公开(公告)号：KR100415214B1

公开(公告)日：2004-05-17

申请号：KR1019960010132

申请日：1996-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키 ,  가타기리겐이치 ,  도라구치마코토

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31629

Abstract: A plasma generating gas and a reactive gas are fed into a vacuum container. A magnetic field and microwaves for plasma generation are applied to the vacuum container, whereupon plasma is generated by ECR, and whereupon, for example, an SiO2 or SiOF film is formed on aluminum wiring. In the initial phase of film deposition, the level of the radio-frequency power for plasma lead-in applied to the stage is adjusted, for example, to zero (first value includes zero) in advance. Then, after the SiO2 or SiOF film has been deposited to a thickness of tens of nanometers, for example, the radio-frequency power for plasma lead-in is adjusted to a normal power level (second value) and applied to the stage. Thereupon, an intensive anisotropic plasma is generated, and a potential distribution corresponding to the self-bias is formed in the plane direction of the wafer. Since the thin SiO2 film is formed on the wafer surface, however, the voltage applied to any existing gate oxide film is lowered by this insulating film. Thus, the gate oxide film can be prevented from being damaged.

Abstract translation: 等离子体产生气体和反应气体被供给到真空容器中。 在真空容器上施加用于产生等离子体的磁场和微波，之后通过ECR产生等离子体，并且例如在铝布线上形成SiO 2或SiOF膜。 在成膜的初始阶段，例如将施加于载台的等离子体引入用的高频电力的电平预先调整为零（第一值包含零）。 然后，例如在将SiO 2或SiOF膜沉积至几十纳米的厚度之后，将用于等离子体引入的高频功率调整至正常功率水平（第二值）并施加至该台。 于是，产生强烈的各向异性等离子体，并且在晶片的平面方向上形成对应于自偏压的电势分布。 然而，由于在晶片表面上形成薄SiO 2膜，所以施加到任何现有栅极氧化膜上的电压被该绝缘膜降低。 因此，可以防止栅极氧化膜被损坏。

公开(公告)号：KR1020010042483A

公开(公告)日：2001-05-25

申请号：KR1020007011103

申请日：1999-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67069

Abstract: 본발명의가스처리장치에있어서는, 중앙부보다도외측가장자리쪽이단위면적당가스구멍(33)의개구면적이커지도록구성된샤워헤드(32)를투과창(23)의바로밑에웨이퍼(W)와대향하도록설치하고있다. 또한, 샤워헤드(32) 밑에가스구멍(33)의개폐를제어하는가스구멍규제부재(34)를설치하고있다. 이에따라, 플라즈마를이용하여웨이퍼등의피처리기판의표면에대하여균일한처리를행할수 있다.

公开(公告)号：KR100377582B1

公开(公告)日：2003-03-29

申请号：KR1020007014986

申请日：1999-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76804

Abstract: There is provided a method capable of shortening a preheat time when a thin film is deposited after a preheat is carried out. The current values of a main electromagnetic coil 26 and an auxiliary electromagnetic coil 27 during a preheat and during a thin-film deposition are set to be different from each other to change the shape of an obtained magnetic field so that the magnetic field has a small magnetic flux density although it has higher uniformity during the thin-film deposition whereas the magnetic field has a large magnetic flux density although it has lower uniformity during the preheat. As a result, a substantially uniform plasma is produced in the plane of a wafer W during the thin-film deposition, so that it is possible to carry out a uniform thin-film deposition. On the other hand, during the preheat, a plasma having a larger density than that during the thin-film deposition is produced although the uniformity thereof is lower. Therefore, the heat gain into the wafer W is greater than that during the thin-film deposition, so that it is possible to shorten the preheat time.

Abstract translation: 提供了一种能够缩短在预热后沉积薄膜时的预热时间的方法。 预热期间和薄膜沉积期间主电磁线圈26和辅助电磁线圈27的电流值被设置为彼此不同以改变所获得的磁场的形状，使得磁场具有小的 虽然在薄膜沉积过程中具有较高的均匀性，但磁场具有较大的磁通量密度，尽管其在预热过程中具有较低的均匀性。 结果，在薄膜沉积期间在晶片W的平面中产生基本均匀的等离子体，从而可以执行均匀的薄膜沉积。 另一方面，在预热过程中，尽管其均匀性较低，但生产的密度大于薄膜沉积时的密度。 因此，向晶片W的热增益大于薄膜沉积期间的热量增加，从而可以缩短预热时间。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020010053245A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020007014910

