公开(公告)号：KR101731919B1

公开(公告)日：2017-05-02

申请号：KR1020150165339

申请日：2015-11-25

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 권호상 ,  권영우 ,  김완식 ,  이석철 ,  이상호 ,  정진호

IPC: H04B1/18 ,  H03D7/16

Abstract: 본명세서는고주파신호를수신하는듀얼채널수신장치및 이를구비하는위상배열안테나에관한것으로서, 보다구체적으로는종래기술의한계를해결하는것을과제로하여, 온도변화에따른성능의보상이이루어질수 있도록온도보상회로를포함하여, 온도보상회로를통해신호수신부의온도변화를보상함으로써, 신호수신및 증폭의성능, 안정성및 신뢰성이증대될수 있고, 물리적크기가축소되어제작및 설계가용이해짐은물론, 듀얼채널의각 채널간 격리도가확보될수 있는효과가있는듀얼채널수신기및 위상배열안테나를제공하고자한다.

Abstract translation: 本文涉及具有相同的相控阵天线，和一个双通道接收装置，用于接收一个高频信号，并且现有技术与零的极限更特别euroneun解决温度补偿，使得性能因温度变化补偿来实现 通过包含电路的温度补偿电路补偿信号接收单元的温度变化，可以提高信号接收和放大的稳定性和可靠性，减小物理尺寸，便于制作和设计， 提供了具有确保信道之间隔离度的效果的双通道接收器和相控阵天线。

公开(公告)号：KR101347149B1

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：KR1020120134248

申请日：2012-11-26

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 정명숙 ,  이진구 ,  고동식 ,  백태종 ,  이상진 ,  최석규 ,  한민 ,  김완식 ,  이기홍 ,  전성호 ,  이석철 ,  곽노성

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/30612 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: The present invention relates to an etching process for manufacturing Gunn diodes and, more specifically, to a processing method for manufacturing InP Gunn diodes using a dry and wet etching process. The present invention has the benefits of both a dry and a wet etching process by using a wet etching process for treating a surface with scum and a redeposited surface of a wafer, after using a dry etching process. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S300) InP wafer preparation; (S310) Dry etching; (S320) Wet etching

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造耿氏二极管的蚀刻工艺，更具体地说，涉及使用干法和湿蚀刻工艺制造InP耿氏二极管的处理方法。 在使用干蚀刻工艺之后，本发明通过使用湿蚀刻工艺用于处理具有浮渣和沉积的晶片表面的表面的干蚀刻和湿蚀刻工艺的优点。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S300）InP晶片制备; （S310）干蚀刻; （S320）湿式蚀刻