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公开(公告)号：KR1019990054995A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970074898
申请日：1997-12-27
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/48 , C04B35/584
Abstract: 본 발명은, Yb
2 O
3 를 소결조제로 사용하여 소결 시편의 내/외부층에서 서로 다른 입성장 속도를 유발하여 동일 시편내에서 위치에 따른 미세구조의 차이를 가져올 수 있는 재료를 제공하기 위하여, 2 - 16 중량%의 Yb
2 O
3 소결조제 분말 및 불가피한 불순물을 포함하는 그 나머지인 질화규소(Si
3 N
4 ) 분말로부터 얻어지는 질화규소 소결체로, 상기 소결체는, 미세 입자 구조를 가지는 내부층과, 조대 입자 및 미세 입자가 공존하는 혼합 구조를 가지는 외부층으로 이루어지는 내외층의 미세구조가 제어된 질화규소 소결체 및 그의 제조방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR101904874B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020160112770
申请日：2016-09-01
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/64 , C04B35/14 , C04B35/624 , C04B35/626 , C04B35/632 , C01B33/18
Abstract: 본발명은겔캐스팅(Gel-Casting)공법을이용한퓨즈드실리카소결체제조방법에관한것이다. 본발명은겔캐스팅(Gel-Casting)법을이용한소결체제조방법을제공하며, 상기제조방법은소정용매에단량체인아크릴아마이드(acrylamide) 및이량체인메틸렌비스아크릴아마이드(N,N′-Methylenebis(acrylamide))를용해시켜혼합용액을제조하는단계, 상기혼합용액에퓨즈드실리카분말을첨가하고 20 내지 30 시간동안볼 밀링하여슬러리를제조하는단계, 상기슬러리에촉매제및 개시제를혼합하고소정몰드에주입하여성형체를제조하는단계, 상기성형체를소정유기용매에침지시켜, 상기성형체내부의수분을상기유기용매로치환시키는단계및 상기성형체를상기몰드로부터탈형시키고, 상기성형체를소결하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR100321939B1
公开(公告)日：2002-02-04
申请号：KR1019990026770
申请日：1999-07-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/58
CPC classification number: C04B35/58071 , C04B35/593 , C04B35/645
Abstract: 본발명은붕화티타늄기지상에소정량의질화규소(SiN)가소결조제로첨가된것을특징으로하는붕화티타늄(TiB) 소결체및 그제조방법에관한것이다. 본발명에의한질화규소를소결조제로첨가한붕화티타늄소결체는소결조제를첨가하지않은붕화티타늄소결체에비하여비교적낮은온도에서소결체를얻을수 있고, 치밀한미세구조를가지며, 강도와경도등의역학적특성이매우우수하다.
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公开(公告)号：KR100292247B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019980014601
申请日：1998-04-23
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C23C16/40
Abstract: PURPOSE: A method is provided which not only increases strength of a zirconia sintered material due to crack blunting but also prevents deterioration at a low temperature which is transferred from tetragonal zirconia to monoclinic zirconia by forming a silica/zircon layer on the surface of zirconia through a simple process. CONSTITUTION: The method for reforming zirconia comprises the steps of introducing zirconia and Si compounds into an atmosphere controlling furnace capable of controlling a partial pressure of atmospheric oxygen; converting the Si compounds into the SiOx state by vaporizing the Si compounds by flowing an H2-H2O gas (H2O >= 0.1%) into the atmosphere controlling furnace; and forming a silica/zircon layer on the surface of the zirconia by depositing the obtained SiOx on the surface of the zirconia, wherein the Si compounds are one or more compounds selected from the group consisting of Si3N4, Si, Sialon and SiO2, the zirconia is slantly positioned inside the atmosphere controlling furnace with the zirconia spaced apart from the Si compounds in a certain distance, and the atmosphere controlling furnace is heated to a temperature ranging from 1300 to 1500 deg.C and maintained at the temperature range for more than one hour.
