公开(公告)号：KR101436192B1

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：KR1020110069857

申请日：2011-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  구보가즈미 ,  미즈나가사또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/3414

Abstract: 본 발명의 과제는 메인터넌스 작업의 수고를 저감시키는 동시에, 다운타임을 짧게 할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 등을 제공하는 것이다.
박막 형성 장치(1)의 세정 방법은 가열 공정과 세정 공정을 구비하고 있다. 가열 공정에서는 반응관(2) 내와 배기관(16) 내 중 적어도 한쪽을 소정의 온도로 가열한다. 세정 공정에서는 가열된 반응실(2) 내와 배기관(16) 내 중 적어도 한쪽에, 산소 가스와 수소 가스를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 클리닝 가스를 소정의 온도로 가열함으로써, 클리닝 가스에 포함되는 산소 가스 및 수소 가스를 활성화시킨다. 그리고, 활성화한 산소 가스 및 수소 가스에 의해, 박막 형성 장치(1)의 내부에 부착된 부착물을 제거한다.

公开(公告)号：KR100970789B1

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：KR1020060055682

申请日：2006-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  구보가즈미 ,  가미니시마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/24

Abstract: 본 발명의 반도체 처리용 성막 방법은, 우선 반응실 내에 자연 산화막이 형성된 피처리면을 갖는 피처리 기판을 로드하고, 상기 반응실 내를 상기 자연 산화막의 안정화가 생기는 임계치 온도보다 낮은 로드 온도로 설정한다. 다음에, 상기 피처리면 상의 상기 자연 산화막을 에칭에 의해 제거하고, 상기 반응실 내에 불소를 포함하지 않고 염소를 포함하는 에칭 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 에칭 압력 및 상기 임계치 온도보다 낮은 에칭 온도로 설정한다. 다음에, 상기 반응실 내를 퍼지하고, 상기 반응실 내에서 상기 피처리면 상에 CVD에 의해 박막을 형성하고, 상기 반응실 내에 성막 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 성막 온도로 설정한다.
반도체 처리용 성막 장치, 자연 산화막, 반응실, 성막 가스, 에칭 가스

Abstract translation: 本发明的半导体的制造方法的膜形成方法中，首先，在反应室中设置内将衬底装载到被具有特征正面和背面具有自然氧化膜，并且在低负荷温度高于所产生的自然氧化膜的稳定化的阈值温度的反应室表面处理 。 接着，将对象到前部和自然氧化膜的后表面通过蚀刻除去，并在同一时间内反应不包括氟供给蚀刻含氯气体引入腔室，该反应在蚀刻压力比的阈值温度室和下部 设置为蚀刻温度。 接着，在相同的时间以清洗反应室的反应室的内部，并且上的特征前通过CVD形成膜表面和后表面，供给成膜气体到反应室中，并设置在反应室的内部，以成膜温度 。

公开(公告)号：KR1020050007610A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：KR1020047020553

申请日：2003-06-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신리키히로시 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은, 실리콘 기판 상에, Si와 산소를 포함하는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상에, 유기 금속 원료를 사용한 화학 기상 퇴적법에 의해 금속 산화물막을 퇴적하는 공정을 포함하며, 상기 금속 산화막을 퇴적하는 공정은 상기 금속 산화막이 퇴적 직후의 상태에서 결정질로 되도록 실행된다.

公开(公告)号：KR102115642B1

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：KR1020170037018

申请日：2017-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이다카히토 ,  다케나가유이치 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67

公开(公告)号：KR1020170113217A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020170037018

申请日：2017-03-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이다카히토 ,  다케나가유이치 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L22/12

Abstract: 본발명은반도체제조장치나반도체프로세스에관한지식이나경험이적은조작자라도, 원자층퇴적에의한막을기판에성막하는최적의성막조건을용이하게산출하는것이가능한제어장치를제공하는것을과제로한다. 본실시형태의제어장치는, 원자층퇴적에의한막을기판에성막하는기판처리장치의동작을제어하는제어장치로서, 상기막의종류에따른성막조건을기억하는레시피기억부와, 상기성막조건이상기막의특성에부여하는영향을나타내는프로세스모델을기억하는모델기억부와, 성막시의상기성막조건의실측값을기억하는로그기억부와, 상기레시피기억부에기억된상기성막조건에의해성막된상기막의특성의측정결과와, 상기모델기억부에기억된상기프로세스모델과, 상기로그기억부에기억된상기성막조건의실측값에기초하여, 목표로하는상기막의특성을만족시키는성막조건을산출하는제어부를갖는다.

Abstract translation: 本发明将是零，并且以用于容易地计算一小操作的最佳沉积条件提供一个可控装置是至少由与所述半导体制造装置或半导体工艺原子层沉积的知识和经验的基材薄膜上的沉积。 根据本发明，一种用于控制基板处理装置的操作用于在基板上形成通过原子层沉积的膜的控制装置，以及用于存储对应于胶片类型在薄膜形成条件的膜形成条件，gimak配方存储单元的一个实施例的控制装置 和用于存储表示对性能的影响的过程模型的模型存储部，由薄膜形成，所述薄膜形成存储单元，用于在膜形成期间储存的膜形成条件的测量值的配方存储部所存储的日志中的条件 和的膜特性，被存储在存储单元和，成膜存储在日志存储单元的条件的实际测量值的基础上，所述过程模型的模型的测量结果，用于计算满足上述薄膜性能瞄准的成膜条件 和一个控制单元。

公开(公告)号：KR101475557B1

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020110142061

申请日：2011-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  엔도오아쯔시 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: 본발명의과제는카본막상에산화물막을형성해도, 카본막의막 두께감소를억제하는것이가능한카본막상으로의산화물막의성막방법을제공하는것이다. 피처리체상에카본막을형성하는공정(스텝 1)과, 카본막상에피산화체층을형성하는공정(스텝 2)과, 피산화체층을산화시키면서, 피산화체층상에산화물막을형성하는공정(스텝 3)을구비한다.

