公开(公告)号：KR101747498B1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020140158391

申请日：2014-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 홍석형 ,  몬덴,다이치 ,  미야가와,요시히로 ,  고이즈미,마사키

IPC: H01L21/67 ,  H05B6/64 ,  H05B6/80

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/642 ,  H05B6/806

Abstract: 마이크로파를이용하여, 기판에대해그 면내에서의온도분포를최대한균일화하면서가열처리를행한다. 마이크로파가열처리장치(1)에서는, 반도체웨이퍼(W)를어닐처리하는동안에, 제어부(8)의제어에의해, 샤워헤드(60) 및가스도입구(12b)로부터, 각각독립된유량으로냉각가스를분사한다. 샤워헤드(60)로부터는, 소정의유량의페이스플로우로웨이퍼(W)의주면을향해냉각가스를분사한다. 가스도입구(12b)로부터는, 샤워플레이트(63)의복수의가스분사구(63a)를통해웨이퍼(W)의주면과평행한방향으로소정의유량의사이드플로우로웨이퍼(W)를향해냉각가스를분사한다.

公开(公告)号：KR1020150061570A

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：KR1020140158391

申请日：2014-11-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 홍석형 ,  몬덴,다이치 ,  미야가와,요시히로 ,  고이즈미,마사키

IPC: H01L21/67 ,  H05B6/64 ,  H05B6/80

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/642 ,  H05B6/806

Abstract: 마이크로파를이용하여, 기판에대해그 면내에서의온도분포를최대한균일화하면서가열처리를행한다. 마이크로파가열처리장치(1)에서는, 반도체웨이퍼(W)를어닐처리하는동안에, 제어부(8)의제어에의해, 샤워헤드(60) 및가스도입구(12b)로부터, 각각독립된유량으로냉각가스를분사한다. 샤워헤드(60)로부터는, 소정의유량의페이스플로우로웨이퍼(W)의주면을향해냉각가스를분사한다. 가스도입구(12b)로부터는, 샤워플레이트(63)의복수의가스분사구(63a)를통해웨이퍼(W)의주면과평행한방향으로소정의유량의사이드플로우로웨이퍼(W)를향해냉각가스를분사한다.

Abstract translation: 根据本发明，通过使用微波确保温度分布的最大均匀性在基板的表面上进行热处理。 微波热处理装置（1）在对半导体晶片（W）进行退火处理的同时，在控制部（8）的控制下从喷头（60）和气体导入开口（12b）分别喷射各自的冷却气体量 ）。 从喷淋头（60）朝向晶片（W）的主面注入规定量的面流冷却气体。 通过多个气体注入口（63a）将预定量的侧流冷却气体从气体导入口（12b）朝着与晶片（W）的主面平行的方向朝向晶片（W）喷射， 淋浴板（63）。