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公开(公告)号：KR1020010008780A
公开(公告)日：2001-02-05
申请号：KR1019990026770
申请日：1999-07-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/58
CPC classification number: C04B35/58071 , C04B35/593 , C04B35/645
Abstract: PURPOSE: A method for producing titanium boron having high strength and hardness as a sintered body is provided by adding silicon nitride as a sintering aid. CONSTITUTION: A small amount of silicon nitride as a sintering aid is added to titanium boron. The added amount of silicon nitride is 1-10wt%. The titanium boron mixed with the silicon nitride at a graphite mold is hotly pressed for between 4 minutes and 4 hours at 1500-2000deg.C. Sintering bodies can be produced at relatively low temperatures for this process and have fine structures. In particular, the strength and hardness of the sintered bodies are excellent. Therefore, the sintered bodies can be widely used in the field requiring high strength and hardness.
Abstract translation: 目的：通过添加作为烧结助剂的氮化硅，提供作为烧结体的具有高强度和硬度的钛硼的制造方法。 构成：将少量作为烧结助剂的氮化硅加入到钛硼中。 氮化硅的添加量为1-10重量％。 在石墨模具上与氮化硅混合的钛硼在1500-2000℃下热压4分钟至4小时。 烧结体可以在相对较低的温度下生产，并且具有精细的结构。 特别是烧结体的强度和硬度优异。 因此，烧结体可以广泛地应用于需要高强度和硬度的领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100270608B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019970074898
申请日：1997-12-27
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/48 , C04B35/584
CPC classification number: C04B35/5935
Abstract: PURPOSE: A silicone nitride sintered body is provided, which has improved mechanical properties such as strength, hardness, abrasion-resistance and the like by controlling the fine structure of the inner layer and the outer layer. And its preparation method is also provided. CONSTITUTION: The silicone nitride sintered body, which is obtained from silicone nitride powder and 2-16 wt.% of Yb2O3 sintering aid, comprises: (i) an inner layer having a fine particle structure; and (ii) an outer layer which has a mixture structure of a large-sized particle and a fine particle. The method comprises steps of: (i) mixing silicone nitride powder with 2-16 wt.% of Yb2O3 sintering aid; (ii) ball-milling the mixture powder of the step (i) to prepare a slurry; (iii) drying the slurry and then classifying the dried slurry; (iv) molding the obtained powder of the step (iii) under hydrostatic pressure; and (v) sintering the molded body of the step (iv) at a temperature of 1,800-1,950 deg.C.
Abstract translation: 目的：提供一种通过控制内层和外层的精细结构而具有改善的机械性能如强度，硬度，耐磨性等的氮化硅烧结体。 并提供其制备方法。 构成：由氮化硅粉末和2-16重量％的Yb 2 O 3烧结助剂获得的氮化硅烧结体包括：（i）具有细小颗粒结构的内层; 和（ii）具有大尺寸颗粒和细颗粒的混合结构的外层。 该方法包括以下步骤：（i）将氮化硅粉末与2-16重量％的Yb2O3烧结助剂混合; （ii）对步骤（i）的混合物粉末进行球磨以制备浆料; （iii）干燥浆料，然后对干燥的浆料进行分级; （iv）在静水压力下成型所得步骤（iii）的粉末; 和（v）在1,800-1,950℃的温度下烧结步骤（iv）的成型体。
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公开(公告)号：KR101904873B1
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：KR1020160112766
申请日：2016-09-01
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/64 , C04B35/14 , C04B35/624 , C04B35/626 , C04B35/632 , C01B33/18
Abstract: 본발명은겔캐스팅(Gel-Casting)공법을이용한퓨즈드실리카소결체제조방법에관한것이다. 본발명은겔캐스팅(Gel-Casting)법을이용한소결체제조방법을제공하고, 상기제조방법은소정용매에단량체인아크릴아마이드(acrylamide) 및이량체인메틸렌비스아크릴아마이드(N,N′-Methylenebis(acrylamide))를용해시켜혼합용액을제조하는단계, 상기혼합용액에퓨즈드실리카분말및 질화규소을첨가하고 20 내지 30 시간동안볼 밀링하여슬러리를제조하는단계, 상기슬러리에촉매제및 개시제를혼합하고소정몰드에주입하여성형체를제조하는단계및 상기성형체를상기몰드로부터탈형시키고, 상기성형체를소결하는단계를포함하고, 상기퓨즈드실키카분말은 40 내지 75 vol%, 상기질화규소는 0.25 내지 5 wt%로상기혼합용액에혼합되는것을특징으로한다. 본발명에따른방법으로제조된성형체는공기의저항에의한내열충격성이우수하고, 높은기계적강도를가지며, 우수한전파투과성을보이기때문에마이크로파탐색기보호재료로활용될수 있다.