公开(公告)号：KR1020090012113A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080071966

申请日：2008-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/26 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31612

Abstract: A film formation method, apparatus for semiconductor process and computer readable medium are provided to consecutively perform the deposition of the Si system inorganic film while maintaining vacuum. The wafer boat having a plurality of semiconductor wafers is mounted is loaded within the process vessel(step 1). In the state rotating the wafer boat, the film forming process of the amorphous carbon film is performed for the first time(step 2). The purge gas from the fuzzy gas supply source is introduced within the process vessel(step 3). In maintaining the decompression state, the Si based inorganic film is successively formed by the switching of the gas into the in-situ process(step 4).

Abstract translation: 提供一种成膜方法，半导体工艺装置和计算机可读介质，以连续地执行Si系无机膜的沉积同时保持真空。 将具有多个半导体晶片的晶片舟装载在处理容器内（步骤1）。 在旋转晶片舟的状态下，首次进行无定形碳膜的成膜工序（步骤2）。 来自模糊气体供应源的净化气体被引入处理容器内（步骤3）。 在维持减压状态下，通过将气体切换成原位工序，依次形成Si系无机膜（步骤4）。

公开(公告)号：KR1020120074238A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020110142061

申请日：2011-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가끼모또아끼노부 ,  엔도오아쯔시 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/402

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming an oxide film on carbon film are provided to prevent a reduction of an amorphous carbon film by forming an object-to-be-oxidized layer and a silicon oxide film in in-situ. CONSTITUTION: A silicon substrate(1) is prepared. A carbon film(2) is formed on the silicon substrate. A seed layer(3) is formed on the carbon film by providing amino-silane based gas to a surface of the carbon film. A silicon layer(4) is formed on the seed layer by providing silane based gas to a surface of the seed layer. A silicon oxide film(6) is formed on the silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在碳膜上形成氧化膜的方法和装置，以通过原地形成待氧化物体层和氧化硅膜来防止无定形碳膜的还原。 构成：制备硅衬底（1）。 在硅衬底上形成碳膜（2）。 通过在碳膜的表面上提供氨基硅烷基气体，在碳膜上形成种子层（3）。 通过向种子层的表面提供硅烷基气体，在种子层上形成硅层（4）。 在硅层上形成氧化硅膜（6）。

公开(公告)号：KR101131709B1

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：KR1020080071966

申请日：2008-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  구보가즈미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/26 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31612

Abstract: 반도체 처리용 성막 방법은 성막 장치의 처리 용기 내에 복수매의 피처리체를 수직 방향으로 간격을 두고 수용한다. 다음에, 처리 용기 내를 제1 감압 상태로 설정하는 동시에 처리 용기 내에 탄화수소 가스를 포함하는 제1 성막 가스를 공급하여 CVD에 의해 피처리체 상에 카본막을 성막한다. 다음에, 처리 용기 내를 상기 제1 감압 상태로부터 감압 상태로 유지한 상태에서 상기 처리 용기 내를 제2 감압 상태로 설정하는 동시에 처리 용기 내에 유기계 실리콘 소스 가스를 포함하는 제2 성막 가스를 공급하여 CVD에 의해 카본막 상에 Si계 무기막을 성막한다.
자성 유체 밀봉부, 플라즈마 생성 기구, 플라즈마 구획벽, 고주파 전원, 퍼지 가스 공급 배관

公开(公告)号：KR1020120007986A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：KR1020110069857

申请日：2011-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도오아쯔시 ,  구보가즈미 ,  미즈나가사또시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C14/3414

Abstract: PURPOSE: A thin film forming apparatus and a cleaning method thereof are provided to form down time short while reducing a maintenance task. CONSTITUTION: A reaction tube(2) has a dual tube structure which is composed of an inner tube(3) and an outer tube(4). A manifold(5) which is formed into a cylindrical shape is arranged in the lower side of the outer tube. A thermal insulator(11) is installed in around the reaction tube in order to surround the reaction tube. A heater(12) for temperature rising which is composed of a resistance heating body is installed in the inner wall of the thermal insulator. A plurality of processing gas induction pipes(13) is inserted in the side of the manifold.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜形成装置及其清洁方法，以减少维护任务而缩短时间。 构成：反应管（2）具有由内管（3）和外管（4）组成的双管结构。 形成为圆筒状的歧管（5）布置在外管的下侧。 为了包围反应管，安装在反应管周围的绝热体（11）。 用于温升的加热器（12）由电阻加热体构成，安装在绝热体的内壁上。 多个处理气体导入管（13）插入歧管侧。