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公开(公告)号：WO2015083868A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/KR2013/011660
申请日：2013-12-16
Applicant: 단국대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/002 , H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/26
Abstract: 질화갈륨과 산화아연의 이종접합 구조를 가지는 발광 다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 질화갈륨의 성장 표면은 a면으로 배향되며, 질화갈륨과 접하는 산화아연은 수열합성법에 의해 형성된다. 수열합성법의 수행시 산화아연의 결정은 질화갈륨의 배향을 추종하여, 기판에 수직한 방향으로 a축이 배향된다. 따라서, 단일막질의 치밀한 산화아연층을 형성할 수 있으며, 이를 발광 다이오드의 n형 반도체로 이용할 수 있다. a면을 이용하는 발광 다이오드의 막질들의 형성을 통해 내부양자효율은 상승된다.
Abstract translation: 公开了具有氮化镓和氧化锌的异质结结构的发光二极管及其制造方法。 氮化镓的生长面取向为“a”面，通过水热合成形成与氮化镓接触的氧化锌。 当进行水热合成时，氧化锌晶体遵循氮化镓的取向，因此，“a”轴在垂直于基板的方向上取向。 因此，可以形成具有单一膜质量的致密氧化锌层，并且致密的氧化锌层可以用作发光二极管的n型半导体。 通过使用“a”面形成发光二极管的膜质量来提高内部量子效率。
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公开(公告)号：KR101439064B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020130148725
申请日：2013-12-02
Applicant: 단국대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/002 , H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/26
Abstract: The present invention discloses a light emitting diode having a heterojunction structure of gallium nitride and zinc oxide, and a manufacturing method thereof. A growth surface of gallium nitride is oriented in an ′a′ plane. Zinc oxide in contact with the gallium nitride is formed by hydrothermal synthesis. When hydrothermal synthesis is performed, crystals of zinc oxide follow an orientation of gallium nitride. An ′a′ axis is oriented in the direction perpendicular to a substrate. Therefore, a dense zinc oxide layer with a single film quality can be formed. The dense zinc oxide layer can be used as an n type semiconductor of a light emitting diode. Internal quantum efficiency is increased by forming film qualities of light emitting diodes using the ′a′ plane.
Abstract translation: 本发明公开了一种具有氮化镓和氧化锌的异质结结构的发光二极管及其制造方法。 氮化镓的生长表面定向在“a”平面中。 通过水热合成形成与氮化镓接触的氧化锌。 当进行水热合成时，氧化锌晶体遵循氮化镓的取向。 “a”轴在垂直于基底的方向上取向。 因此，可以形成具有单一膜质量的致密氧化锌层。 致密的氧化锌层可以用作发光二极管的n型半导体。 通过使用'a'面形成发光二极管的膜质量来提高内部量子效率。
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公开(公告)号：KR1020130142487A
公开(公告)日：2013-12-30
申请号：KR1020120065743
申请日：2012-06-19
Applicant: 단국대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: The present invention relates to a gas sensor including a metal nanonetwork layer. The gas sensor according to the present invention comprises: a substrate; a semiconductor layer formed on the substrate; a metal nanonetwork layer which is formed on a part of the semiconductor layer and changes the amount of electric charge in the semiconductor layer by reacting with a gas to be detected; a first electrode which is formed on the semiconductor layer on which the metal nanonetwork layer is not formed and separated from the metal nanonetwork layer; and a second gas sensor which is formed on the metal nanonetwork in order to come into contact with a part of the metal nanonetwork layer. The gas sensor according to the present invention uses the metal nanonetwork layer as a gas detecting substance, thereby having a wide area in which the gas sensor comes into contact with a gas to be detected. Therefore, the gas sensor according to the present invention can react with a larger amount of a gas at the same time and change in electrical conductivity increases, as a result, the sensitivity of the gas sensor can be improved.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括金属纳米网络层的气体传感器。 根据本发明的气体传感器包括：基板; 形成在所述基板上的半导体层; 金属纳米网层，其形成在所述半导体层的一部分上，并且通过与待检测的气体反应而改变所述半导体层中的电荷量; 形成在未形成金属纳米网层并与金属纳米网层分离的半导体层上的第一电极; 以及第二气体传感器，其形成在所述金属纳米网上以便与所述金属纳米网层的一部分接触。 根据本发明的气体传感器使用金属纳米网络层作为气体检测物质，从而具有气体传感器与被检测气体接触的广泛区域。 因此，根据本发明的气体传感器能够同时与较大量的气体反应，并且电导率的变化增加，结果可以提高气体传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：KR101424867B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020120065743
申请日：2012-06-19
Applicant: 단국대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명은 금속 나노네트워크층을 포함하는 가스 센서에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층 상의 일부에 형성되어, 검출 대상 가스와 반응함으로써 상기 반도체층의 전하량을 변화시키는 금속 나노네트워크층, 상기 금속 나노네트워크층이 형성된 부분을 제외한 상기 반도체층 상의 나머지 부분 상에 상기 금속 나노네트워크층과 이격되어 형성되는 제1 전극 및 상기 금속 나노네트워크층의 일부와 접촉되도록 상기 금속 나노네트워크층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 가스 센서를 제공한다. 본 발명의 가스 센서는 금속 나노네트워크층을 가스 감응체로 이용하고 있어, 가스 센서가 검출 대상 가스와 접촉하는 면적이 넓은 장점이 있다. 따라서, 본 발명의 가스 센서는 동시에 보다 많은 양의 가스와 반응할 수 있게 되고, 전기전도도의 변화가 커져서 결과적으로 향상된 가스 센싱 감도를 나타낸다.
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