公开(公告)号：KR1019970062686A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004671

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 박이순 ,  허영준 ,  손병기

IPC: G01N27/414

Abstract: 본 발명은 이온센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트렌지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질이 포함된 친수성 고분자감지막(12)을 형성시킨 이중막 구조를 갖도록 한 구성으로, 낮은 감도 및 수용액내에 측정대상 이온만큼 존재하는 수소이온에 대한 감응을 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서(pH-ISFET)바탕소자 위에 친유성의 고분자로 절연 방수막을 형성하여 방지하였을 뿐만 아니라 친수성인 고분자를 외부의 감지막으로 사용함으로서 수용액인 피측정액의 확산 속도를 증가시켜 감응시간을 단축함과 더불어 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있는 전계효과 트랜지스터 pH 서를 이용한 이온센서 및 그 제조방법이다.

公开(公告)号：KR100217882B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019970003543

申请日：1997-02-05

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기 ,  박이순 ,  김상태

IPC: G01N27/28

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정을 통하여 제조되는 전계효과 트랜지스터 pH센서에 관한 것으로, 특히 pH센서를 이용하여 수용액이나 혈액중의 용존 이산화탄소 분압을 측정하기 위한 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 특징은 실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘층(4), 질화실리콘 pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8)및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 센서에서 광 중합형 감광성 고분자를 사용하여 수화젤막과 기체투과막을 형성할 때, 감광용액에 산소감쇄제를 넣어줌으로써 산소에 의한 중합금지 작용을 방지시켜 이들이 이중막 구조를 갖도록 하고, 상기 수화젤막은 친수성이 큰 아크릴아미드와 패턴형성 특성이 우수한 하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)을 동시에 사용하여 형성한다는데 있다. 본 발명에 의해 제조되는 이산화탄소 분압센서는 기존의 마일러 필름의 사용으로 인한 감지막에의 핀홀 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제를 해결할 수 있고 또한 감지막의 두께 조절도 용이한 장점이 있게 된다.

公开(公告)号：KR100163405B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019960004671

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 박이순 ,  허영준 ,  손병기

IPC: G01N27/414

Abstract: 본 발명은 이온센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트랜지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질을 포함한 친수성 고분자 감지막(12)을 형성시켜 이중막 구조를 갖도록 한 구성으로, 낮은 감도 및 수용액 내에 측정대상 이온만큼 존재하는 수소이온에 대한 감응을 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서(pH-ISFET)바탕소자 위에 친유성의 고분자로 절연 방수막을 형성하여 방지하였을 뿐만 아니라 친수성인 고분자를 외부의 감지막으로 사용함으로서 수용액인 피측정액의 확산속도를 증가시켜 감응시간을 단축함과 더불어 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있는 감이온 전계효과 트랜� �스터 pH센서를 이용한 이온센서 및 그 제조방법이다.

公开(公告)号：KR1019980067489A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970003543

申请日：1997-02-05

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기 ,  박이순 ,  김상태

IPC: G01N27/28

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정을 통하여 제조되는 전계효과 트랜지스터 pH센서에 관한 것으로, 특히 pH센서를 이용하여 수용액이나 혈액중의 용존 이산화탄소 분압을 측정하기 위한 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘층(4), 질화실리콘 pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8) 및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 센서에서 광 중합형 감광성 고분자를 사용하여 수화젤막과 기체투과막을 형성할 때, 감광용액에 산소감쇄제를 넣어줌으로써 산소에 의한 중합금지 작용을 방지시켜 이들이 이중막 구조를 갖도록 하고, 상기 수화젤막은 친수성이 큰 아크릴아미드와 패턴형성특성이 우수한 하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)을 동시에 사용하여 형성한다는데 있다.
본 발명에 의해 제조되는 이산화탄소 분압센서는 기존의 마일러 필름의 사용으로 인한 감지막에의 핀홀 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제를 해결할 수 있고 또한 감지막의 두께 조절도 용이한 장점이 있게 된다.