公开(公告)号：KR1020120035927A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：KR1020127002393

申请日：2010-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까무라히데오 ,  가베요시로오 ,  이사가즈히로 ,  기따가와쥰이찌

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/4234

Abstract: 표면에 실리콘과 메탈 재료가 노출된 피처리체에 대해, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 수소 가스와 산소 함유 가스의 플라즈마를 작용시켜, 이 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 방법이 개시된다. 이 선택 산화 처리 방법은, 제1 공급 경로를 거치는 제1 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 수소 가스 공급원으로부터의 상기 수소 가스를 공급 개시한 시점 이후, 상기 플라즈마를 착화하는 것보다도 이전에, 상기 제1 공급 경로와는 다른 제2 공급 경로를 거치는 제2 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 산소 함유 가스 공급원으로부터의 상기 산소 함유 가스를 공급 개시하는 가스 도입 공정과, 상기 처리 용기 내에서 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 착화하는 플라즈마 착화 공정과, 상기 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 공정을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020110055707A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007367

申请日：2009-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로오 ,  나까무라히데오 ,  기따가와쥰이찌

IPC: H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 실리콘 산화막 형성 방법은 피처리체(W)의 표면에 노출된 실리콘 상에 실리콘 산화막을 형성한다. 이 방법은 처리 용기(1) 내의 적재대(2) 상에 피처리체를 적재하는 공정과, 처리 용기 내에 산소를 함유하는 처리 가스를 공급하여 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과, 적재대에 고주파 전력을 공급하여 피처리체에 바이어스를 인가하는 공정과, 바이어스를 인가한 피처리체에 플라즈마를 작용시키고 실리콘을 산화하여 실리콘 산화막을 형성하는 공정을 구비한다. 처리 가스 중의 산소의 비율은 0.1％ 이상 10％ 이하의 범위 내로 설정된다. 실리콘 산화막을 형성하는 공정에 있어서, 처리 용기 내의 압력은 1.3㎩ 이상 266.6㎩ 이하의 범위 내로 설정된다. 고주파 전력은 피처리체의 면적당 0.14W/㎠ 이상 2.13W/㎠ 이하의 범위 내의 출력으로 설정된다.

公开(公告)号：KR101361318B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020127002393

申请日：2010-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까무라히데오 ,  가베요시로오 ,  이사가즈히로 ,  기따가와쥰이찌

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833

Abstract: 표면에 실리콘과 메탈 재료가 노출된 피처리체에 대해, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 수소 가스와 산소 함유 가스의 플라즈마를 작용시켜, 이 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 방법이 개시된다. 이 선택 산화 처리 방법은, 제1 공급 경로를 거치는 제1 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 수소 가스 공급원으로부터의 상기 수소 가스를 공급 개시한 시점 이후, 상기 플라즈마를 착화하는 것보다도 이전에, 상기 제1 공급 경로와는 다른 제2 공급 경로를 거치는 제2 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 산소 함유 가스 공급원으로부터의 상기 산소 함유 가스를 공급 개시하는 가스 도입 공정과, 상기 처리 용기 내에서 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 착화하는 플라즈마 착화 공정과, 상기 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 공정을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR101255905B1

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：KR1020117007367

申请日：2009-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가베요시로오 ,  나까무라히데오 ,  기따가와쥰이찌

IPC: H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 실리콘 산화막 형성 방법은 피처리체(W)의 표면에 노출된 실리콘 상에 실리콘 산화막을 형성한다. 이 방법은 처리 용기(1) 내의 적재대(2) 상에 피처리체를 적재하는 공정과, 처리 용기 내에 산소를 함유하는 처리 가스를 공급하여 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과, 적재대에 고주파 전력을 공급하여 피처리체에 바이어스를 인가하는 공정과, 바이어스를 인가한 피처리체에 플라즈마를 작용시키고 실리콘을 산화하여 실리콘 산화막을 형성하는 공정을 구비한다. 처리 가스 중의 산소의 비율은 0.1％ 이상 10％ 이하의 범위 내로 설정된다. 실리콘 산화막을 형성하는 공정에 있어서, 처리 용기 내의 압력은 1.3㎩ 이상 266.6㎩ 이하의 범위 내로 설정된다. 고주파 전력은 피처리체의 면적당 0.14W/㎠ 이상 2.13W/㎠ 이하의 범위 내의 출력으로 설정된다.