公开(公告)号：KR101673454B1

公开(公告)日：2016-11-07

申请号：KR1020140123436

申请日：2014-09-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 석철균 ,  윤의준 ,  박용조 ,  김치연

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 본발명의일실시예에따른플라즈몬구조를이용한수광소자는, 반도체기판; 상기반도체기판의상단표면상에돌출되는특정패턴형태를갖는다수의수광부; 및상기다수의수광부사이에걸치며, 상기반도체기판의상단표면상에접촉배치되고, 상면에플라즈몬현상을유도하는나노패턴을갖는나노구조물;을포함하는것을특징으로할 수있다.

公开(公告)号：KR101712892B1

公开(公告)日：2017-03-07

申请号：KR1020150165786

申请日：2015-11-25

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 박세훈 ,  윤의준 ,  박용조 ,  김치연

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명의적외선감지소자는, N 타입반도체; 상기 N 타입반도체위에적층되어상기 N 타입반도체와 PN 접합구조를형성하는 P 타입반도체; 상기 PN 접합구조위에형성되는자연산화막; 및 16족원소와 12족원소의이성분계물질로형성되고, 상기자연산화막위에증착되는표면보호막을포함한다. 본발명의적외선감지소자의제조방법은, (a) N 타입반도체위에 P 타입반도체를성장시켜 PN 접합구조를형성하는단계; (b) 상기 PN 접합구조의표면에형성된자연산화막을식각에의해제거하는단계; 및 (c) 상기자연산화막의제거후 다시형성된자연산화막위에, 16족원소와 12족원소의이성분계물질로형성되는표면보호막을증착하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020160032845A

公开(公告)日：2016-03-25

申请号：KR1020140123436

申请日：2014-09-17

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 석철균 ,  윤의준 ,  박용조 ,  김치연

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04

Abstract: 본발명의일실시예에따른플라즈몬구조를이용한수광소자는, 반도체기판; 상기반도체기판의상단표면상에돌출되는특정패턴형태를갖는다수의수광부; 및상기다수의수광부사이에걸치며, 상기반도체기판의상단표면상에접촉배치되고, 상면에플라즈몬현상을유도하는나노패턴을갖는나노구조물;을포함하는것을특징으로할 수있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，使用等离子体激元结构的光接收元件包括：半导体衬底; 多个具有从半导体衬底的上表面突出的特定图案的光接收部分; 以及悬置在多个光接收部中并与半导体衬底的上表面接触并且在上表面上引起等离子体现象的纳米结构。