公开(公告)号：KR1020090035007A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：KR1020097003835

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of treating a substrate, comprising the first step of setting a substrate with metal layer to be treated to a first temperature so that a treating gas containing an organic compound is adsorbed on the metal layer to thereby form a metal complex, and the second step of heating the substrate at a second temperature higher than the first temperature to thereby sublime the metal complex.

Abstract translation: 一种处理基板的方法，包括将待处理金属层的基板设置到第一温度的第一步骤，使得含有有机化合物的处理气体被吸附在金属层上，从而形成金属络合物，第二步骤 在高于第一温度的第二温度下加热基材以使金属络合物升华的步骤。

公开(公告)号：KR101114623B1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020097003835

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A substrate processing method includes a first step of forming a metal complex by allowing a processing gas containing an organic compound to be adsorbed by a metal layer formed on a target substrate while setting the target substrate to be kept at a first temperature, and a second step of sublimating the metal complex by heating the target substrate to maintain it at a second temperature higher than the first temperature.

公开(公告)号：KR101133821B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020117007890

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 처리 방법은 금속층이 형성된 피처리 기판을 제 1 온도로 설정하고, 유기 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 금속층에 흡착시켜 금속착체를 형성하는 제 1 공정과, 상기 피처리 기판을 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 되도록 가열해서, 상기 금속착체를 승화시키는 제 2 공정을 갖는다.

Abstract translation: 一种基板处理方法，包括：第一步骤，通过使目标基板保持在第一温度下，使包含有机化合物的处理气体被形成在目标基板上的金属层吸附而形成金属络合物;以及第二步骤 通过加热目标衬底使其保持在高于第一温度的第二温度来使金属络合物升华。

公开(公告)号：KR1020110057206A

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：KR1020117007890

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 처리 방법은 금속층이 형성된 피처리 기판을 제 1 온도로 설정하고, 유기 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 금속층에 흡착시켜 금속착체를 형성하는 제 1 공정과, 상기 피처리 기판을 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 되도록 가열해서, 상기 금속착체를 승화시키는 제 2 공정을 갖는다.