公开(公告)号：KR1020130035234A

公开(公告)日：2013-04-08

申请号：KR1020120108942

申请日：2012-09-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오

IPC: H05H1/34 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32422

Abstract: PURPOSE: A radical selecting device and a substrate processor are provided to selectively pass only the radical from the plasma exactly. CONSTITUTION: A cylindrical chamber(11) accommodates a wafer(W) as a substrate. A placing unit(12) is arranged at the bottom of the chamber and places the wafer. A plasma generator(13) is faced with a shape space in the interval. A radical filter(14) is arranged in a processing space(S) between a placement table and the plasma generator. A process gas inducing unit introduces the process gas to the processing space. A discharge pipe(15) exhausts the gas inside the chamber including the processing space.

Abstract translation: 目的：提供基本选择装置和衬底处理器以选择性地仅通过精确地从等离子体传递基团。 构成：圆柱形腔室（11）容纳晶片（W）作为衬底。 放置单元（12）布置在室的底部并放置晶片。 等离子体发生器（13）在该间隔中面对形状空间。 自由基过滤器（14）布置在放置台和等离子体发生器之间的处理空间（S）中。 处理气体诱导单元将处理气体引入处理空间。 排出管（15）排出包括处理空间在内的室内的气体。

公开(公告)号：KR101245430B1

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：KR1020117000747

申请日：2009-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  가사이시게루

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 기판에 대해 플라즈마에 의해 처리를 실행하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기내에 마련되고 기판을 탑재하기 위한 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하도록 마련되고 상기 처리 용기내에 처리가스를 공급하기 위한 다수의 가스 토출 구멍이 그 하면에 형성된 도전성 부재로 이루어지는 가스 샤워헤드와, 상기 가스 샤워헤드의 아래쪽 공간을 둘러싸는 영역에 유도 결합형 플라즈마를 발생시키기 위해 고주파 전류가 공급되는 유도 코일과, 상기 가스 샤워헤드에 부의 직류 전압을 인가해서 상기 유도 코일에 의해 유도되는 전계를 처리 영역의 중앙부측에 인입하기 위한 부전압 공급 수단과, 상기 처리 용기내를 진공 배기하기 위한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가다.

公开(公告)号：KR101028362B1

公开(公告)日：2011-04-11

申请号：KR1020100101478

申请日：2010-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 원료 가스를 이용하여 기판에 열 CVD에 의해 금속 박막을 성막함에 있어서, 기판 사이에서 기판의 면내 온도 분포를 가지런히 하고, 이에 따라 기판 사이에서의 성막 처리의 격차를 억제하는 것을 과제로 한다. 이를 해결하기 위해서, 탑재대의 하부 측을 지지하고 있는 지지 부재로서, 처리 용기 내에 장착되기 전부터 그 외주면이 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속층으로 덮여져 있는 지지 부재를 이용한다. 이 때문에, 금속 박막의 성막 처리를 반복함으로써 탑재대의 지지 부재의 외주면에 금속 박막이 퇴적하더라도, 지지 부재의 외주면은, 원래 상기 금속 박막의 방사율과 동등한 방사율을 갖는 금속으로 덮여져 있기 때문에, 지지 부재의 방사율이 안정되어, 탑재대의 온도의 경시 변화가 억제된다.

Abstract translation: 本发明在于，根据作为成膜的金属薄膜的通过热CVD在衬底上通过使用原料气体，在基板的面内温度分布的基板之间对准的任务，从而沿着抑制在基板间的成膜过程中的变化 的。 为了解决这个问题，因为它支持在安装台下侧的支撑构件和所述外周面之前被安装在处理容器内的支撑部件中的用途是覆盖有具有相同的发射率和金属薄膜的发射率的金属层。 由于这个原因，就通过重复的金属薄膜的沉积工艺，即使在金属薄膜沉积在安装保持构件的外周表面，所述支承构件的外周表面覆盖有具有相同发射率作为金属薄膜的原始发射率，所述支撑构件的金属 安装台的放射率稳定，抑制安装台的温度随时间的变化。

公开(公告)号：KR1020100029041A

公开(公告)日：2010-03-15

申请号：KR1020090082951

申请日：2009-09-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  이케다교코 ,  세가와스미에 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/28556

Abstract: PURPOSE: A depositing method and a film forming apparatus are provided so that the adhesion of a precoat film formed at the subsequent processes etc can be improved. It can control that particle generates in the film forming process. CONSTITUTION: A film forming apparatus comprises a treatment basin(14), a main chuck(62), a heating means(66), a shower head part(18), a head peripheral unit gas supply means(22). The vacuum evacuation possible, the treatment basin is included. The main chuck prepares within the treatment basin. The processed article is in the upper part mount. The heating means heats the processed article. It faces in the main chuck and the shower head part is arranged. The necessary gas is introduced within the treatment basin. Supplies the inactive gas in the increase in temperature after the cleaning processing within the treatment basin to the head peripheral unit gas supply means is the peripheral unit of the shower head part.

