公开(公告)号：KR1020130018823A

公开(公告)日：2013-02-25

申请号：KR1020127028466

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데바리도시노리 ,  사노마사키

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리 용기에서 피처리체에 대하여 고 질소 도우즈량의 플라즈마 질화 처리를 한 후에, 저 질소 도우즈량의 플라즈마 질화 처리를 하는 플라즈마 질화 처리 방법으로서, 고 질소 도우즈량 조건의 플라즈마 질화 처리의 종료후에, 동일한 상기 처리 용기 내에 희가스와 질소 가스와 산소 가스를 도입하고, 처리 용기 내의 압력이 53 Pa 이상 833 Pa 이하이고, 전처리 가스중의 산소 가스의 체적 유량비가 1.5% 이상, 5% 이하의 조건에서 미량 산소 첨가 질소 플라즈마에 의해 처리 용기 내를 플라즈마 시즈닝 처리한다.