公开(公告)号：KR1020060061843A

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020067003433

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。

公开(公告)号：KR100893955B1

公开(公告)日：2009-04-20

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.

公开(公告)号：KR101361318B1

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：KR1020127002393

申请日：2010-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까무라히데오 ,  가베요시로오 ,  이사가즈히로 ,  기따가와쥰이찌

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833

Abstract: 표면에 실리콘과 메탈 재료가 노출된 피처리체에 대해, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 수소 가스와 산소 함유 가스의 플라즈마를 작용시켜, 이 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 방법이 개시된다. 이 선택 산화 처리 방법은, 제1 공급 경로를 거치는 제1 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 수소 가스 공급원으로부터의 상기 수소 가스를 공급 개시한 시점 이후, 상기 플라즈마를 착화하는 것보다도 이전에, 상기 제1 공급 경로와는 다른 제2 공급 경로를 거치는 제2 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 산소 함유 가스 공급원으로부터의 상기 산소 함유 가스를 공급 개시하는 가스 도입 공정과, 상기 처리 용기 내에서 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 착화하는 플라즈마 착화 공정과, 상기 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 공정을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR100830749B1

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：KR1020067003433

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: 텅스텐계막을 포함하는 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리실을 클리닝함에 있어서, 플라즈마 처리후, 대기 개방하지 않고, 처리실내에 O
2 를 포함하는 가스를 도입하고, 이 가스의 플라즈마를 형성하여 처리실을 클리닝한다.

公开(公告)号：KR101258005B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020117007322

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마시타준 ,  이사가즈히로 ,  나카무라히데오 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32192

Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 전극으로서의 탑재대(5)에 대해 대향전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막(48), 바람직하게는 Y2O3막(48)이 코팅되어 있다. 처리용기(1)의 하측 부분을 이루는 제 1 부분(2)과 처리 용기(1)의 상측 부분을 이루는 제 2 부분(3)에는 절연성의 상부 라이너(49a)와, 더욱 두툼하게 형성된 절연성의 하부 라이너(49b)가 마련되어 있다. 바람직하지 않은 단락 및 이상 방전이 방지되고, 안정된 고주파 전류 경로가 형성된다.

公开(公告)号：KR1020120035927A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：KR1020127002393

申请日：2010-07-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나까무라히데오 ,  가베요시로오 ,  이사가즈히로 ,  기따가와쥰이찌

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/4234

Abstract: 표면에 실리콘과 메탈 재료가 노출된 피처리체에 대해, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서 수소 가스와 산소 함유 가스의 플라즈마를 작용시켜, 이 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 방법이 개시된다. 이 선택 산화 처리 방법은, 제1 공급 경로를 거치는 제1 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 수소 가스 공급원으로부터의 상기 수소 가스를 공급 개시한 시점 이후, 상기 플라즈마를 착화하는 것보다도 이전에, 상기 제1 공급 경로와는 다른 제2 공급 경로를 거치는 제2 불활성 가스를 캐리어 가스로서, 산소 함유 가스 공급원으로부터의 상기 산소 함유 가스를 공급 개시하는 가스 도입 공정과, 상기 처리 용기 내에서 상기 산소 함유 가스와 상기 수소 가스를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 착화하는 플라즈마 착화 공정과, 상기 플라즈마에 의해 상기 실리콘을 선택적으로 산화 처리하는 선택 산화 처리 공정을 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020110055706A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：KR1020117007322

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마시타준 ,  이사가즈히로 ,  나카무라히데오 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32559 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32192

Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 전극으로서의 탑재대(5)에 대해 대향전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막(48), 바람직하게는 Y2O3막(48)이 코팅되어 있다. 처리용기(1)의 하측 부분을 이루는 제 1 부분(2)과 처리 용기(1)의 상측 부분을 이루는 제 2 부분(3)에는 절연성의 상부 라이너(49a)와, 더욱 두툼하게 형성된 절연성의 하부 라이너(49b)가 마련되어 있다. 바람직하지 않은 단락 및 이상 방전이 방지되고, 안정된 고주파 전류 경로가 형성된다.

Abstract translation: 在阶段5中，在等离子体处理装置100中的电极7用于偏压供给高频电力到埋在中，铝盖部，其用作用于在安装台作为电极5的对置电极（ 27在暴露于等离子体的表面上涂覆有保护膜48，优选为Y 2 O 3膜48。 构成处理容器1的下部的第一部分2和构成处理容器1的上部的第二部分3设置有绝热上衬层49a， 衬里49b被提供。 防止不希望的短路和异常放电，并形成稳定的高频电流路径。

公开(公告)号：KR101163276B1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020097006461

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  이사가즈히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

Abstract: 플라즈마 산화 처리 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리용기내에, 표면이 실리콘으로 구성되고 표면에 요철 형상의 패턴을 갖는 피처리체를 배치하는 것과, 상기 처리용기내에서, 처리 가스중의 산소의 비율이 5 ~ 20%의 범위이고 또한 처리압력이 267 Pa 이상 400 Pa 이하의 범위에서 플라즈마를 형성하는 것과, 상기 플라즈마에 의해, 상기 피처리체의 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090058002A

公开(公告)日：2009-06-08

申请号：KR1020097006461

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  가베요시로 ,  고바야시다카시 ,  기타가와주니치 ,  이사가즈히로

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621 ,  H01L21/2255

Abstract: A silicon oxide film forming method includes a step of placing an object to be processed and having a surface having a projecting/recessed pattern and containing silicon in a processing vessel of a plasma processing apparatus, a step of producing a plasma from a processing gas containing oxygen at a proportion of 5 to 20% under a processing pressure of 267 to 400 Pa in the processing vessel, and a step of forming a silicon oxide film by oxidizing silicon in the surface of the object to be processed by the plasma.

Abstract translation: 氧化硅膜形成方法包括将待处理物体放置在等离子体处理装置的处理容器中的具有突出/凹陷图案并含有硅的表面的步骤，从处理气体产生等离子体的步骤，所述处理气体含有 处理容器中处理压力为267〜400Pa的比例为5〜20％的氧，以及通过在被处理物的表面氧化等离子体而形成氧化硅膜的工序。

公开(公告)号：KR1020070112307A

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。