Abstract translation: 目的：提供一种沉积方法和成膜装置，使得可以提高在后续处理过程中形成的预涂膜的粘合性。 它可以控制颗粒在成膜过程中产生。 构成：成膜装置包括处理池（14），主吸盘（62），加热装置（66），淋浴头部分（18），头部周边单元气体供应装置（22）。 真空排空可能，包括处理盆。 主卡盘在处理池内准备。 加工品在上部安装。 加热装置加热经处理的物品。 它位于主卡盘中，并安装淋浴头部分。 在处理池内引入必要的气体。 在处理池内的清洁处理之后，在不断增加温度的情况下提供惰性气体到头部周边单元气体供应装置是淋浴头部分的周边单元。

公开(公告)号：KR1020070058695A

公开(公告)日：2007-06-08

申请号：KR1020077010119

申请日：2005-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  오타도모히로 ,  강송윤 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/314 ,  C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: Plasma is produced on a substrate (W) placed in an airtight processing container (1) by introducing a microwave to a radial line slot antenna (4). Such conditions are set that a pressure in the processing container is 7.32Pa through 8.65Pa, a microwave power is 2000W through 2300W, the distance (L1) between the substrate surface and the opposite surface of a material gas supply member (3) is 70mm through 105mm, and the distance (L2) between the substrate surface and a discharge gas supply member (2) is 100mm through 140mm. Under these conditions, a material gas consisting of cyclic C5F8 gas is activated based on the energy of the microwave. Hence, a film forming seed containing large numbers of C4F6 ions and radicals are obtained. Accordingly, a fluorine-added carbon film excellent in leak characteristics and thermal stability is formed.

Abstract translation: 通过向径向线槽天线（4）引入微波，在放置在气密处理容器（1）的基板（W）上产生等离子体。 这样的条件被设定为处理容器的压力为7.32Pa至8.65Pa，微波功率为2000W至2300W，衬底表面与材料气体供应构件（3）的相对表面之间的距离（L1）为70mm 通过105mm，衬底表面和放电气体供应构件（2）之间的距离（L2）为100mm至140mm。 在这些条件下，基于微波的能量激活由循环C5F8气体组成的原料气体。 因此，获得含有大量C 4 F 6离子和自由基的成膜种子。 因此，形成了泄漏特性和热稳定性优异的氟加成膜。

公开(公告)号：KR101361955B1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：KR1020127009381

申请日：2010-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송윤 ,  마츠쿠마마사아키 ,  가사이시게루 ,  모리시마마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/04 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32431 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633

Abstract: 기밀한 처리 용기(10)내에 반응 가스를 반응시켜 기판 S에 박막을 성막하는 성막 장치(1a)에 있어서, 간막이벽(41)은 기판(S)의 위쪽 공간을 플라즈마 생성 공간(401)과 배기 공간(402)으로 횡방향으로 분할하는 동시에, 처리 용기(10)의 천정부에서 아래쪽으로 신장하여 그 하단과 기판 S의 사이에, 플라즈마 생성 공간(401)으로부터 배기 공간(402)에 가스를 흘리는 간극을 형성한다. 활성화 기구(42, 43)는 플라즈마 생성 공간(401)에 공급된 제 1 반응 가스를 활성화하여 플라즈마를 생성한다. 제 2 반응 가스 공급부(411, 412)는 플라즈마 생성 공간(401)의 하부측에 제 1 반응 가스의 활성종과 반응하여 기판상에 박막을 성막하는 제 2 반응 가스를 공급하고, 진공 배기구(23)는 간막이벽(41)의 하단보다 높은 위치에서 배기 공간(402)을 배기한다.

