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公开(公告)号：KR1020010092282A
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1020010012839
申请日：2001-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to be capable of controlling the line width of a resist pattern with high precision. CONSTITUTION: A substrate processing method for forming a resist film on a wafer with a base film being formed, and performing an exposure processing and a developing processing for the resist film to thereby form a desired resist pattern, has a base reflected light analyzing step of radiating a light of the same wavelength as an exposure light radiated during the exposure processing to the base film and analyzing a reflected light, before forming the resist film, and a processing condition control step of controlling at least one of a resist film forming condition and an exposure processing condition, based on the analysis of the reflected light. The method makes it possible to control a line width of a resist pattern with high precision.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和基板处理装置，以能够高精度地控制抗蚀剂图案的线宽度。 构成：在形成基膜的晶片上形成抗蚀剂膜的基板处理方法，对抗蚀剂膜进行曝光处理和显影处理，从而形成所需的抗蚀剂图案，具有基底反射光分析步骤 在形成抗蚀剂膜之前，将与曝光处理期间的照射光相同的波长的光照射到基膜上，并分析反射光;以及处理条件控制步骤，控制抗蚀剂膜形成条件和 曝光处理条件，基于对反射光的分析。 该方法可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。
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公开(公告)号：KR101072330B1
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：KR1020087004066
申请日：2006-09-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 패턴형성장치(1)는레지스트액도포처리후의기판(W)을가열처리하는제1 가열처리와, 레지스트막을소정의패턴으로노광하는노광처리와, 노광후에레지스트막내의화학반응을촉진시키는제2 가열처리와, 노광된레지스트막을현상하는현상처리와, 현상처리후에형성된레지스트패턴을마스크로하여산화막을제거하는에칭처리를일련의처리로서실행하는것으로서, 에칭처리후에형성된패턴의상태를측정검사하는검사장치(400)와, 검사결과에기초하여에칭처리후의기판(W)의패턴의상태가기판면내에서균일하게되도록, 제1 가열처리와제2 가열처리중 어느하나이상에서의조건설정을행하는제어부(500)를구비한다.
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3.发明授权기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 프로그램 및 그 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 有权基板处理设备，基板处理方法，基板处理程序以及使用此程序记录的计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101072282B1
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：KR1020087003969
申请日：2006-09-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67225 , G03F7/168 , G03F7/3071 , G03F7/40 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 패턴형성장치(1)는현상처리후에기판(W)에형성된레지스트패턴의상태를측정검사하여제1 검사결과를출력하고, 에칭처리후에기판(W)에형성된패턴의상태를측정검사하여제2 검사결과를출력하는검사장치(400)와, 상기제1 검사결과와상기제2 검사결과로부터구한상관식을기록한기억수단(502)과, 상기상관식에기초하여상기에칭처리후의패턴상태의목표값으로부터상기현상처리후의패턴상태의목표값을구하고, 상기현상처리후의패턴상태의목표값과상기제1 검사결과의차분에기초하여상기제1 가열처리및/또는상기제2 가열처리에있어서의조건설정을행하는제어부(500)를구비한다.
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公开(公告)号：KR100811964B1
公开(公告)日：2008-03-10
申请号：KR1020010059540
申请日：2001-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253 , G03F7/162 , G03F7/3021 , H01L21/6715
Abstract: 도포유닛과 현상유닛을 구비한 도포/현상장치에 노광장치를 접속하고 이들의 처리를 제어하는 제어부를 갖춘 레지스트 패턴 형성장치에 있어서, 레지스트 도포전의 바탕막의 반사율, 레지스트 도포후의 레지스트 막두께, 현상후의 현상선폭, 바탕막과 레지스트 패턴의 얼라인먼트 상태, 현상결함 등을 검사부 등으로 측정한다. 이 측정 데이터를 제어부에 송신하고, 제어부에서는 레지스트 막두께나 현상선폭 등 각 측정항목의 측정 데이터에 의거하여 측정 데이터에 대응하는 보정 파라미터가 선택되어 당해 보정 파라미터의 보정이 이루어진다. 이 때문에 보정작업이 용이하게 되고 오퍼레이터의 부담이 경감되는 동시에 적절한 보정을 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100797721B1
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：KR1020010067417
申请日：2001-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: 도포 유닛에 있어서 도포액의 종류는 같지만 목표 막두께가 다른 생산라인용 레시피와 막두께 측정용 레시피를 복수 준비하고, 이들 중 도포액의 종류 및 목표 막두께가 대응하는 것에 관하여 공통의 스핀커브에 링크시킨다. 그리고 막두께 측정용 레시피를 실행하여 막두께 측정 데이터마다 회전수의 보정치를 산출한다. 각 레시피의 회전수 설정치는 이 보정치를 사용함으로써 일괄하여 보정할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100886553B1
公开(公告)日：2009-03-02
申请号：KR1020047007208
申请日：2002-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F7/70491 , G01N21/95607 , G03F7/70625 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 기판의 바탕막을 형성할 때에 예를 들면 웨이퍼의 스크라이브라인 상에 미리 각형의 제 1 검사패턴을 작성해 두고, 레지스트패턴을 작성할 때에 위에서 본 상태에서 제 1 검사패턴에 대하여 일직선이 되도록 제 2 검사패턴을 작성해 둔다. 제 1, 제 2 검사패턴을 포함한 영역에 빛을 조사하여, 반사한 회절광에 기초하여 스펙트럼을 작성하면, 그 중에는 제 2 검사패턴의 선폭과, 양 검사패턴의 피치와의 정보가 포함된다. 그래서 미리 여러가지 검사패턴에 기초한 스펙트럼군을 시뮬레이션으로 작성하여, 실제의 스펙트럼과 비교함으로써, 가장 근사한 스펙트럼을 선택하여, 상기 선폭과 피치를 추정하여 레지스트패턴을 평가한다.