申请日：1999-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체 웨이퍼용 진공 성막 장치나 에칭 장치와 같은 진공 처리 장치의 진공 용기 내의 적재대(3) 상에 반도체 웨이퍼(W)를 적재하고, 웨이퍼와 적재대 사이의 간극에 열전도용 가스 예컨대 He를 공급하여 웨이퍼를 소정의 온도로 유지시키면서 성막 처리나 에칭이 이루어진다. 이 때에, He 가스가 웨이퍼와 적재대와의 사이에서 이상 상태로 누출되는 것을 용이하게 검출하기 위해서, 표면을 경면 마무리 처리한 유전체로 이루어진 적재대 상에 정전 척으로써 웨이퍼를 흡착시켜, 가스 공급로(5)로부터 He 가스를 웨이퍼의 이면측에 감금한다. 그리고, 가스 공급로에 유량계를 설치하여, 가스 누출이 발생할 때 유량에 대응하는 임계치를 초과할 경우 이상 신호를 발생시킨다.

公开(公告)号：KR100407054B1

公开(公告)日：2003-11-28

申请号：KR1020007014910

申请日：1999-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67288 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6833

Abstract: A semiconductor wafer (W) is mounted on top of a mounting stand (3) within a vacuum vessel of a vacuum processing apparatus such as a vacuum film-formation apparatus or an etching apparatus for semiconductor wafers. A heat-transfer gas such as helium is supplied to a gap between the wafer and the mounting stand, and film-formation or etching is performed while the wafer is held at a predetermined temperature. To ensure a simple and reliable detection of any leakage of the helium from between the wafer and the mounting stand during this process because of an abnormal state, the surface of a dielectric material such as aluminum nitride that configures the mounting stand (3) is given a mirror finish and the wafer (W) is attracted to the surface of the mounting stand (3) by an attractive force of at least 1 kg/cm , whereby the helium from the gas supply path (5) is sealed in on the rear surface side of the wafer (W). A flowmeter (54) is provided in the gas supply path (5), a flowrate measured by this flowmeter is compared by a comparator (6) against a threshold value, which corresponds to a flowrate that occurs when a leakage is generated between the rear surface side of the wafer (W) and the surface of the mounting stand (3) in a normal state, and an abnormality signal is generated if the measured flowrate exceeds the threshold value. This ensures that the temperature of the wafer can be maintained accurately.

Abstract translation: 在真空成膜装置或半导体晶片的蚀刻装置等真空处理装置的真空容器内，在载置台（3）的上部载置半导体晶片（W）。 向晶片与载置台之间的间隙供给氦等传热气体，在晶片保持在规定温度的状态下进行成膜或蚀刻。 为了确保在该过程期间由于异常状态而简单且可靠地检测晶片和安装台之间的氦气的任何泄漏，给出构成安装台（3）的诸如氮化铝的介电材料的表面 通过至少1kg / cm 2的吸引力将镜面抛光和晶片（W）吸引到安装台（3）的表面，由此来自气体供应路径（5）的氦气被密封在 在晶片（W）的后表面侧上。 流量计（54）设置在气体供给路径（5）中，由比较器（6）比较由该流量计测量的流量与阈值，该阈值对应于当在后部产生泄漏时发生的流量 在正常状态下晶片（W）的表面侧和安装台（3）的表面，并且如果测量的流量超过阈值则产生异常信号。 这确保了晶片的温度可以被精确地保持。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100394753B1

公开(公告)日：2003-08-14

申请号：KR1020007014610

申请日：1999-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32899 ,  H05H2001/4622

Abstract: The vacuum processing chambers 31 of the plasma processing units 3A and 3B are connected to the transfer chamber 2 and the wafer W in the positioned state is transferred from the transfer chamber 2 to the mounting stages 4 in the vacuum processing chambers 31. The volume and length of the wave guide 5 are the same between the plasma processing units 3A and 3B. The location relationship of the wave guide 5 to the transfer directions M1 and M2 of the transfer arm 61 is the same between the plasma processing units 3A and 3B. As a result, the location relationship of the wave guide 5 to the wafer W mounted on the mounting stage 4 in a predetermined direction is the same between the plasma processing units 3A and 3B.

