复堆叠在下电极上。 对多层薄膜进行热处理。 钛前体薄膜转变为氧化钛薄膜。 上层电极层叠在多层薄膜上。 多层薄膜包括金属纳米颗粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100094152A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020090013445
申请日：2009-02-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a resistance random access memory and the resistance random access memory are provided to include a binary transition-metal oxide using a sol-gel technique. CONSTITUTION: A sol state solution in which a transition-metal precursor is dispersed is gelated. The gelated transition-metal precursor is applied on a lower electrode. The applied transition-metal precursor is thermally treated in order to form a transition-metal oxide thin film. An upper electrode is formed on the transition-metal oxide thin film. The transition-metal oxide thin film includes oxygen cavity.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造电阻随机存取存储器和电阻随机存取存储器的方法，以包括使用溶胶 - 凝胶技术的二元过渡金属氧化物。 构成：其中分散有过渡金属前体的溶胶状溶液凝胶化。 将凝胶化的过渡金属前体施加在下电极上。 对所施加的过渡金属前体进行热处理以形成过渡金属氧化物薄膜。 在过渡金属氧化物薄膜上形成上电极。 过渡金属氧化物薄膜包括氧气腔。
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公开(公告)号：KR101055406B1
公开(公告)日：2011-08-08
申请号：KR1020090013445
申请日：2009-02-18
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247
Abstract: 저항변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 저항변화 메모리 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 저항변화 메모리 소자 제조방법은 전이금속 전구체가 분산된 솔 상태의 용액을 젤화(gelation)시키는 단계; 상기 젤화된 전이금속 전구체를 하부 전극 상에 도포하는 단계; 상기 도포된 전이금속 전구체를 열처리하여 전이금속 산화물 박막을 제조하는 단계; 및 상기 티타늄 산화물 박막 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며, 낮은 구동 전압, 빠른 스위칭 속도, 높은 ON/OFF 비율 및 우수한 전기적 안정성과 같이 뛰어난 전기적 특성을 보이는 소자를 경제적인 방식으로 제조할 수 있게 한다.-
公开(公告)号：KR102220197B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020180118935
申请日：2018-10-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의실시예들에따른콘텐츠제공시스템은, 사용자에게콘텐츠를제공하는시스템으로서, 상기콘텐츠를설정된기술분류에따라저장하는콘텐츠저장부, 상기사용자와상기콘텐츠저장부를연결하는인터페이스부, 및상기콘텐츠저장부와상기인터페이스부를제어하는제어부를포함하고, 상기제어부는상기콘텐츠에대한상기사용자의평가에따라상기콘텐츠의기술분류를재설정한다.
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公开(公告)号：KR101463234B1
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020130089522
申请日：2013-07-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2027 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: Ba-Sn-O 기반의 신규한 다성분계 산화물 반도체막을 구비한 광전극이 개시된다. 본 발명은 도전성 투명 기판; 및 상기 기판 상에 형성되는 다성분계 산화물 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극을 제공한다. 상기 반도체막의 조성은 BaSnO
3 : M (여기서, M은 BaSnO
3 에 도핑되며, Sr, Ca, Mg, Zn, Pb, Ti, Mn, Sb, K, In, Zr, Te, Fe, Y, Sm, Sc, Co, La 및 Rh로 이루어진 금속 원소 중 최소한 1종의 금속)으로 표현될 수 있다. 본 발명에 따르면, BaSnO
3 반도체 산화막의 광전 에너지 변환 효율을 향상시켜 고효율의 태양전지 셀의 제조를 가능하게 하는 광전극을 제공할 수 있게 된다.Abstract translation: 公开了一种包括基于Ba-Sn-O的新的多组分氧化物半导体膜的光电极。 在本发明中提供了一种用于染料敏化太阳能电池的光电极，其包括导电透明基板; 以及形成在所述基板上的多组分氧化物半导体膜。 半导体膜的组成可以表示为BaSnO_3：M。 （M掺杂在BaSnO_3上，并且是由Sr，Ca，Mg，Zn，Pb，Ti，Mn，Sb，K，In，Zr，Te，Fe，Y，Sm组成的金属元素中的至少一种金属， Sc，Co，La和Rh。）根据本发明，提供了一种提高BaSnO_3半导体氧化膜的光电能转换效率以能够制造高效率太阳能电池的光电极。
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公开(公告)号：KR101445127B1
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020130044219
申请日：2013-04-22
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: Provided is a new treatment method improving light emitting properties of nanophosphor and controlling a change over time. The method for treating nanophosphor of the present invention comprises the steps of: preparing oxide-based nanophosphor; and changing surficial properties of the oxide-based nanophosphor or improving crystallinity by treating the oxide-based nanophosphor by generating atmospheric pressure plasma. According to the present invention, surficial defect of nanophosphor can be removed and the crystallinity can be improved to have an effect of improving the light emitting properties and can control changes in crystal structure when using phosphor, thereby controlling change over time.
Abstract translation: 提供了一种改善纳米荧光体的发光性能并控制随时间变化的新的处理方法。 本发明的纳米荧光粉处理方法包括以下步骤：制备氧化物基纳米荧光体; 并通过生成大气压等离子体处理氧化物基纳米荧光体，改变氧化物基纳米荧光体的表面性质或改善结晶度。 根据本发明，可以除去纳米荧光体的表面缺陷，并且可以提高结晶度以具有改善发光性能的效果，并且可以在使用荧光体时控制晶体结构的变化，从而控制随时间的变化。
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