公开(公告)号：KR1019990025657A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970047365

申请日：1997-09-13

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 윤재룡 ,  김재묵 ,  박승만 ,  이희철 ,  김충기

IPC: H01L31/0296 ,  G01J1/02 ,  H01L31/09

Abstract: 본 발명은 p-HgCdTe/N-HgCdTe/CdZnTe의 이종접합을 이용한 독립적이면서 동시에 동작하는 이색 적외선 검출기(two color infrared detector)의 구조 및 제조방법 관한 것이다. 본 발명의 이색 적외선 검출기의 구조는 에너지 밴드갭이 다른 2층의 HgCdTe박막을 순차적으로 성장시킨 재료에 n-형 불순물 이온을 주입함으로써 형성한 npN 구조로 되어 있다.
즉, CdZnTe기판(1)위에 N-HgCdTe(13)/p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)층을 형성하여, 장파장 적외선(LWIR; Long Wave Length Infrared)이 입사하면 p-HgCdTe(23)층에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/n-HgCdTe(33)로 구성되는 LW 포토다이오드(D1)로부터 광전류가 검출되고, 중파장의 적외선(MWIR; Middle Wave Length Infrared)이 입사하면 N-HgCdTe층(13)에서 흡수되어 p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13)으로 구성되는 MW 포토다이오드(D2)로부터 광전류가 검출되며, p-HgCdTe(23)/N-HgCdTe(13) 이종접합의 전도대에 생기는 전위장벽은 p-HgCdTe(23)에서 생성된 전자가 N-HgCdTe(13)층으로 넘어가는 것을 막아줌으로서 MWIR과 LWIR을 동시에 독립적으로 감지할 수 있다. 본발명의 상기 LW 포토다이오드(D1)와 MW 포토다이오드(D2)를 구성하고 있는 각각의 Hg
(1-x) Cd
(x) Te층의 x값을 변화시킴으로써 단파장 적외선(Short Wave Length Infrared; SWIR)과 MWIR을 동시에 검출하는 소자를 용이하게 구성할 수 있다.

公开(公告)号：KR200431860Y1

公开(公告)日：2006-11-27

申请号：KR2020060018832

申请日：2006-07-12

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 박승만

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/06

Abstract: 본 고안은 반도체 소자 제조시 반도체 소자의 pn 접합 내부에 결함이 존재하지 않도록 결정결함이 존재하는 일정 부분을 pn 접합에서 제외하여 재료의 결정결함들에 의한 수율 저하를 방지하므로 수율을 향상시킬 수 있도록 한 결정 결함을 허용하는 적외선 검출소자에 관한 것이다.
본 고안은 p-형 HgCdTe 기판위에 ZnS와 같은 절연체 박막을 열 증착하고, 광 묘화작업으로 기판 가장자리에 기준점을 표시한 후 광 묘화작업을 통해 n-영역을 형성할 부분을 규정한 후 이온 주입하며, 이온 주입에 의해 손상된 첫번째 절연체를 식각하여 새절연체를 열 증착하고, n, p-형 반도체에 각각 반도체-금속 접촉을 형성하며, n, p-형의 반도체-금속 접촉에서 와이어 본딩 패드까지 금속선을 형성한 후 그 위에 본딩 패드 금속을 형성하는 원형 수광면을 갖는 대면적 적외선 검출소자에 있어서, 상기 이온주입에 사용하는 원형 마스크의 사방에 일정간격으로 이온주입이 되지 않도록 절개부를 형성하여 상기 이온주입이 되지 않는 절개부에 결함이 집중되도록 하여 수율을 향상시키도록 한 것이다.
반도체소자, 재료결함, 수율, 결정결함, 대면적, 적외선소자

公开(公告)号：KR100253660B1

公开(公告)日：2000-04-15

申请号：KR1019970047365

申请日：1997-09-13

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 윤재룡 ,  김재묵 ,  박승만 ,  이희철 ,  김충기

IPC: H01L31/0296 ,  G01J1/02 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/02966 ,  H01L31/11

Abstract: PURPOSE: A structure of a two color infrared detector and a manufacturing method thereof are to change x value of Hg(1-x)Cd(x)Te layer consisting of a long wavelength(LW) photodiode and a middle wavelength(MW) photodiode, thereby constituting a device for detecting short wavelength infrared(SWIR) and middle wavelength infrared(MWIR) simultaneously. CONSTITUTION: The two color infrared detector comprises a semiconductor substrate, an N-HgCdTe layer(13), a p-HgCdTe layer(23) and an n-HgCdTe layer(33). The N-HgCdTe layer is formed on the semiconductor substrate and has a large energy band gap. The p-HgCdTe layer is formed on the N-HgCdTe layer and has a small energy band gap. Another n-HgCdTe layer is formed on the p-HgCdTe layer and is of small energy band gap. The semiconductor substrate comprise a CdZnTe layer. The N-HgCdTe layer is formed of N-Hg0.692Cd0.308Te layer or N-Hg0.636Cd0.364Te layer. The p-HgCdTe layer is formed of p-Hg0.78Cd0.22Te layer or p-Hg0.692Cd0.308Te layer.

Abstract translation: 目的：双色红外检测器的结构及其制造方法是改变由长波长（LW）光电二极管和中波长（MW）光电二极管组成的Hg（1-x）Cd（x）Te层的x值 从而构成同时检测短波长红外（SWIR）和中波长红外（MWIR）的装置。 构成：双色红外检测器包括半导体衬底，N-HgCdTe层（13），p-HgCdTe层（23）和n-HgCdTe层（33）。 N-HgCdTe层形成在半导体衬底上并且具有大的能带隙。 p-HgCdTe层形成在N-HgCdTe层上，具有小的能带隙。 在p-HgCdTe层上形成另一个n-HgCdTe层，其能带隙较小。 半导体衬底包括CdZnTe层。 N-HgCdTe层由N-Hg0.692Cd0.308Te层或N-Hg0.636Cd0.364Te层形成。 p-HgCdTe层由p-Hg0.78Cd0.22Te层或p-Hg0.692Cd0.308Te层形成。