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    마이크로파 가열 처리 장치 및 마이크로파 가열 처리 방법
    1.
    发明公开
    마이크로파 가열 처리 장치 및 마이크로파 가열 처리 방법 无效
    微波加热装置和微波加热方法

    公开(公告)号：KR1020150121668A

    公开(公告)日：2015-10-29

    申请号：KR1020150055074

    申请日：2015-04-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 아시다미츠토시 ,  홍석형

    IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268

    CPC classification number: H05B6/80 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6875 ,  H05B6/6408 ,  H05B6/645

    Abstract: 피처리체에대해균일하고또한효율이좋은가열처리를행하는것이가능한마이크로파가열처리장치및 마이크로파가열처리방법을제공한다. 마이크로파가열처리장치(1)는, 상벽(11), 바닥벽(13) 및측벽부(12)를갖고, 웨이퍼(W)를수용하는처리용기(2)와, 웨이퍼(W)를가열처리하기위한마이크로파를생성하여상벽(11)에형성된하나내지복수의마이크로파도입포트(10)로부터처리용기(2)에도입하는마이크로파도입장치(3)와, 웨이퍼(W)에당접함으로써처리용기(2) 내에서상벽(11)에대향하는위치에웨이퍼(W)를유지하는유지부(15)를구비하고있다. 마이크로파가열처리장치(1)에서는, 유지부(15)에의해서, 바닥벽(13)의상면으로부터웨이퍼(W)의하면까지의거리 H1가, 마이크로파의파장λ에대해 H1

    Abstract translation: 本发明提供一种微波加热装置和微波加热方法，其能够对被处理物进行均匀有效的加热。 本发明的微波加热装置（1）包括：处理容器（2），包括：顶壁（11）; 地板壁（13）; 和用于容纳晶片（W）的侧壁单元（12）; 微波引入单元（3），用于产生用于加热晶片（W）的微波并将其从形成在顶壁（11）上的一个或多个微波引入口（10）引入到处理容器（2）; 以及用于接触晶片（W）以将晶片（W）保持在处理容器（2）中面向顶壁（11）的位置的维持单元（15）。 微波加热装置（1）通过保持单元（15）将晶片（W）保持在第一高度位置进行加热，其中H1是从地板壁（13）的顶面到底部的距离 晶片（W）的表面对于作为微波的波长的λ满足H1 <λ/ 2，作为从顶壁（11）的底面到顶壁的顶面的距离的H2 晶片（W）对于作为微波波长的λ，满足3λ/ 4 <= H2 <λ。

    마이크로파 가열 처리 방법
    2.
    发明公开
    마이크로파 가열 처리 방법 审中-实审
    微波热处理方法

    公开(公告)号：KR1020140116797A

    公开(公告)日：2014-10-06

    申请号：KR1020140025589

    申请日：2014-03-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 몬덴,다이이치 ,  기타가와,준이치 ,  홍석형 ,  가베,요시로

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  C30B30/00

    Abstract: According to the present invention, a single crystal is formed on a substrate surface in the heat treatment for heating a target substrate by introducing a microwave into a processing vessel. For a wafer (W) irradiated with the microwave and an amorphous silicon formed on the wafer (W), the amorphous silicon is single crystallized on the interface of the wafer (W) and the amorphous silicon. The regions other than the interface are heated at a first temperature, which does not cause nucleation, for a predetermined period, and is heated at a second temperature higher than the first temperature.

    Abstract translation: 根据本发明，在用于通过将微波引入处理容器来加热目标基板的热处理中，在基板表面上形成单晶。 对于用微波照射的晶片（W）和形成在晶片（W）上的非晶硅，非晶硅在晶片（W）和非晶硅的界面上单晶化。 界面以外的区域在不会造成成核的第一温度下加热预定时间，并且在比第一温度高的第二温度下被加热。

    마이크로파 가열 장치 및 가열 방법
    5.
    发明公开
    마이크로파 가열 장치 및 가열 방법 无效
    微波加热装置和加热方法

    公开(公告)号：KR1020140147018A

    公开(公告)日：2014-12-29

    申请号：KR1020140071472

    申请日：2014-06-12

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 몬덴다이치 ,  시모무라고우지 ,  홍석형 ,  미야가와요시히로 ,  야마시타쥰 ,  이케다다로 ,  모토무라유키

    IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H05B6/70 ,  H05B6/74 ,  H05B6/80

    CPC classification number: H05B6/74 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806 ,  H05B2206/044

    Abstract: The present invention provides a microwave heating apparatus and a heating method, capable of uniformly and effectively heating an object to be processed. The microwave heating apparatus (1) includes a phase control unit (7) configured to change a phase of a standing wave of a microwave introduced into a process container (2) by a microwave introduction unit (3). The phase control unit (7) includes a recessed portion recessed more than an inner surface (13b) of a bottom portion (13) of the processing container (2). The phase control unit (3) is formed of the bottom portion (13), and a fixing plate (27) installed at a lower surface of the bottom portion (13) from the outer side of the process container (2). The phase of the standing wave in the process container (2) is changed by the incidence and reflection of the microwave in the recessed portion of the phase control unit (7) surrounded by a metallic wall.

