公开(公告)号：KR1020090035007A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：KR1020097003835

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of treating a substrate, comprising the first step of setting a substrate with metal layer to be treated to a first temperature so that a treating gas containing an organic compound is adsorbed on the metal layer to thereby form a metal complex, and the second step of heating the substrate at a second temperature higher than the first temperature to thereby sublime the metal complex.

Abstract translation: 一种处理基板的方法，包括将待处理金属层的基板设置到第一温度的第一步骤，使得含有有机化合物的处理气体被吸附在金属层上，从而形成金属络合物，第二步骤 在高于第一温度的第二温度下加热基材以使金属络合物升华的步骤。

公开(公告)号：KR100847917B1

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020070029914

申请日：2007-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  후지쯔 가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다키가와유키오 ,  나카타요시히로 ,  다테이시히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: 본 발명에 따른 절연막 및 금속층을 갖는 기판을 처리하는 방법은 상기 기판에 무수 카복실산을 공급하는 공정; 및 상기 기판에 무수 카복실산을 공급하는 공정 중에 상기 기판을 가열하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR101114623B1

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020097003835

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: A substrate processing method includes a first step of forming a metal complex by allowing a processing gas containing an organic compound to be adsorbed by a metal layer formed on a target substrate while setting the target substrate to be kept at a first temperature, and a second step of sublimating the metal complex by heating the target substrate to maintain it at a second temperature higher than the first temperature.

公开(公告)号：KR1020070096973A

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：KR1020070029914

申请日：2007-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  후지쯔 가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다키가와유키오 ,  나카타요시히로 ,  다테이시히데키

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826

Abstract: A substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a fabrication process of a semiconductor device are provided to remove stably an oxide layer from a metal layer formed on a substrate as a processing target. A method for processing a substrate having an insulating layer and a metal layer includes a process for supplying a carboxylic acid anhydride on the substrate. The process for supplying the carboxylic acid anhydride on the substrate includes a process for heating the substrate. The metal layer includes a Cu layer. The method for processing the substrate further includes a process for removing an oxide layer from the metal layer. The method for processing the substrate further includes a dehydration process for the insulating layer. The insulating layer includes at least one of a porous layer and a layer having fluorine.

Abstract translation: 提供基板处理方法，基板处理装置以及半导体装置的制造工艺，以便从作为处理对象的基板上形成的金属层稳定地去除氧化物层。 用于处理具有绝缘层和金属层的基板的方法包括在基板上供给羧酸酐的方法。 在基材上供给羧酸酐的方法包括加热基材的方法。 金属层包括Cu层。 用于处理衬底的方法还包括从金属层去除氧化物层的工艺。 用于处理衬底的方法还包括用于绝缘层的脱水工艺。 绝缘层包括多孔层和具有氟的层中的至少一种。

公开(公告)号：KR101133821B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020117007890

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 처리 방법은 금속층이 형성된 피처리 기판을 제 1 온도로 설정하고, 유기 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 금속층에 흡착시켜 금속착체를 형성하는 제 1 공정과, 상기 피처리 기판을 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 되도록 가열해서, 상기 금속착체를 승화시키는 제 2 공정을 갖는다.

Abstract translation: 一种基板处理方法，包括：第一步骤，通过使目标基板保持在第一温度下，使包含有机化合物的处理气体被形成在目标基板上的金属层吸附而形成金属络合物;以及第二步骤 通过加热目标衬底使其保持在高于第一温度的第二温度来使金属络合物升华。

公开(公告)号：KR1020110057206A

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：KR1020117007890

申请日：2007-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미요시히데노리 ,  이시카와겐지 ,  다테이시히데키 ,  하야시마사카즈 ,  니시카와노부유키

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 기판 처리 방법은 금속층이 형성된 피처리 기판을 제 1 온도로 설정하고, 유기 화합물을 포함하는 처리 가스를 상기 금속층에 흡착시켜 금속착체를 형성하는 제 1 공정과, 상기 피처리 기판을 상기 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 되도록 가열해서, 상기 금속착체를 승화시키는 제 2 공정을 갖는다.