公开(公告)号：KR100415214B1

公开(公告)日：2004-05-17

申请号：KR1019960010132

申请日：1996-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키 ,  가타기리겐이치 ,  도라구치마코토

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629

Abstract: A plasma generating gas and a reactive gas are fed into a vacuum container. A magnetic field and microwaves for plasma generation are applied to the vacuum container, whereupon plasma is generated by ECR, and whereupon, for example, an SiO2 or SiOF film is formed on aluminum wiring. In the initial phase of film deposition, the level of the radio-frequency power for plasma lead-in applied to the stage is adjusted, for example, to zero (first value includes zero) in advance. Then, after the SiO2 or SiOF film has been deposited to a thickness of tens of nanometers, for example, the radio-frequency power for plasma lead-in is adjusted to a normal power level (second value) and applied to the stage. Thereupon, an intensive anisotropic plasma is generated, and a potential distribution corresponding to the self-bias is formed in the plane direction of the wafer. Since the thin SiO2 film is formed on the wafer surface, however, the voltage applied to any existing gate oxide film is lowered by this insulating film. Thus, the gate oxide film can be prevented from being damaged.

Abstract translation: 等离子体产生气体和反应气体被供给到真空容器中。 在真空容器上施加用于产生等离子体的磁场和微波，之后通过ECR产生等离子体，并且例如在铝布线上形成SiO 2或SiOF膜。 在成膜的初始阶段，例如将施加于载台的等离子体引入用的高频电力的电平预先调整为零（第一值包含零）。 然后，例如在将SiO 2或SiOF膜沉积至几十纳米的厚度之后，将用于等离子体引入的高频功率调整至正常功率水平（第二值）并施加至该台。 于是，产生强烈的各向异性等离子体，并且在晶片的平面方向上形成对应于自偏压的电势分布。 然而，由于在晶片表面上形成薄SiO 2膜，所以施加到任何现有栅极氧化膜上的电压被该绝缘膜降低。 因此，可以防止栅极氧化膜被损坏。

公开(公告)号：KR1019960039123A

公开(公告)日：1996-11-21

申请号：KR1019960010132

申请日：1996-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키 ,  가타기리겐이치 ,  도라구치마코토

IPC: H01L21/31

Abstract: 플라즈마 생성가스와 반응가스는 진공용기로 도입되고, 플라즈마 생성을 위한 마이크로파와 자계가 진공용기에 인가되며, 플라즈마는 ECR을 이용하여 생성되고, 예컨대 알루미늄배선상에 SiO2 또는 SiOF막이 형성된다. 막성막의 초기 위상에 있어서, 스테이지에 인가된 플라즈마 도입을 위한 무선주파수 전력의 레벨은 예컨대 미리 "0"으로 조정된다. 웨이퍼의 표면상의 자기 바이어스 전압이 그때 "0"이기 때문에, 예컨대 웨이퍼표면의 전위분포는 사실상 플라즈마의 전위분포에 의존한다. 평면방향에서 플라즈마의 전위차가 많아야 1볼트정도로 작기 때문에, 웨이퍼상에 미리 형성된 게이트 산화막에 인가된 전압은 현재의 막을 손상시키지 않을 정도로 충분히 낮다. 그 때, SiO2 또는 SiOF막이 10㎚의 불충분한 두께로 성막된 후에, 예컨대 플라즈마 도입을 위한 무선주파수 전력은 평균 전력 레벨(2차 값)로 조정되고, 스테이지 인가된다. 그래서, 강한 부등방성 플라즈마가 생성되고, 자기바이어스에 대응하는 전위분포가 웨이퍼의 평면방향에 형성된다. 불충분한 SiO2막이 웨이퍼 표면, 예컨대 알루미늄배선상에 형성되기 때문에, 현재의 게이트 산화막에 인가되는 전압은 이 절연막에 의해 보다 낮게 된다. 따라서, 게이트 산화막은 손상을 피할 수 있게 된다.