公开(公告)号：KR1020170088301A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：KR1020170008862

申请日：2017-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가메이유야

IPC: G03F7/30 ,  G03F7/20 ,  G03F7/34 ,  G03F7/32

Abstract: 베벨부가형성된웨이퍼의주연부의노광을행한후, 현상하는데 있어서, 베벨부에형성된레지스트막을확실하게제거하는기술을제공하는것. 웨이퍼(W)의주연부의노광처리가행해진웨이퍼(W)에현상액(D)을공급하는데 있어서, 먼저웨이퍼(W)를연직축주위로회전시키면서, 주연측노즐(6a)로부터웨이퍼(W)의베벨부를향해현상액(D)을토출한다. 이어서웨이퍼(W)에중심측노즐(5)로부터현상액을공급하고, 다시웨이퍼(W)를회전시켜표면의현상액(D)을떨쳐낸다. 그후, 다시웨이퍼(W)를연직축주위로회전시키면서, 주연측노즐(6a)로부터웨이퍼(W)의베벨부를향해현상액(D)을토출한다. 그후 웨이퍼(W)의표면에용해된레지스트막을제거하는순수(P)를공급한다.

Abstract translation: 提供了一种技术，用于在对具有斜面部分的晶片的外围进行曝光之后可靠地去除在曝光中形成在斜面部分上的抗蚀剂膜。 根据供应显影剂（d）到边缘的晶片（W）是由晶片义州的（W）曝光处理中，首先在旋转的同时围绕垂直轴的晶片（W），从（6a）的锥侧喷嘴晶片（W）的周缘 显影液D朝向部件排出。 随后，从中心侧喷嘴5向晶片W供应显影剂，然后旋转晶片W以抖掉表面上的显影剂D. 之后，一边使晶片W绕垂直轴旋转，一边从周边喷嘴6a向晶片W的斜面部分排出显影剂D. 之后，供给用于除去溶解在晶片W表面的抗蚀膜的纯水P.

公开(公告)号：KR1020160023562A

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：KR1020150114599

申请日：2015-08-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에무라료이치 ,  우치다준이치 ,  가메이유야

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 기판의열처리온도에따라기대되는소수화도를기판에대하여충분히안정적으로부여할수 있는소수화처리방법, 수소화처리장치및 기록매체를제공한다. 본발명에따른소수화처리방법은, 기판의표면을소수화하기위한것이며, (A) 기판의표면에소수화를위한처리가스를공급하는공정과, (B) 처리가스를포함하는분위기에기판의표면을정해진시간에걸쳐노출하는공정과, (C) 상기 (B) 공정후, 처리가스의존재하에, 기판을가열하는공정을구비한다.

Abstract translation: 本发明提供一种氢化处理方法，氢化处理装置和记录介质，其能够根据基板的热处理温度将预期的氢化度稳定地完全赋予基板。 氢化处理方法用于氢化基材的表面。 为此，氢化处理方法包括以下工序：（A）在基板的表面供给氢化处理气体; （B）在预定的时间段内将基板的表面暴露于包括处理气体的气氛中; 和（C）在工序（B）之后，在工艺气体的存在下加热基板。