公开(公告)号：KR1020120001773A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：KR1020117024946

申请日：2010-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 긴타카히로키 ,  오즈도시히사 ,  다카하시마사히코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 위에 마스크 패턴을 형성한 후에 에칭 처리에 의해 원하는 패턴을 형성하도록 기판을 처리는 방법은, 기판 위에 2개의 층을 형성하는 단계; 그 2개의 층 중 하나의 층의 마스크 패턴 또는 에칭된 패턴의 폭을 측정하는 단계; 및 측정된 폭에 기초하여, 에칭 처리에 사용되는 HBr 가스 및 다른 가스 중 어느 하나의 유량을 조정하는 단계를 포함한다. 이 2개의 층은 실리콘 질화물층 및 유기 유전체층을 포함할 수도 있다.