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公开(公告)号：KR102234404B1
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020180033813
申请日：2018-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본발명은외란의영향을제거하여성막처리를행하는것이가능한기판처리시스템을제공하는것을과제로한다. 일실시형태의기판처리시스템은, 처리용기내에수용된복수의기판에대하여, 상기복수의기판중 적어도하나의기판에성막된막의특성에기초하여산출되는성막조건을이용하여, 상기복수의기판에성막처리를행하는것이가능한기판처리시스템으로서, 상기기판의표면상태가상기하나의기판에성막되는막의특성에미치는영향을나타내는표면상태정보및 상기기판의상기처리용기내에서의배치상태가상기하나의기판에성막되는막의특성에미치는영향을나타내는배치상태정보를기억하는기억부와, 상기기억부에기억된상기표면상태정보및 상기배치상태정보에기초하여, 상기복수의기판이상기하나의기판의막의특성에미치는영향을나타내는정보를산출하는산출부와, 상기산출부가산출한상기정보에기초하여, 상기하나의기판에성막되는막의특성을보정하는보정부를갖는다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102147563B1
公开(公告)日：2020-08-24
申请号：KR1020170036706
申请日：2017-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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公开(公告)号：KR1020170113201A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170036706
申请日：2017-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/306 , B32B37/02 , B32B37/14 , B32B2457/14 , H01L21/67225 , H01L22/12
Abstract: 본발명은, 적층막의성막조건을용이하게조정하는것이가능한제어장치를제공하는것을목적으로한다. 본실시형태의제어장치는, 기판에제1 막을성막한후에제2 막을성막하여적층막을형성하는기판처리장치의동작을제어하는제어장치로서, 상기제1 막을성막하는제1 성막조건과, 상기제2 막을성막하는제2 성막조건을포함하는성막조건을기억하는레시피기억부와, 상기제1 성막조건이상기제1 막의특성에부여하는영향을나타내는제1 프로세스모델과, 상기제2 성막조건이상기제2 막의특성에부여하는영향을나타내는제2 프로세스모델을포함하는프로세스모델을기억하는모델기억부와, 상기레시피기억부에기억된상기제1 성막조건및 상기제2 성막조건에의해성막된상기제1 막과상기제2 막을포함하는상기적층막의특성의측정치와, 상기모델기억부에기억된상기제2 프로세스모델에기초하여, 상기제2 성막조건을조정하고, 상기제1 성막조건및 조정된상기제2 성막조건에의해상기적층막을형성하는경우에예측되는상기적층막의특성의예측치에기초하여, 상기제1 성막조건을조정할지여부를판정하는제어부를갖는다.
Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够容易地调整层叠膜的成膜条件的控制装置。 本实施方式的控制装置是一种控制装置，其用于控制基板处理装置的操作，该基板处理装置用于通过在基板上形成第一膜然后形成第二膜来形成层压膜， 表示对第一成膜条件异常基材1膜的特性产生影响的第一处理模型和表示第二成膜条件异常机理的影响的第二处理膜模型 第二存储单元，用于存储配方存储单元中存储的第一成膜条件和第二成膜条件; 基于存储在模型存储单元中的包括第一膜和第二膜的层压膜的特性的测量值和第二处理模型来调整第二膜形成条件， 第二种成膜条件 通过具有控制单元，用于确定是否在形成多层膜的情况下所预测的层叠膜的特性的预测值的基础上，是否调整所述第一膜形成条件。
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公开(公告)号：KR102246922B1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：KR1020180035115
申请日：2018-03-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 본발명은기판에성막된막의특성의이상값을높은정밀도로검출하는것이가능한기판처리시스템을제공하는것을과제로한다. 일실시형태의기판처리시스템은, 처리용기내에수용된기판에대하여, 미리정해진처리를실행하는것이가능한기판처리장치를구비하는기판처리시스템으로서, 상기기판에대하여성막처리를실행하는처리실행부와, 상기성막처리에의해상기기판에성막된막의특성을취득하는특성취득부와, 상기특성취득부가취득한상기막의특성에기초하여, 상기막의특성이이상값을포함하고있는지의여부를판정하는이상판정부를갖는다.
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公开(公告)号：KR102115642B1
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：KR1020170037018
申请日：2017-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/67
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公开(公告)号：KR1020170113217A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170037018
申请日：2017-03-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L22/12
Abstract: 본발명은반도체제조장치나반도체프로세스에관한지식이나경험이적은조작자라도, 원자층퇴적에의한막을기판에성막하는최적의성막조건을용이하게산출하는것이가능한제어장치를제공하는것을과제로한다. 본실시형태의제어장치는, 원자층퇴적에의한막을기판에성막하는기판처리장치의동작을제어하는제어장치로서, 상기막의종류에따른성막조건을기억하는레시피기억부와, 상기성막조건이상기막의특성에부여하는영향을나타내는프로세스모델을기억하는모델기억부와, 성막시의상기성막조건의실측값을기억하는로그기억부와, 상기레시피기억부에기억된상기성막조건에의해성막된상기막의특성의측정결과와, 상기모델기억부에기억된상기프로세스모델과, 상기로그기억부에기억된상기성막조건의실측값에기초하여, 목표로하는상기막의특성을만족시키는성막조건을산출하는제어부를갖는다.
Abstract translation: 本发明将是零，并且以用于容易地计算一小操作的最佳沉积条件提供一个可控装置是至少由与所述半导体制造装置或半导体工艺原子层沉积的知识和经验的基材薄膜上的沉积。 根据本发明，一种用于控制基板处理装置的操作用于在基板上形成通过原子层沉积的膜的控制装置，以及用于存储对应于胶片类型在薄膜形成条件的膜形成条件，gimak配方存储单元的一个实施例的控制装置 和用于存储表示对性能的影响的过程模型的模型存储部，由薄膜形成，所述薄膜形成存储单元，用于在膜形成期间储存的膜形成条件的测量值的配方存储部所存储的日志中的条件 和的膜特性，被存储在存储单元和，成膜存储在日志存储单元的条件的实际测量值的基础上，所述过程模型的模型的测量结果，用于计算满足上述薄膜性能瞄准的成膜条件 和一个控制单元。
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