    Abstract translation: 本发明提供一种微波加热装置和加热方法，能够均匀有效地加热待加工物体。 微波加热装置（1）包括相位控制单元（7），其被配置为通过微波引入单元（3）改变引入到处理容器（2）中的微波的驻波的相位。 相位控制单元（7）包括比处理容器（2）的底部（13）的内表面（13b）凹陷的凹部。 相位控制单元（3）由底部（13）和从处理容器（2）的外侧安装在底部（13）的下表面处的固定板（27）形成。 处理容器（2）中的驻波的相位通过由金属壁包围的相位控制单元（7）的凹部中的微波的入射和反射而改变。

    마이크로파 가열 처리 장치 및 마이크로파 가열 처리 방법
    8.
    发明公开
    마이크로파 가열 처리 장치 및 마이크로파 가열 처리 방법 有权
    微波热处理装置和微波加热处理方法

    公开(公告)号：KR1020150061570A

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：KR1020140158391

    申请日：2014-11-14

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 홍석형 ,  몬덴,다이치 ,  미야가와,요시히로 ,  고이즈미,마사키

    IPC: H01L21/67 ,  H05B6/64 ,  H05B6/80

    CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/642 ,  H05B6/806

    Abstract: 마이크로파를이용하여, 기판에대해그 면내에서의온도분포를최대한균일화하면서가열처리를행한다. 마이크로파가열처리장치(1)에서는, 반도체웨이퍼(W)를어닐처리하는동안에, 제어부(8)의제어에의해, 샤워헤드(60) 및가스도입구(12b)로부터, 각각독립된유량으로냉각가스를분사한다. 샤워헤드(60)로부터는, 소정의유량의페이스플로우로웨이퍼(W)의주면을향해냉각가스를분사한다. 가스도입구(12b)로부터는, 샤워플레이트(63)의복수의가스분사구(63a)를통해웨이퍼(W)의주면과평행한방향으로소정의유량의사이드플로우로웨이퍼(W)를향해냉각가스를분사한다.

    Abstract translation: 根据本发明，通过使用微波确保温度分布的最大均匀性在基板的表面上进行热处理。 微波热处理装置（1）在对半导体晶片（W）进行退火处理的同时，在控制部（8）的控制下从喷头（60）和气体导入开口（12b）分别喷射各自的冷却气体量 ）。 从喷淋头（60）朝向晶片（W）的主面注入规定量的面流冷却气体。 通过多个气体注入口（63a）将预定量的侧流冷却气体从气体导入口（12b）朝着与晶片（W）的主面平行的方向朝向晶片（W）喷射， 淋浴板（63）。

    매칭 방법 및 마이크로파 가열 처리 방법
    9.
    发明公开
    매칭 방법 및 마이크로파 가열 처리 방법 审中-实审
    匹配方法和微波加热处理方法

    公开(公告)号：KR1020150060567A

    公开(公告)日：2015-06-03

    申请号：KR1020140164252

    申请日：2014-11-24

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 홍석형 ,  아시다미츠토시 ,  미야가와요시히로 ,  고이즈미마사키

    IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/67115 ,  H05B6/6411 ,  H05B6/705 ,  H05B6/806

    Abstract: 본발명은, 마이크로파가열처리장치에있어서, 반사파를억제하고, 마이크로파의이용효율이높은상태로기판에대해가열처리를행하는것을가능하게하는매칭방법및 마이크로파가열처리방법을제공한다. 스텝 S1에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로조정한다. 스텝 S2에서는, 웨이퍼 W를제 1 높이위치로유지한상태에서, 마그네트론(31)과처리용기(2)간의임피던스의매칭을행한다. 스텝 S3에서는, 웨이퍼 W의온도를지표로하여제 2 높이위치를결정한다. 스텝 S4에서는, 웨이퍼 W를제 2 높이위치로유지한상태에서, 재차임피던스의매칭을행한다. 스텝 S5에서는, 마이크로파도입장치(3)에의해서처리용기(2) 내에마이크로파를도입하고, 제 2 높이위치로유지한웨이퍼 W에대해마이크로파를조사하는것에의해가열처리를행한다.

    Abstract translation: 在用于微波加热的装置中，提供一种匹配方法和加热微波的方法，该方法能够高效地抑制反射波并加热基板。 微波加热方法包括：将晶片（W）调整到第一高度位置的步骤（S1） 用于当晶片（W）保持在第一高度位置时匹配磁控管（31）和处理容器（2）之间的阻抗的步骤（S2） 用于基于所述晶片（W）的温度确定第二高度位置的步骤（S3）; 当所述晶片（W）保持在所述第二高度位置时，再次进行阻抗匹配的步骤（S4） 通过微波引入装置（3）将通过微波引入处理容器（2）的微波照射保持在第二高度位置的晶片（W）进行加热处理的步骤（S5）。

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