公开(公告)号：KR100866656B1

公开(公告)日：2008-11-03

申请号：KR1020070025813

申请日：2007-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라고스케 ,  사이토스스무 ,  노자와슈지

IPC: H01L21/3065

Abstract: 기판의 종별을 자동적으로 판정하고, 판정된 기판의 종별에 따른 종점 검출 설정을 자동적으로 선택하는 것에 의해, 기판의 종별에 관계없이 정확한 종점 검출을 실행한다.
복수의 웨이퍼 종별에 대응해서 설정되는 웨이퍼 종별 데이터와 광학 데이터의 상관관계를 미리 구하고, 웨이퍼를 플라즈마 처리할 때에는 상관관계를 이용하고, 플라즈마 처리를 개시했을 때에 얻어지는 광학 데이터로부터 웨이퍼 종별 데이터를 산출하고(S221, S222), 산출한 웨이퍼 종별 데이터에 의거해서 웨이퍼 종별을 판정하며(S223), 판정한 웨이퍼 종별에 대응하는 종점 검출 설정 데이터를 데이터 기억 수단에 기억된 각 종점 검출 설정 데이터로부터 선택하고(S224), 선택한 종점 검출 설정 데이터에 의거해서 플라즈마 처리의 종점 검출을 실행한다.

公开(公告)号：KR101755761B1

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：KR1020140054014

申请日：2014-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케나가유이치 ,  노자와슈지

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/6708

Abstract: 본발명은막 두께분포의제어가가능한기판처리방법을제공하는것을목적으로한다. 기판처리방법은, 승온또는강온을포함하는설정온도프로파일로, 처리용기내에서처리가스를이용하여피처리체상에막을형성하는성막공정과, 상기막을에칭하는에칭공정을포함하고, 상기에칭공정은, 상기성막공정에서의성막온도에따라에칭률이변화하는상기막을에칭하는공정이며, 상기설정온도프로파일은, 상기에칭공정에서의에칭률의상기성막온도에대한제1 온도의존성과, 상기성막공정에서의성막량의상기성막온도에대한제2 온도의존성에기초하여결정된다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够控制膜厚分布的基板处理方法。 的基板处理方法，在设定温度曲线包括温度增加或温度的降低，在使用处理气体特征的成膜工序和包括在蚀刻处理中的处理容器具有称为膜，在一块形成膜的蚀刻步骤是 中，成膜工艺是在膜中提到了一个过程eseoui使得蚀刻速率与成膜温度而变化，设定的温度曲线为第一温度依赖性和所述沉积eseoui沉积过程的蚀刻速率的成膜温度eseoui蚀刻步骤 基于成膜温度的第二温度依赖性来确定。

公开(公告)号：KR1020140133449A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：KR1020140054014

申请日：2014-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케나가유이치 ,  노자와슈지

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/6708

Abstract: 본 발명은 막 두께 분포의 제어가 가능한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 처리 방법은, 승온 또는 강온을 포함하는 설정 온도 프로파일로, 처리 용기 내에서 처리 가스를 이용하여 피처리체 상에 막을 형성하는 성막 공정과, 상기 막을 에칭하는 에칭 공정을 포함하고, 상기 에칭 공정은, 상기 성막 공정에서의 성막 온도에 따라 에칭률이 변화하는 상기 막을 에칭하는 공정이며, 상기 설정 온도 프로파일은, 상기 에칭 공정에서의 에칭률의 상기 성막 온도에 대한 제1 온도 의존성과, 상기 성막 공정에서의 성막량의 상기 성막 온도에 대한 제2 온도 의존성에 기초하여 결정된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够控制膜厚分布的基板处理方法。 作为包括温度升高或强温度的设定温度曲线的基板处理方法包括：使用处理容器内的处理气体在被处理物上形成膜的成膜工序; 以及蚀刻该膜的蚀刻工艺。 蚀刻工艺是根据在成膜工艺中形成膜的温度来蚀刻蚀刻速率改变的膜的工艺。 基于关于成膜温度的成膜工艺中的蚀刻速率的第一温度依赖性和成膜温度对成膜工艺中的成膜量的第二温度依赖性来确定设定温度分布。

公开(公告)号：KR1020070094528A

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：KR1020070025813

申请日：2007-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라고스케 ,  사이토스스무 ,  노자와슈지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32963 ,  H01L21/67069

Abstract: A plasma processing method and apparatus are provided to detect accurately an end point of plasma process by determining automatically a type of a substrate and selecting an end point detection set according to the determined type of the substrate. A correlation between wafer assortment data and optical data is previously calculated according to plural kinds of wafers. The correlation is utilized when the wafer is subjected to plasma, and wafer assortment data is calculated from the optical data obtained when the plasma is started(S221,S222). A kind of the wafer is determined on the basis of the calculated wafer assortment data(S223). End point detection set data corresponding to the determined type of the wafer is selected from each end point detection set data stored in a data memory unit(S224).

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理方法和装置，用于通过自动确定基板的类型并根据所确定的基板类型选择端点检测装置来精确地检测等离子体处理的终点。 先前根据多种晶片来计算晶片分类数据和光学数据之间的相关性。 当晶片经受等离子体时利用相关性，并且从等离子体开始时获得的光学数据计算晶片分类数据（S221，S222）。 基于计算的晶片分类数据确定晶片的种类（S223）。 从存储在数据存储单元中的每个终点检测集数据中选择对应于所确定的晶片类型的终点检测设置数据（S224）。