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公开(公告)号：KR101333352B1
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：KR1020127034197
申请日：2011-04-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 오즈도시히사
IPC: H01L21/3065 , H01L27/092 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/76834 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 기판에 형성된 절연막을 에칭할 때, 절연막의 하층에 산소 플라즈마의 악영향이 생기는 것을 방지할 수 있는 에칭 방법을 제공한다. 본 발명의 에칭 방법은 절연막(222)을 플라즈마화한 처리 가스에 노출시켜, 절연막(222)을 두께 방향으로 도중까지 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정의 종료 후에 잔존하는 절연막(222)을 산소 플라즈마에 노출시켜, 잔존하는 절연막(222)의 표면에 퇴적된 퇴적물을 제거하는 퇴적물 제거 공정과, 잔존하는 절연막(222)을 플라즈마화한 처리 가스에 노출시켜, 잔존하는 절연막(222)을 에칭하는 제 2 에칭 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR101808380B1
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：KR1020147033022
申请日：2013-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02315 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32139
Abstract: 일실시예에있어서는, 레지스트마스크를처리하는방법을제공한다. 이방법은 (a) 처리용기내에서, 패터닝된레지스트마스크가그 위에마련된피처리기체를준비하는공정과, (b) 처리용기내에수소를함유하는가스를공급하고, 해당처리용기내에마이크로파를공급하여, 상기수소를함유하는가스의플라즈마를생성하는공정을포함한다. 수소를함유하는가스는, 예컨대 H가스여도된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140119011A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020147018465
申请日：2012-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01L21/30621 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L29/4916 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659
Abstract: 일 실시형태에서는, 표면에 Ni 및 Si를 포함하는 제1 층과, Si 및 N을 포함하는 제2 층이 노출된 피처리 기체에 있어서, 제2 층을 에칭하는 방법을 제공한다. 일 실시형태의 방법은, (a) 피처리 기체를 처리 용기 내에서 준비하는 공정과, (b) 처리 용기 내에 탄소 및 불소를 포함하고 산소를 포함하지 않는 제1 처리 가스를 공급하고, 상기 처리 용기 내에서 플라즈마를 발생시키는 공정을 포함한다.
Abstract translation: 示例性实施例提供了一种蚀刻待处理的基体中的第二层的方法，该第一层具有包含Ni和Si的第一层和暴露于其表面的含有Si和N的第二层。 根据示例性实施例的方法包括（a）在处理室中制备待处理的基体，以及（b）将含有碳和氟但不含氧的第一处理气体供应到处理室中并产生等离子体 处理室。
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公开(公告)号：KR102003058B1
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：KR1020147018465
申请日：2012-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号：KR1020150023288A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020147033022
申请日：2013-06-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/02315 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/0273 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32139
Abstract: 일 실시예에 있어서는, 레지스트 마스크를 처리하는 방법을 제공한다. 이 방법은 (a) 처리 용기 내에서, 패터닝된 레지스트 마스크가 그 위에 마련된 피처리 기체를 준비하는 공정과, (b) 처리 용기 내에 수소를 함유하는 가스를 공급하고, 해당 처리 용기 내에 마이크로파를 공급하여, 상기 수소를 함유하는 가스의 플라즈마를 생성하는 공정을 포함한다. 수소를 함유하는 가스는, 예컨대 H
2 가스여도 된다.-
公开(公告)号：KR1020130023286A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020127034197
申请日：2011-04-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 오즈도시히사
IPC: H01L21/3065 , H01L27/092 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/76834 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 기판에 형성된 절연막을 에칭할 때, 절연막의 하층에 산소 플라즈마의 악영향이 생기는 것을 방지할 수 있는 에칭 방법을 제공한다. 본 발명의 에칭 방법은 절연막(222)을 플라즈마화한 처리 가스에 노출시키고, 절연막(222)을 두께 방향으로 도중까지 에칭하는 제 1 에칭 공정과, 제 1 에칭 공정의 종료 후에 잔존하는 절연막(222)을 산소 플라즈마에 노출시키고, 잔존하는 절연막(222)의 표면에 퇴적된 퇴적물을 제거하는 퇴적물 제거 공정과, 잔존하는 절연막(222)을 플라즈마화한 처리 가스에 노출시키고, 잔존하는 절연막(222)을 에칭하는 제 2 에칭 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020120001773A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020117024946
申请日：2010-03-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3081 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 기판 위에 마스크 패턴을 형성한 후에 에칭 처리에 의해 원하는 패턴을 형성하도록 기판을 처리는 방법은, 기판 위에 2개의 층을 형성하는 단계; 그 2개의 층 중 하나의 층의 마스크 패턴 또는 에칭된 패턴의 폭을 측정하는 단계; 및 측정된 폭에 기초하여, 에칭 처리에 사용되는 HBr 가스 및 다른 가스 중 어느 하나의 유량을 조정하는 단계를 포함한다. 이 2개의 층은 실리콘 질화물층 및 유기 유전체층을 포함할 수도 있다.
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