-
公开(公告)号：WO2015083868A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：PCT/KR2013/011660
申请日：2013-12-16
Applicant: 단국대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/002 , H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/26
Abstract: 질화갈륨과 산화아연의 이종접합 구조를 가지는 발광 다이오드 및 이의 제조방법이 개시된다. 질화갈륨의 성장 표면은 a면으로 배향되며, 질화갈륨과 접하는 산화아연은 수열합성법에 의해 형성된다. 수열합성법의 수행시 산화아연의 결정은 질화갈륨의 배향을 추종하여, 기판에 수직한 방향으로 a축이 배향된다. 따라서, 단일막질의 치밀한 산화아연층을 형성할 수 있으며, 이를 발광 다이오드의 n형 반도체로 이용할 수 있다. a면을 이용하는 발광 다이오드의 막질들의 형성을 통해 내부양자효율은 상승된다.
Abstract translation: 公开了具有氮化镓和氧化锌的异质结结构的发光二极管及其制造方法。 氮化镓的生长面取向为“a”面，通过水热合成形成与氮化镓接触的氧化锌。 当进行水热合成时，氧化锌晶体遵循氮化镓的取向，因此，“a”轴在垂直于基板的方向上取向。 因此，可以形成具有单一膜质量的致密氧化锌层，并且致密的氧化锌层可以用作发光二极管的n型半导体。 通过使用“a”面形成发光二极管的膜质量来提高内部量子效率。
-
公开(公告)号：KR101888742B1
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：KR1020160076978
申请日：2016-06-21
Applicant: 단국대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , H01L21/306
Abstract: 극성질화갈륨층에광화학식각을수행하여비극성또는반극성평면이노출된질화갈륨층을형성된질화갈륨기반의수소센서및 이의제조방법이제공된다. 질화갈륨층에광화학식각을통해서형성된거친표면은수소가스의폭넓은활성영역을제공하고이를통해수소센서의감도를향상시킬수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020160013510A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：KR1020150104440
申请日：2015-07-23
Applicant: 단국대학교 산학협력단
Abstract: 자가발광섬유및 이의제조방법이개시된다. 응력의인가에의해자가발광섬유는활성화된발광입자에의해형광동작또는인광동작을수행한다. 응력이제거되는경우, 자가발광섬유의발광동작은중지된다. 자가발광섬유의제조를위해마스터배치의제조시, 발광물질이투입된다. 따라서, 원사구조내부에발광입자가일체화된형태로나타난다.
Abstract translation: 公开了自发光纤维及其制造方法。 本发明提供当应力施加于其上时发光的自发光纤维。 自发光纤维在施加应力时，通过活化的发光粒子进行荧光操作或磷光操作。 当从自发光纤维去除应力时，停止自发光纤维的发光操作。 当制造母料以制造自发光纤时，插入发光材料。 因此，将发光粒子整合为原纱结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101424867B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020120065743
申请日：2012-06-19
Applicant: 단국대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: 본 발명은 금속 나노네트워크층을 포함하는 가스 센서에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 반도체층, 상기 반도체층 상의 일부에 형성되어, 검출 대상 가스와 반응함으로써 상기 반도체층의 전하량을 변화시키는 금속 나노네트워크층, 상기 금속 나노네트워크층이 형성된 부분을 제외한 상기 반도체층 상의 나머지 부분 상에 상기 금속 나노네트워크층과 이격되어 형성되는 제1 전극 및 상기 금속 나노네트워크층의 일부와 접촉되도록 상기 금속 나노네트워크층 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 가스 센서를 제공한다. 본 발명의 가스 센서는 금속 나노네트워크층을 가스 감응체로 이용하고 있어, 가스 센서가 검출 대상 가스와 접촉하는 면적이 넓은 장점이 있다. 따라서, 본 발명의 가스 센서는 동시에 보다 많은 양의 가스와 반응할 수 있게 되고, 전기전도도의 변화가 커져서 결과적으로 향상된 가스 센싱 감도를 나타낸다.
-
公开(公告)号：KR101439064B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020130148725
申请日：2013-12-02
Applicant: 단국대학교 산학협력단
CPC classification number: H01L33/002 , H01L33/005 , H01L33/16 , H01L33/26
Abstract: The present invention discloses a light emitting diode having a heterojunction structure of gallium nitride and zinc oxide, and a manufacturing method thereof. A growth surface of gallium nitride is oriented in an ′a′ plane. Zinc oxide in contact with the gallium nitride is formed by hydrothermal synthesis. When hydrothermal synthesis is performed, crystals of zinc oxide follow an orientation of gallium nitride. An ′a′ axis is oriented in the direction perpendicular to a substrate. Therefore, a dense zinc oxide layer with a single film quality can be formed. The dense zinc oxide layer can be used as an n type semiconductor of a light emitting diode. Internal quantum efficiency is increased by forming film qualities of light emitting diodes using the ′a′ plane.
