公开(公告)号：KR1019950015423A

公开(公告)日：1995-06-16

申请号：KR1019930024313

申请日：1993-11-16

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 강석중 ,  전재호 ,  유병두

IPC: H01G4/008

Abstract: 본 발명은 각종 전자제품의 수동소자로 사용되는 티탄산 스트론튬(SrTiO
3 )계 입 계 절연헝 커패시터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 SrTi0
3 를 주성분으로 하는 원료분말을 환원성 분위기중에서 소결하여 얻어진 소결체에 대해 액상의 산화물을 침투시켜 유전층을 헝성하기 전 단계에 산화성 분위기에서 열처리를 수행하는 것으로서, 이때의 열처리는 소결과 냉각이 완료된 소결체를 산화성 분위기에서 재가열하여 1200℃이상의 온도에서 열처리하거나, 또는 환원성 분위기에서 소결된 소결체의 냉각전에 1200℃이상의 온도에서 분위기를 산화성 분위기로 전환시켜 열처리하는 공정으로 이루어진다. 본 발명의 방법에 의해 제조된 커패시터는 종래의 커패시터에 비해 유전상수가 증가되고 유전손실이 감소된 양호한 유전 특성을 나타낸다.

公开(公告)号：KR100075664B1

公开(公告)日：1994-07-22

申请号：KR1019920009561

申请日：1992-06-02

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 김규영 ,  전재호 ,  이종수 ,  황운석 ,  손희식

IPC: C23C10/34

公开(公告)号：KR1019940000598A

公开(公告)日：1994-01-18

申请号：KR1019920009561

申请日：1992-06-02

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 김규영 ,  전재호 ,  이종수 ,  황운석 ,  손희식

IPC: C23C10/34

公开(公告)号：KR100116291B1

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：KR1019930024313

申请日：1993-11-16

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 강석중 ,  전재호 ,  유병두

IPC: H01G4/008

公开(公告)号：KR1019970003341B1

公开(公告)日：1997-03-17

申请号：KR1019930024313

申请日：1993-11-16

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 강석중 ,  전재호 ,  유병두

IPC: H01G4/008

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C04B35/47

Abstract: A method for fabricating SrTiO type critical insulating capacitor is disclosed. The method for fabricating SrTiO type critical insulating capacitor the steps of: a) sintering raw powder at an atmosphere of reduction to form a semicondutor sintering material, wherein the raw powder uses SrTiO3 as a main compound; b) performing a thermal process at an atmosphere of oxidation; c) coating a low melting point metal oxidized material on a surface of the sintering material; and d) penetrating a oxidized material on a sintering critical boundary by a thermal process to form a dielectric layer. Thereby, a dielectric constant is greatly increased and a dielectric loss is reduced, resulting in improving a characteristic of dielectric material..

Abstract translation: 公开了一种用于制造SrTiO型临界绝缘电容器的方法。 制造SrTiO型临界绝缘电容器的方法为：a）在还原气氛下烧结原粉，形成半导体烧结材料，其中原料粉末以SrTiO3为主要成分; b）在氧化气氛下进行热处理; c）在烧结材料的表面上涂覆低熔点金属氧化材料; 和d）通过热处理在烧结临界边界上穿透氧化材料以形成电介质层。 因此，介电常数大大增加，介电损耗降低，导致电介质材料的特性提高。

公开(公告)号：KR1019940002691B1

公开(公告)日：1994-03-30

申请号：KR1019920009561

申请日：1992-06-02

Applicant: 국방과학연구소

Inventor： 김규영 ,  전재호 ,  이종수 ,  황운석 ,  손희식

IPC: C23C10/34

Abstract: The duplex coating process comprises forming an aluminide layer on the surface of Ni-base superalloy by Al-diffusion method, and vapor-deposition yttrium on diffused aluminide layer under vacuum atmosphere by ion-plating method. The process increases corrosion resistance and heat resistance of Ni-base superalloy used as material for gas turbine engine blade.

Abstract translation: 双相涂布方法包括通过Al-扩散法在Ni基超级合金的表面上形成铝化物层，并通过离子镀法在真空气氛下在扩散的铝化物层上形成气相沉积钇。 该工艺提高了用作燃气轮机发动机叶片材料的Ni基超合金的耐腐蚀性和耐热性。