公开(公告)号：KR1019930014829A

公开(公告)日：1993-07-23

申请号：KR1019920024811

申请日：1992-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 이시카와요시오 ,  고지마히로시 ,  히라쓰카마사히토

IPC: H01L21/306

Abstract: 주파수전계와 그의 전계에 직교하는 전계에 의하여 마그네트론 방전을 발생시키어 에칭가스의 플라즈마를 발생시키고 폴리 실리콘층에 대표되는 실리콘 함유층을 가지는(피처리체를 플라즈마 중에 노출하여 실리콘 함유층을 에칭할때에 에칭가스와 HBr 가스, HBr가스와 Cl
2 가스와 혼합 가스, 또는 HBr 가스와 Cl
2 가스의 혼합가스를 주체로 하는 것, 또는 여기에 O
2 와 같은 산소를 포함하는 가스를 첨가하는 것을 사용한다.

公开(公告)号：KR1019900017120A

公开(公告)日：1990-11-15

申请号：KR1019900005427

申请日：1990-04-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마히로시 ,  다하라요시후미 ,  아라이이즈미

IPC: H01L21/306

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR100140520B1

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019900005815

申请日：1990-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마히로시 ,  다하라요시후미 ,  아라이이즈미

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 내용없음.

公开(公告)号：KR100179384B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019920024811

申请日：1992-12-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 이시카와요시오 ,  고지마히로시 ,  히라쓰카마사히토

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 주파수전계와그의전계에직교하는전계에의하여마그네트론방전을발생시키어에칭가스의플라즈마를발생시키고, 폴리실리콘층에대표되는실리콘함유층을가지는피처리체를플라즈마중에노출하여실리콘함유층을에칭할때에에칭가스와 HBr 가스, HBr가스와 Cl가스의혼합가스, 또는 HBr가스와 Cl가스의혼합가스를주체로하는것, 또는여기에 O와같은산소를포함하는가스를첨가한것을사용한다.

Abstract translation: 高频电场，并通过垂直于其电场的电场生成蚀刻气体的等离子sikieo产生磁控管放电，时间向受试者以与在暴露于等离子体的多晶硅层代表的含硅层进行处理提及的含硅层蚀刻气体和 HBr气体，HBr气体和Cl气体的混合气体，或HBr气体和Cl气体的混合气体或添加有氧气如O的气体。

公开(公告)号：KR100156244B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019900005427

申请日：1990-04-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마히로시 ,  다하라요시후미 ,  아라이이즈미

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32862 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 내용없음

公开(公告)号：KR1019900017117A

公开(公告)日：1990-11-15

申请号：KR1019900005815

申请日：1990-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고지마히로시 ,  다하라요시후미 ,  아라이이즈미

IPC: H01L21/302

Abstract: 내용 없음