Abstract translation: 本发明公开了一种具有氮化镓和氧化锌的异质结结构的发光二极管及其制造方法。 氮化镓的生长表面定向在“a”平面中。 通过水热合成形成与氮化镓接触的氧化锌。 当进行水热合成时，氧化锌晶体遵循氮化镓的取向。 “a”轴在垂直于基底的方向上取向。 因此，可以形成具有单一膜质量的致密氧化锌层。 致密的氧化锌层可以用作发光二极管的n型半导体。 通过使用'a'面形成发光二极管的膜质量来提高内部量子效率。
-
公开(公告)号：KR1020130142487A
公开(公告)日：2013-12-30
申请号：KR1020120065743
申请日：2012-06-19
Applicant: 단국대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12
Abstract: The present invention relates to a gas sensor including a metal nanonetwork layer. The gas sensor according to the present invention comprises: a substrate; a semiconductor layer formed on the substrate; a metal nanonetwork layer which is formed on a part of the semiconductor layer and changes the amount of electric charge in the semiconductor layer by reacting with a gas to be detected; a first electrode which is formed on the semiconductor layer on which the metal nanonetwork layer is not formed and separated from the metal nanonetwork layer; and a second gas sensor which is formed on the metal nanonetwork in order to come into contact with a part of the metal nanonetwork layer. The gas sensor according to the present invention uses the metal nanonetwork layer as a gas detecting substance, thereby having a wide area in which the gas sensor comes into contact with a gas to be detected. Therefore, the gas sensor according to the present invention can react with a larger amount of a gas at the same time and change in electrical conductivity increases, as a result, the sensitivity of the gas sensor can be improved.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括金属纳米网络层的气体传感器。 根据本发明的气体传感器包括：基板; 形成在所述基板上的半导体层; 金属纳米网层，其形成在所述半导体层的一部分上，并且通过与待检测的气体反应而改变所述半导体层中的电荷量; 形成在未形成金属纳米网层并与金属纳米网层分离的半导体层上的第一电极; 以及第二气体传感器，其形成在所述金属纳米网上以便与所述金属纳米网层的一部分接触。 根据本发明的气体传感器使用金属纳米网络层作为气体检测物质，从而具有气体传感器与被检测气体接触的广泛区域。 因此，根据本发明的气体传感器能够同时与较大量的气体反应，并且电导率的变化增加，结果可以提高气体传感器的灵敏度。
-
公开(公告)号：KR101303988B1
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020120046495
申请日：2012-05-02
Applicant: 단국대학교 산학협력단
IPC: B82B3/00 , B22F9/02 , H01L31/042 , G02B5/20
CPC classification number: Y02E10/50 , B82B3/00 , B22F9/02 , G02B5/20 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a metal nanostructure is provided to pattern a metal layer by using a zinc oxide nanorod pattern, thereby forming a metal nanostructure with a large area through a simplified process regardless of a kind of a substrate. CONSTITUTION: A manufacturing method for a metal nanostructure comprises following steps. A pattern of metal oxide nanorods (200) is formed on a substrate (100). A sacrifice layer (300) is formed on the surface of the exposed substrate by the pattern of nanorods. The sacrifice layer is left by removing the pattern of nanorods, and a part surface of the substrate is exposed. A metal layer (400) is deposited on the surface of the exposed substrate and the top of the sacrifice layer by forming the metal layer on the substrate in which the pattern of the nanorods is removed. And the only metal layer formed on the substrate is left by removing the sacrifice layer in which the metal layer is deposited. The sacrificial layer is photoresist. The metal layer comprises one or more alloys selected from a group consisting of platinum (Pt), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), tin (Sn) and aluminum (Al).
Abstract translation: 目的：提供一种用于金属纳米结构的制造方法，通过使用氧化锌纳米棒图案对金属层进行图案化，从而通过简化的工艺形成具有大面积的金属纳米结构，而与基板的种类无关。 构成：金属纳米结构的制造方法包括以下步骤。 在基板（100）上形成金属氧化物纳米棒（200）的图案。 牺牲层（300）通过纳米棒的图案形成在暴露的衬底的表面上。 通过去除纳米棒的图案留下牺牲层，并且暴露基底的部分表面。 通过在去除了纳米棒的图案的衬底上形成金属层，将金属层（400）沉积在暴露的衬底的表面上和牺牲层的顶部。 并且通过去除其中沉积金属层的牺牲层而留下在基板上形成的唯一金属层。 牺牲层是光致抗蚀剂。 该金属层包括一种或多种选自铂（Pt），铁（Fe），钴（Co），镍（Ni），钌（Ru），铑（Rh），钯（Pd），锇 （Os），铱（Ir），铜（Cu），银（Ag），金（Au），锡（Sn）和铝（Al）。
-
公开(公告)号：KR1020170143162A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020160076978
申请日：2016-06-21
Applicant: 단국대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , H01L21/306
Abstract: 극성질화갈륨층에광화학식각을수행하여비극성또는반극성평면이노출된질화갈륨층을형성된질화갈륨기반의수소센서및 이의제조방법이제공된다. 질화갈륨층에광화학식각을통해서형성된거친표면은수소가스의폭넓은활성영역을제공하고이를통해수소센서의감도를향상시킬수 있다.
Abstract translation: 光化学蚀刻在极性非极性或半极性面GaN层进行形成，提供了基于GaN的氢传感器和它们的制备方法的暴露GaN层。 粗糙表面通过光化学蚀刻上述氮化镓层可以sikilsu提供广泛的氢气的有源区，并通过它来提高氢传感器的灵敏度形成。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.021 seconds)
