公开(公告)号：KR1020070063450A

公开(公告)日：2007-06-19

申请号：KR1020060127316

申请日：2006-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고다시마아키라 ,  미야노신이치 ,  가토다케히로

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6719

Abstract: A substrate processing apparatus and a lid supporting device for the substrate processing apparatus are provided to improve efficiency of maintenance thereof by moving a processing chamber upper lid in a vertical or horizontal direction. A substrate processing apparatus includes plural processing chambers(100) performing plasma processing on a wafer. The processing chamber has a chamber lid(200) that is suspended and supported by a crane unit(500). The crane unit has an air cylinder(510) and a linear guide(520). The air cylinder holds the chamber lid movably in a vertical direction. The linear guide holds the chamber lid movably in a horizontal direction.

Abstract translation: 提供了一种用于基板处理装置的基板处理装置和盖支撑装置，以通过在垂直或水平方向上移动处理室上盖来提高维护效率。 基板处理装置包括对晶片进行等离子体处理的多个处理室（100）。 处理室具有由起重机单元（500）悬挂和支撑的室盖（200）。 起重机单元具有气缸（510）和直线导轨（520）。 气缸在垂直方向上可移动地保持室盖。 线性引导件沿水平方向可移动地保持室盖。

公开(公告)号：KR1020140050664A

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：KR1020147003894

申请日：2012-08-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  고바야시요시유키 ,  가토다케히로 ,  이토에츠지

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/68742 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67063

Abstract: 일 실시형태의 반도체 제조 장치(10)는 스테이지(ST), 복수의 핀(70) 및 구동부(74)를 구비하고 있다. 스테이지(ST)는 탑재면(PF)을 포함한다. 탑재면(PF)은 피처리 기체(W)를 탑재하기 위한 제 1 영역(R1) 및 포커스 링(18)을 탑재하기 위한 제 2 영역(R2)을 갖는다. 제 2 영역(R2)은 제 1 영역(R1)을 둘러싸도록 마련되어 있다. 스테이지(ST)에는, 복수의 구멍(14h)이 형성되어 있다. 복수의 구멍(14h)은 제 1 영역(R1)과 제 2 영역(R2)의 경계를 통하여 탑재면(PF)과 교차하는 방향으로 연장되어 있다. 복수의 핀은 복수의 구멍에 각각 마련되어 있다. 복수의 핀 각각은 제 1 상단면(70a) 및 제 2 상단면(70b)을 갖고 있다. 제 2 상단면(70b)은 제 1 상단면(70a)보다 상방에 마련되어 있고, 상기 제 1 상단면(70a)보다 제 1 영역(R1)측으로 편위되어 있다. 구동부(74)는 복수의 핀(70)을 상기 방향에 있어서 상하동시킨다.

公开(公告)号：KR102077438B1

公开(公告)日：2020-02-13

申请号：KR1020197024401

申请日：2012-08-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  고바야시요시유키 ,  가토다케히로 ,  이토에츠지

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306

公开(公告)号：KR100854803B1

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：KR1020060127316

申请日：2006-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고다시마아키라 ,  미야노신이치 ,  가토다케히로

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 본 발명의 목적은 메인터넌스의 작업효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명에 있어서, 기판 처리 장치(1)는 피처리체로서의 반도체 웨이퍼에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 여섯 개의 프로세스 챔버(100)를 구비하고, 프로세스 챔버(100)에는 상부에 개구부를 갖는 프로세스 챔버 박스체(110)를 밀폐하기 위한 상측 덮개로서의 챔버 리드(200)가 설치되고, 프로세스 챔버(100)에 있어서 챔버 리드(200)를 개폐하기 위하여, 에어 실린더(510)와, 에어 실린더(510)가 결합된 1개의 리니어 가이드(520)를 구비하는 크레인 유닛(500)이 장착된다.