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公开(公告)号：KR100645166B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020010012839
申请日：2001-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 바탕막이 형성된 웨이퍼상에 레지스트막을 형성하고, 해당 레지스트막에 대하여 노광처리 및 현상처리를 실시함으로써 원하는 레지스트 패턴을 형성하는 기판 처리방법에 있어서, 레지스트막의 형성전에 바탕막에 대하여 노광 처리시에 조사하는 노광광과 동일한 파장의 빛을 조사하여 그 반사광을 해석하는 바탕막 반사광 해석공정과, 이 반사광의 해석에 의거하여 레지스트막 형성조건, 노광처리 조건 중에서 적어도 하나를 제어하는 처리조건 제어공정을 구비한다. 이에 따라 레지스트 패턴의 고정밀도의 선폭 제어가 가능해진다.
Abstract translation: 膜在薄膜上形成抗蚀剂所形成的晶片，在通过进行曝光处理，并在抗蚀剂膜上的显影处理形成所需抗蚀剂图案的基板处理方法，在抗蚀剂膜形成之前在曝光处理时检查的基础膜 照射相同波长的具有控制的抗蚀剂膜形成条件中的至少一个，所述基础膜的基础上的曝光处理条件的处理条件控制步骤中的曝光光的光的反射光的分析过程，用于分析所述反射光，反射光的分析 。 由此，可以高精度地控制抗蚀剂图案的线宽。
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公开(公告)号：KR1020050044426A
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：KR1020047007208
申请日：2002-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G03F7/70491 , G01N21/95607 , G03F7/70625 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A square first inspection pattern is formed in advance on, e.g. a wafer's scribe line when the base film of a substrate is formed, and a second inspection pattern is formed so as to be aligned with the first inspection pattern when viewed from the above when a resist pattern is formed. When light is applied to an area including the first and second inspection patterns and spectrum is formed based on the reflected diffraction light, it includes therein information on the line width of the second inspection pattern and the pitches of the both inspection patterns. When a spectrum group based on various inspection patterns are formed by simulation for comparing with an actual spectrum, the most approximating spectrum is selected to estimate the above line width and the pitches, thereby evaluating a resist pattern.
Abstract translation: 例如，预先形成正方形的第一检查图案。 当形成基板的基膜时形成晶片的划线，并且当形成抗蚀剂图案时，形成第二检查图案以便与上述一样从第一检查图案对准。 当将光施加到包括第一和第二检查图案的区域并且基于反射的衍射光形成光谱时，其中包括关于第二检查图案的线宽度和两个检查图案的间距的信息。 当通过仿真形成基于各种检查图案的光谱组以与实际光谱进行比较时，选择最近似的光谱来估计上述线宽和间距，由此评估抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020020035439A
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：KR1020010067417
申请日：2001-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67253
Abstract: PURPOSE: To reduce labor necessary for setting or for re-setting or correcting the number of rotation of a substrate and improve throughput by automating the above works, when coating film is formed by using spin coating method. CONSTITUTION: In a coating unit, a plurality of recipes for a production line and recipes for measuring film thickness where the kind of coating liquid is identical but target film thickness is different are prepared. Among the recipes, recipes with the kind of coating liquid and the target film thickness corresponding to each other are linked by a common spin curve. A recipe for measuring film thickness is performed, and a correction value of the number of rotation is calculated for each film thickness measuring datum. Setting values for the number of rotation of the respective recipes can be corrected collectively, by using the correction value.
Abstract translation: 目的：通过使用旋涂法形成涂膜，减少设定或重新设定或校正基板旋转数量所需的劳动力，并通过自动化以上工作提高生产率。 构成：在涂布单元中，制备多个用于生产线的配方和用于测量涂层液体的种类相同但靶膜厚度不同的膜厚度的配方。 在配方中，具有涂布液的种类和彼此对应的目标膜厚度的配方通过共同的自旋曲线连接。 执行用于测量膜厚度的配方，并且对于每个膜厚测量基准计算旋转次数的校正值。 可以通过使用校正值来集中地校正各配方的旋转次数的设定值。
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公开(公告)号：KR1020160023562A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020150114599
申请日：2015-08-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 기판의열처리온도에따라기대되는소수화도를기판에대하여충분히안정적으로부여할수 있는소수화처리방법, 수소화처리장치및 기록매체를제공한다. 본발명에따른소수화처리방법은, 기판의표면을소수화하기위한것이며, (A) 기판의표면에소수화를위한처리가스를공급하는공정과, (B) 처리가스를포함하는분위기에기판의표면을정해진시간에걸쳐노출하는공정과, (C) 상기 (B) 공정후, 처리가스의존재하에, 기판을가열하는공정을구비한다.
Abstract translation: 本发明提供一种氢化处理方法，氢化处理装置和记录介质，其能够根据基板的热处理温度将预期的氢化度稳定地完全赋予基板。 氢化处理方法用于氢化基材的表面。 为此，氢化处理方法包括以下工序：（A）在基板的表面供给氢化处理气体; （B）在预定的时间段内将基板的表面暴露于包括处理气体的气氛中; 和（C）在工序（B）之后，在工艺气体的存在下加热基板。
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