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公开(公告)号：KR1019990025657A
公开(公告)日：1999-04-06
申请号：KR1019970047365
申请日：1997-09-13
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0296 , G01J1/02 , H01L31/09
Abstract: 본 발명은 p-HgCdTe/N-HgCdTe/CdZnTe의 이종접합을 이용한 독립적이면서 동시에 동작하는 이색 적외선 검출기(two color infrared detector)의 구조 및 제조방법 관한 것이다. 본 발명의 이색 적외선 검출기의 구조는 에너지 밴드갭이 다른 2층의 HgCdTe박막을 순차적으로 성장시킨 재료에 n-형 불순물 이온을 주입함으로써 형성한 npN 구조로 되어 있다.
즉, CdZnTe기판(1)위에 N-HgCdTe(13)/p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)층을 형성하여, 장파장 적외선(LWIR; Long Wave Length Infrared)이 입사하면 p-HgCdTe(23)층에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)로 구성되는 LW 포토다이오드(D1)로부터 광전류가 검출되고, 중파장의 적외선(MWIR; Middle Wave Length Infrared)이 입사하면 N-HgCdTe층(13)에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13)으로 구성되는 MW 포토다이오드(D2)로부터 광전류가 검출되며, p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13) 이종접합의 전도대에 생기는 전위장벽은 p-HgCdTe(23)에서 생성된 전자가 N-HgCdTe(13)층으로 넘어가는 것을 막아줌으로서 MWIR과 LWIR을 동시에 독립적으로 감지할 수 있다. 본발명의 상기 LW 포토다이오드(D1)와 MW 포토다이오드(D2)를 구성하고 있는 각각의 Hg
(1-x) Cd
(x) Te층의 x값을 변화시킴으로써 단파장 적외선(Short Wave Length Infrared; SWIR)과 MWIR을 동시에 검출하는 소자를 용이하게 구성할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019960010680B1
公开(公告)日：1996-08-07
申请号：KR1019930001434
申请日：1993-02-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01N27/12
Abstract: a SnO2-Pd sensor (SPd) highly sensitive to acetonitrile; a SnO2-La sensor (SLa) poorly sensitive to acetonitrile; an operator circuit (ALU) for multiplying the outputs of the two sensors by each constant, and summing the resultant values; the first level director circuit (LD1) for comparing the output signal of the SnO2-Pd sensor with a reference signal and converting it to a digital signal; the second level director circuit (LD2) for comparing the output signal of the operator circuit (ALU) with a reference signal and converting it to a digital signal; and a logic circuit (L) for performing an "AND" operation of the outputs of the first and the second level director circuits (LD1)(LD2).
Abstract translation: 对乙腈敏感的SnO2-Pd传感器（SPd）; 对乙腈敏感的SnO2-La传感器（SLa）; 操作器电路（ALU），用于将两个传感器的输出乘以每个常数，并对所得到的值求和; 用于将SnO2-Pd传感器的输出信号与参考信号进行比较并将其转换为数字信号的第一电平指令电路（LD1）; 用于将操作器电路（ALU）的输出信号与参考信号进行比较并将其转换为数字信号的第二电平指令电路（LD2）; 以及用于执行第一和第二电平指令电路（LD1）（LD2）的输出的“与”运算的逻辑电路（L）。
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公开(公告)号：KR1019970010966B1
公开(公告)日：1997-07-05
申请号：KR1019930023976
申请日：1993-11-11
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01N7/00
Abstract: The gas sensor characteristic automatic measuring system is directed to automatically performing works for measuring a gas sensor characteristic. This system includes a signal conditioner(1) for detecting the characteristics of temperature sensors(TS1~TS4) of four channels having a changing resistance, an analog/digital converter(2) for changing each channel output signal of the signal conditioner(1) to a digital signal and removing a noise signal, a personal computer(3) for computing the detected characteristics and outputting as a screen information, and a monitor(4) for displaying the measured display information for thereby easily measuring the characteristics of gas and temperature sensors.