Abstract translation: 等离子体处理单元3A和3B的真空处理室31连接到传送室2，处于定位状态的晶片W从传送室2传送到真空处理室31中的安装台4。 波导管5的长度在等离子体处理单元3A和3B之间是相同的。 波导管5与传送臂61的传送方向M1和M2的位置关系在等离子体处理单元3A和3B之间是相同的。 其结果是，波导管5相对于载置于载置台4上的晶圆W在规定方向上的位置关系在等离子体处理单元3A，3B之间相同。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020010072635A

公开(公告)日：2001-07-31

申请号：KR1020007014610

申请日：1999-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/205

Abstract: 반송실(2)에 플라즈마 처리 유닛(3A, 3B)의 진공 처리실(31)을 접속하고, 반송실(2)내에서 진공 처리실(31)내의 적재대(4)에 웨이퍼(W)를 정렬한 상태로 반송 아암에 의해 반송한다. 각 플라즈마 처리 유닛(3A, 3B) 사이에서 도파관(5)의 크기 및 길이가 동일하게 되어 있다. 또한, 각 플라즈마 처리 유닛(3A, 3B) 사이에 있어서, 도파관(5)의 반송 아암(61)의 반송 방향(M1, M2)에 대한 위치 관계가 동일하게 되어 있다. 이 때문에 각 플라즈마 처리 유닛(3A, 3B) 사이에서 적재대(4)에 정해진 방향으로 놓여진 웨이퍼(W)에 대한 도파관(5)의 위치 관계가 동일하게 된다.

公开(公告)号：KR1020010053278A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020007014986

申请日：1999-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 예컨대 예열을 행하고 나서 박막을 형성하는 경우에 예열 시간을 단축시키는 것을 목적으로 한다.
예열시와 박막 형성시와의 사이에서 주 전자 코일(26) 및 보조 전자 코일(27)의 전류치를 바꿈으로써 얻어지는 자계의 형상을 변화시키고, 박막 형성시에는 균일성이 크지만 자속 밀도가 작은 자계, 예열시에는 균일성은 작지만 자속 밀도가 큰 자계로 한다. 이 결과, 박막 형성시에는 웨이퍼(W)의 면내에서 거의 균일한 플라즈마가 발생하기 때문에 균일한 박막 형성 처리를 행할 수 있다. 한편, 예열시에는 균일성은 나쁘지만 플라즈마 밀도가 박막 형성시보다 큰 플라즈마가 발생하기 때문에 웨이퍼(W)로의 입열량(入熱量)이 박막 형성시보다 많아져 예열 시간을 단축할 수 있다.

公开(公告)号：KR100446875B1

公开(公告)日：2004-09-04

申请号：KR1020017010855

申请日：2001-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67103

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)에 성막 처리를 실시하기 위한 플라즈마 CVD 장치에 있어서, 웨이퍼 재채대(3)가 진공용기(2)의 중앙에 설치된다. 재치대(3)는 지지부(6)를 경유해 측벽(63)에 장착된다. 상기 재치대(3)의 직경과 동일하거나 그보다 작은 직경을 갖는 배기구(9)가 재치대(3) 아래에 설치된다. 배기구(9)의 중심축(C1)은 재치대(3)의 중심축으로부터 지지부(6)의 연장방향과 반대방향으로 변위되며, 그에 따라 효과적인 배기를 달성한다.

Abstract translation: 在用于向半导体晶片（W）施加膜沉积工艺的等离子体CVD装置中，在真空室（2）的中心设置晶圆放置台（3）。 放置台（3）通过支撑部件（6）安装到侧壁（63）上。 具有等于​​或小于放置台（3）的直径的直径的排气口（9）设置在放置台（3）的下方。 排气口（9）的中心轴线（C1）沿着与支承部（6）的延伸方向相反的方向从放置台（3）的中心轴线位移，从而实现有效的排气。

公开(公告)号：KR1020010102395A

公开(公告)日：2001-11-15

申请号：KR1020017010855

申请日：2001-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마노히데아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67103

Abstract: 반도체웨이퍼(W)에필름증착처리가하기위한플라즈마 CVD 장치에있어서, 웨이퍼재채대(3)가진공용기(2)의중앙에설치된다. 재치대(3)는지지부(6)를경유해측벽(63)에장착된다. 상기재치대(3)의직경과동일하거나그보다작은직경을갖는배기포트(9)가재치대(3) 아래에설치된다. 배기포트(9)의중심축(C1)은재치대(3)의중심축으로부터지지부(6)의연장방향과반대방향으로변위되며, 그에따라효과적인배기를달성한다.

Abstract translation: 在用于向半导体晶片（W）施加膜沉积工艺的等离子体CVD装置中，在真空室（2）的中心设置晶圆放置台（3）。 放置台（3）通过支撑部件（6）安装到侧壁（63）上。 具有等于​​或小于放置台（3）的直径的直径的排气口（9）设置在放置台（3）的下方。 排气口（9）的中心轴线（C1）沿着与支承部（6）的延伸方向相反的方向从放置台（3）的中心轴线位移，从而实现有效的排气。