公开(公告)号：KR1019970062686A

公开(公告)日：1997-09-12

申请号：KR1019960004671

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 박이순 ,  허영준 ,  손병기

IPC: G01N27/414

Abstract: 본 발명은 이온센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트렌지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질이 포함된 친수성 고분자감지막(12)을 형성시킨 이중막 구조를 갖도록 한 구성으로, 낮은 감도 및 수용액내에 측정대상 이온만큼 존재하는 수소이온에 대한 감응을 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서(pH-ISFET)바탕소자 위에 친유성의 고분자로 절연 방수막을 형성하여 방지하였을 뿐만 아니라 친수성인 고분자를 외부의 감지막으로 사용함으로서 수용액인 피측정액의 확산 속도를 증가시켜 감응시간을 단축함과 더불어 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있는 전계효과 트랜지스터 pH 서를 이용한 이온센서 및 그 제조방법이다.

公开(公告)号：KR100163405B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019960004671

申请日：1996-02-26

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 박이순 ,  허영준 ,  손병기

IPC: G01N27/414

Abstract: 본 발명은 이온센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘기판(1)과 소스(2), 드레인(3), 실리콘산화막(4), 실리콘질화막(5), 알루미늄금속전극(6) 및 이온감지막(7)으로 구성된 전계효과 트랜지스터형 이온센서에 있어서, 이온감지막(7)이 친유성 고분자박막(11) 위에 감지물질을 포함한 친수성 고분자 감지막(12)을 형성시켜 이중막 구조를 갖도록 한 구성으로, 낮은 감도 및 수용액 내에 측정대상 이온만큼 존재하는 수소이온에 대한 감응을 감이온 전계효과 트랜지스터 pH센서(pH-ISFET)바탕소자 위에 친유성의 고분자로 절연 방수막을 형성하여 방지하였을 뿐만 아니라 친수성인 고분자를 외부의 감지막으로 사용함으로서 수용액인 피측정액의 확산속도를 증가시켜 감응시간을 단축함과 더불어 감도를 향상시킬 수 있는 장점이 있는 감이온 전계효과 트랜� �스터 pH센서를 이용한 이온센서 및 그 제조방법이다.