公开(公告)号：KR100886553B1

公开(公告)日：2009-03-02

申请号：KR1020047007208

申请日：2002-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카미치오 ,  기요타마코토 ,  아이우치다카시 ,  우에무라료이치

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70491 ,  G01N21/95607 ,  G03F7/70625 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판의 바탕막을 형성할 때에 예를 들면 웨이퍼의 스크라이브라인 상에 미리 각형의 제 1 검사패턴을 작성해 두고, 레지스트패턴을 작성할 때에 위에서 본 상태에서 제 1 검사패턴에 대하여 일직선이 되도록 제 2 검사패턴을 작성해 둔다. 제 1, 제 2 검사패턴을 포함한 영역에 빛을 조사하여, 반사한 회절광에 기초하여 스펙트럼을 작성하면, 그 중에는 제 2 검사패턴의 선폭과, 양 검사패턴의 피치와의 정보가 포함된다. 그래서 미리 여러가지 검사패턴에 기초한 스펙트럼군을 시뮬레이션으로 작성하여, 실제의 스펙트럼과 비교함으로써, 가장 근사한 스펙트럼을 선택하여, 상기 선폭과 피치를 추정하여 레지스트패턴을 평가한다.

公开(公告)号：KR1020050044426A

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：KR1020047007208

申请日：2002-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카미치오 ,  기요타마코토 ,  아이우치다카시 ,  우에무라료이치

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G03F7/70491 ,  G01N21/95607 ,  G03F7/70625 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A square first inspection pattern is formed in advance on, e.g. a wafer's scribe line when the base film of a substrate is formed, and a second inspection pattern is formed so as to be aligned with the first inspection pattern when viewed from the above when a resist pattern is formed. When light is applied to an area including the first and second inspection patterns and spectrum is formed based on the reflected diffraction light, it includes therein information on the line width of the second inspection pattern and the pitches of the both inspection patterns. When a spectrum group based on various inspection patterns are formed by simulation for comparing with an actual spectrum, the most approximating spectrum is selected to estimate the above line width and the pitches, thereby evaluating a resist pattern.

Abstract translation: 例如，预先形成正方形的第一检查图案。 当形成基板的基膜时形成晶片的划线，并且当形成抗蚀剂图案时，形成第二检查图案以便与上述一样从第一检查图案对准。 当将光施加到包括第一和第二检查图案的区域并且基于反射的衍射光形成光谱时，其中包括关于第二检查图案的线宽度和两个检查图案的间距的信息。 当通过仿真形成基于各种检查图案的光谱组以与实际光谱进行比较时，选择最近似的光谱来估计上述线宽和间距，由此评估抗蚀剂图案。