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公开(公告)号：KR100270604B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019970074899
申请日：1997-12-27
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/48
Abstract: PURPOSE: A method is provided to control the microstructure that is shown in a silicon nitride based sintered compact having a high toughness so as to solve problems such as high costs and limited application fields in manufacturing the silicon nitride based sintered compact having a high toughness. CONSTITUTION: The method for controlling the microstructure of a silicon nitride based sintered compact comprises the processes of obtaining initial raw material powder of Si3N4 having an average particle size of 0.5 microns or less; mixing the initial raw material powder with sintered materials including AlN, Y2O3 and Al2O3 in case of SiAlON sintered compact and Y2O3 and Al2O3 in case of Si3N4 sintered compact, and compression molding the mixture; and atmospheric sintering the obtained compressed powder at a temperature of 1850 deg.C or less so that the microstructure of the obtained sintered compact has a dual structure which is changed depending on the atmospheric sintering time, wherein the initial raw material powder of Si3N4 having an average particle size of 0.5 microns or less is obtained through precipitation or centrifuge method.
Abstract translation: 目的：提供一种控制在具有高韧性的氮化硅基烧结体中显示的微结构的方法，以解决制造具有高韧性的氮化硅基烧结体的成本高和应用领域有限的问题。 构成：用于控制氮化硅基烧结体的微结构的方法包括获得平均粒径为0.5微米或更小的Si 3 N 4的初始原料粉末的方法; 在SiAlON烧结体的情况下将初始原料粉末与AlN，Y2O3和Al2O3等烧结材料混合，在Si3N4烧结体的情况下将Y2O3和Al2O3混合，并将其混合; 并在1850℃或更低的温度下大气烧结获得的压缩粉末，使得所获得的烧结体的微观组织具有根据大气烧结时间而改变的双重结构，其中，具有Si3N4的初始原料粉末 通过沉淀或离心法获得0.5微米或更小的平均粒径。
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公开(公告)号：KR1019990080975A
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019980014601
申请日：1998-04-23
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C23C16/40
Abstract: 본 발명은 간단한 공정을 통해 지르코니아 표면에 실리카/지르콘 층을 형성시킴으로써 균열 둔화에 의한 강도 증가와 동시에 정방정에서 단사정으로 전이하는 저온열화 현상을 방지하기 위하여, 분위기 산소 분압을 조절할 수 있는 분위기 조절로 내에서 지르코니아와 Si를 포함하는 화합물을 도입하는 단계와; 상기 분위기 조절로 내에 H
2 -H
2 O (H
2 O≥0.1%) 가스를 흘려 상기 Si 화합물을 기화시켜 SiO
x 상태로 변환시키는 단계와; 얻어진 SiO
x 를 상기 지르코니아의 표면에 증착시킴으로써 상기 지르코니아의 표면에 실리카/지르콘층을 형성시키는 단계;로 이루어지는 지르코니아 개질 방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR1019990054996A
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019970074899
申请日：1997-12-27
Applicant: 국방과학연구소
IPC: C04B35/48
Abstract: 본 발명에서는 고인성의 질화규소를 제조하는데 있어 고비용 문제와 제한된 응용 분야의 확대를 위하여, 입자 분리법을 통하여 입자 크기가 0.5 ㎛ 이하인 Si
3 N
4 초기 원료 분말을 얻고, 상기 초기 원료 분말 및 소결조제를 혼합하고, 압축 성형한 후, 얻어진 압분체를 1850 ℃ 이하의 온도에서 상압 소결함으로써 얻어진 소결체의 미세조직이 이중 구조를 갖도록 하는 질화규소 소결체의 미세 조직 제어 방법을 제공한다.
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