Abstract translation: 用于通过在密封处理容器10中反应气体反应而在基板S上沉积薄膜的分隔装置1a的特征在于，分隔壁41将基板S上方的空间划分为等离子体产生空间401， 该气体在横向方向上被分成空间402并从处理容器10的顶部向下延伸并处于处理容器10的下端与基板S之间， 形式。 激活机构42和43激活供应到等离子体产生空间401的第一反应气体以产生等离子体。 第二反应气体供应单元411和412在等离子体生成空间401的下侧与第一反应气体的活性物质反应，以在基板上供应用于形成薄膜的第二反应气体， 在比分隔壁41的下端高的位置处排出排气空间402。

公开(公告)号：KR101255900B1

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：KR1020117009509

申请日：2009-11-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송연 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174

Abstract: 기판을 배치하는 배치대에 대향하도록, 하면에 다수의 가스 토출 구멍이 형성된 가스 샤워 헤드를 처리 용기의 상부벽에 설치하고, 이 가스 샤워 헤드의 주위에서의 처리 용기의 천장벽을 유전체로 구성하며, 이 유전체 상에 코일을 설치하여, 기판의 상측의 처리 영역과 이 처리 영역을 둘러싸는 둘레 가장자리부 영역에 있어서 전계가 동일 위상 또는 역 위상이 되도록 가스 샤워 헤드 및 코일에 공급하는 고주파의 위상을 조정한다.

公开(公告)号：KR1020120074198A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020110109178

申请日：2011-10-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  스즈키아유타 ,  사와다이쿠오 ,  신도나오키 ,  요네다마사타케 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for processing a liquid, and a recording medium for performing a program thereof are provided to reducing process time by preventing treatment solution from remaining on a substrate. CONSTITUTION: A substrate holding unit(40) holds a substrate. A treatment solution supply unit(70) supplies treatment solution to the substrate held by the substrate holding unit. A rinsing liquid supply unit(80) supplies rising liquid to the substrate. A light emitting element(112) emits light to a surface of the substrate. A control unit(200) controls the substrate holding unit, the treatment solution apply unit, the rinsing liquid supply unit and the light emitting unit.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理液体的装置和方法以及用于执行其程序的记录介质，以通过防止处理溶液残留在基板上来缩短处理时间。 构成：基板保持单元（40）保持基板。 处理溶液供给单元（70）将处理液供给到由基板保持单元保持的基板。 冲洗液供给单元（80）将上升的液体供给到基板。 发光元件（112）向衬底的表面发光。 控制单元（200）控制基板保持单元，处理溶液施加单元，冲洗液体供应单元和发光单元。

公开(公告)号：KR1020110059797A

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：KR1020117009509

申请日：2009-11-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  강송연 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174

Abstract: 기판을 배치하는 배치대에 대향하도록, 하면에 다수의 가스 토출 구멍이 형성된 가스 샤워 헤드를 처리 용기의 상부벽에 설치하고, 이 가스 샤워 헤드의 주위에서의 처리 용기의 천장벽을 유전체로 구성하며, 이 유전체 상에 코일을 설치하여, 기판의 상측의 처리 영역과 이 처리 영역을 둘러싸는 둘레 가장자리부 영역에 있어서 전계가 동일 위상 또는 역 위상이 되도록 가스 샤워 헤드 및 코일에 공급하는 고주파의 위상을 조정한다.

Abstract translation: 安装多个气体喷头的气体放电形成在下部孔中，以便面对安装台用于放置在所述处理容器的顶壁的基板，和在介电材料的气体喷头的周围配置所述处理容器的顶壁，和 ，通过安装在电介质线圈，电场的高频相位被供给到气体喷淋头和线圈是同相或异的在处理区相和周围的处理区域是所述衬底的所述顶面的周缘部区域 调整。

公开(公告)号：KR100796867B1

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：KR1020067027156

申请日：2005-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노고우이치 ,  고우사카히로유키 ,  이시바시기요타카 ,  사와다이쿠오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46

Abstract: 평면 안테나 부재(3)에 복수의 동심원으로 링 형상의 슬롯(300~304)을 형성하여, 중심부의 도체(310, 311)의 두께를 상대적으로 얇게 형성하고, 주변부의 도체(312~315)의 두께를 상대적으로 두껍게 형성함으로써, 슬롯(300~304)에 의해 마이크로파가 감쇠하지 않고 통과하기 쉽게 되어, 균일한 전계 분포가 얻어져 처리 공간 내에 평균적으로 균일한 고밀도의 플라즈마를 생기게 할 수 있기 때문에, 피처리체를 안테나 부재(3)에 가까이 할 수 있어, 피처리체를 고속으로 균일하게 처리하는 것이 가능하게 된다.