Abstract translation: 气体传感器特征自动测量系统旨在自动执行测量气体传感器特性的工作。 该系统包括用于检测具有变化电阻的四个通道的温度传感器（TS1〜TS4）的特性的信号调节器（1），用于改变信号调节器（1）的每个通道输出信号的模拟/数字转换器（2） 数字信号和去除噪声信号，用于计算检测到的特性并作为屏幕信息输出的个人计算机（3）和用于显示所测量的显示信息的监视器（4），从而容易地测量气体和温度的特性 传感器。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100253660B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970047365
申请日：1997-09-13
Applicant: 국방과학연구소
IPC: H01L31/0296 , G01J1/02 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/02966 , H01L31/11
Abstract: PURPOSE: A structure of a two color infrared detector and a manufacturing method thereof are to change x value of Hg(1-x)Cd(x)Te layer consisting of a long wavelength(LW) photodiode and a middle wavelength(MW) photodiode, thereby constituting a device for detecting short wavelength infrared(SWIR) and middle wavelength infrared(MWIR) simultaneously. CONSTITUTION: The two color infrared detector comprises a semiconductor substrate, an N-HgCdTe layer(13), a p-HgCdTe layer(23) and an n-HgCdTe layer(33). The N-HgCdTe layer is formed on the semiconductor substrate and has a large energy band gap. The p-HgCdTe layer is formed on the N-HgCdTe layer and has a small energy band gap. Another n-HgCdTe layer is formed on the p-HgCdTe layer and is of small energy band gap. The semiconductor substrate comprise a CdZnTe layer. The N-HgCdTe layer is formed of N-Hg0.692Cd0.308Te layer or N-Hg0.636Cd0.364Te layer. The p-HgCdTe layer is formed of p-Hg0.78Cd0.22Te layer or p-Hg0.692Cd0.308Te layer.
Abstract translation: 目的：双色红外检测器的结构及其制造方法是改变由长波长（LW）光电二极管和中波长（MW）光电二极管组成的Hg（1-x）Cd（x）Te层的x值 从而构成同时检测短波长红外（SWIR）和中波长红外（MWIR）的装置。 构成：双色红外检测器包括半导体衬底，N-HgCdTe层（13），p-HgCdTe层（23）和n-HgCdTe层（33）。 N-HgCdTe层形成在半导体衬底上并且具有大的能带隙。 p-HgCdTe层形成在N-HgCdTe层上，具有小的能带隙。 在p-HgCdTe层上形成另一个n-HgCdTe层，其能带隙较小。 半导体衬底包括CdZnTe层。 N-HgCdTe层由N-Hg0.692Cd0.308Te层或N-Hg0.636Cd0.364Te层形成。 p-HgCdTe层由p-Hg0.78Cd0.22Te层或p-Hg0.692Cd0.308Te层形成。
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公开(公告)号：KR1019950014874A
公开(公告)日：1995-06-16
申请号：KR1019930023976
申请日：1993-11-11
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01N7/00
Abstract: 본 발명은 가스센서 특성을 측정하는 일련의 작업을 자동으로 수행함으로써 가스센서의 성능시험을 보다 빠르고 쉽게 수행할 수 있게 한 가스센서 특성 자동측정 시스템에 관한 것으로, 종래에는 가스센서의 특성을 측정하는 작업이 번거롭고, 그 처리시간이 많이 걸렸다. 이러한 점을 감안하여, 가스센서 및 은도센서에서 감지되는 신호를 신호컨디셔너를 통한 후 아날로그/디지탈변환기를 통해 디지틸신호 로 변환하고, 그 디지탈신호값을 퍼스널컴퓨터에서 소프트웨어적으로 처리하여 가스센서 및 온도센서의 특정으로 산출한 후 모니터에 표시하고, 산출결과를 프린터로 프린트하게 함으로써 그 측정작업이 간편하고, 처리시간을 단축시킬 수 있게 한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019940020116A
公开(公告)日：1994-09-15
申请号：KR1019930001434
申请日：1993-02-03
Applicant: 국방과학연구소
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명은 반도체식 아세토니트릴 센서 시스템에 관한 것으로, 아세토니트릴에 감도가 좋은 SnO
2 -Pb센서와, 아세토니트릴에 감도가 나쁜 SnO
2 -La센서와, 이 두 센서의 출력에 각각 상수값을 곱하고 그 결과를 합산하는 연산회로부와, Pd-SnO
2 센서 출력신호를 기준신호와 비교하여 디지틀 신호로 바꾸어주는 제1레벨 디텍터 회로부와, 상기 연산회로부의 출력신호를 기준신호와 비교하여 디지틀 신호로 바꾸어주는 제1레벨 디텍터 회로부 및, 이들 두 레벨 디텍터 회로부의 출력을 "AND"시켜주는 논리회로부로 구성된다. 아세토니트릴 감지에 있어 탁월한 감도와 선택성을 가지는 것이다. 또한 에틸알콜, 메틸알콜, 아세톤, 담배연기, 암모니아 등과 아세토니트릴은 완벽하게 구분이 되며, 부탄과 일산화탄소에는 절대적 선택성은 없으나 상대적 선택도가 크게 되며, 또 수소와 아세토니트릴은 본 발명의 센서 시스템으로서는 구분이 되지 않으나 수소가 우리 주변에서 흔한 가스가 아님으로 충분히 실용가능하게 되는 것이다.
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