플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및, 이 방법으로 처리된 피처리체
    1.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및, 이 방법으로 처리된 피처리체 有权
    等离子体处理装置,等离子体处理方法和方法处理的对象

    公开(公告)号:KR101022833B1

    公开(公告)日:2011-03-17

    申请号:KR1020080117400

    申请日:2008-11-25

    Abstract: (과제) 배관 등에 충분한 길이를 갖는 고리 형상 부재나 복잡한 내부 형상을 갖는 부재의 내면에만 성막 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및, 이 방법으로 처리된 피처리체를 제공하는 것을 과제로 한다.
    (해결 수단) 전자파를 발생하는 전자파 발생원과, 상기 전자파를 플라즈마 점화 영역으로 유도하는 전자파 유도부와, 상기 플라즈마 점화 영역으로 유도되는 전자파에 의해, 내부 공간 내에서 전자파 여기(excitation) 플라즈마가 점화되는 유전체제(製)의 진공 용기와, 상기 진공 용기에 진공적으로 접속되는 내부 공간을 갖는 피처리체와, 상기 피처리체의 내면에 시스(sheath)를 형성하기 위한 소정 전압을 상기 피처리체에 인가하는 전압 인가 수단을 포함하고, 상기 피처리체의 내면에 형성되는 시스에 의해 상기 피처리체의 내부로 유도되는 전자파 여기 플라즈마를 이용하여 상기 피처리체의 내면을 처리한다.
    플라즈마, 진공 용기, 전자파

    플라즈마 처리 장치
    2.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 失效
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020070053168A

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:KR1020067027156

    申请日:2005-06-20

    CPC classification number: H01J37/32192 H01J37/3222 H05H1/46

    Abstract: 평면 안테나 부재(3)에 복수의 동심원으로 링 형상의 슬롯(300~304)을 형성하여, 중심부의 도체(310, 311)의 두께를 상대적으로 얇게 형성하고, 주변부의 도체(312~315)의 두께를 상대적으로 두껍게 형성함으로써, 슬롯(300~304)에 의해 마이크로파가 감쇠하지 않고 통과하기 쉽게 되어, 균일한 전계 분포가 얻어져 처리 공간 내에 평균적으로 균일한 고밀도의 플라즈마를 생기게 할 수 있기 때문에, 피처리체를 안테나 부재(3)에 가까이 할 수 있어, 피처리체를 고속으로 균일하게 처리하는 것이 가능하게 된다.

    플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및, 이 방법으로 처리된 피처리체
    3.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및, 이 방법으로 처리된 피처리체 有权
    等离子体处理装置,等离子体处理方法和方法处理的对象

    公开(公告)号:KR1020090102616A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:KR1020080117400

    申请日:2008-11-25

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and an object processed by the method are provided to form a film only at the inside of a member having a complicated internal shape or a ring-shaped member having an efficient length. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus(10) includes an electro-wave generating source, an electro-wave inducing unit(13), a vacuum vessel of a dielectric, a target object, a gas supply unit, a gas-discharging unit and a voltage application unit. The electro-wave generating source generates an electro-wave, and the electro-wave inducing unit guides the electro-wave to a plasma igniting region. In the vacuum vessel of the dielectric, plasma is ignited inside the inner space. The gas supply unit supplies the processing gas to the inside of the object, and the discharge unit discharges the gas inside of the inner space of the object.

    Abstract translation: 目的:提供一种等离子体处理装置,等离子体处理方法和通过该方法处理的物体,以仅在具有复杂内部形状的构件的内部或具有有效长度的环形构件的内部形成膜。 等离子体处理装置(10)包括电波发生源,电波诱导单元(13),电介质的真空容器,目标物体,气体供给单元,气体放电单元和 电压应用单元。 电波发生源产生电波,电波感应单元将电波引导到等离子体点火区域。 在电介质的真空容器中,等离子体在内部空间内被点燃。 气体供给单元将处理气体供给到物体的内部,排出单元排出物体的内部空间内的气体。

    플라즈마 처리 장치
    4.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 失效
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR100796867B1

    公开(公告)日:2008-01-22

    申请号:KR1020067027156

    申请日:2005-06-20

    CPC classification number: H01J37/32192 H01J37/3222 H05H1/46

    Abstract: 평면 안테나 부재(3)에 복수의 동심원으로 링 형상의 슬롯(300~304)을 형성하여, 중심부의 도체(310, 311)의 두께를 상대적으로 얇게 형성하고, 주변부의 도체(312~315)의 두께를 상대적으로 두껍게 형성함으로써, 슬롯(300~304)에 의해 마이크로파가 감쇠하지 않고 통과하기 쉽게 되어, 균일한 전계 분포가 얻어져 처리 공간 내에 평균적으로 균일한 고밀도의 플라즈마를 생기게 할 수 있기 때문에, 피처리체를 안테나 부재(3)에 가까이 할 수 있어, 피처리체를 고속으로 균일하게 처리하는 것이 가능하게 된다.

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