公开(公告)号：KR1020100017426A

公开(公告)日：2010-02-16

申请号：KR1020097024758

申请日：2008-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사노마사키 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3143 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115

Abstract: Disclosed is a method for pretreating the inner space of a chamber in plasma nitridation, wherein the inner space of a chamber is pretreated before nitriding an oxide film formed on a substrate in a plasma nitridation process. This method for pretreating the inner space of a chamber in plasma nitridation comprises a step (step 1) wherein a process gas containing oxygen is introduced into the chamber and transformed into a plasma for generating an oxidation plasma within the chamber, and a step (step 2) wherein a process gas containing nitrogen is introduced into the chamber and transformed into a plasma for generating a nitriding plasma within the chamber.

Abstract translation: 公开了一种用于预处理等离子体氮化中的室的内部空间的方法，其中在等离子体氮化处理中在形成在基板上的氧化物膜氮化之前对室的内部空间进行预处理。 用于预处理等离子体氮化室的内部空间的方法包括步骤（步骤1），其中将含有氧气的工艺气体引入室中并转化成用于在室内产生氧化等离子体的等离子体，以及步骤（步骤 2）其中将含有氮气的处理气体引入室中并转化成等离子体，以在室内产生氮化等离子体。

公开(公告)号：KR101935086B1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：KR1020150181406

申请日：2015-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  사노마사키 ,  가미오다카시 ,  다카기도시오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR102068879B1

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：KR1020170150329

申请日：2017-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/11556 ,  H01L21/02 ,  H01L21/285

公开(公告)号：KR1020160076459A

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：KR1020150181406

申请日：2015-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시츠요시 ,  사노마사키 ,  가미오다카시 ,  다카기도시오

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/60 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589

Abstract: 진공분위기에서서로반응하는복수종류의반응가스를치환용의가스의공급을거쳐서순차로공급하여성막처리를실행하는성막장치에있어서, 반응가스와치환용의가스와의치환성이높고, 면내균일성이높은성막처리를실행할수 있는기술을제공한다. 웨이퍼(W)의탑재대(2)의상방에마련된샤워헤드(5)의가스분출구멍(511)을웨이퍼(W)보다넓은영역에배치하는동시에, 이샤워헤드(5) 위의확산공간(50)에, 횡방향으로가스를분산시키도록그 둘레방향을따라서가스토출구(52)가형성된복수의제 1 및제 2 가스분산부(4A, 4B)를배치하고있다. 그리고, 기판의중심부를중심으로하는내측의제 1 원을따라서 4개의제 1 가스분산부(4A)를마련하고, 또한, 제 1 원의외측의제 2 원을따라서 8개의제 2 가스분산부(4B)를이용하고있다.

Abstract translation: 成膜装置技术领域本发明涉及一种成膜装置，其通过在真空条件下连续供给多种反应气体进行成膜处理，所述反应气体通过供给气体进行替换。 本发明提供的技术在反应气体和置换气体之间具有较高的替换能力，能够以均匀的平面进行成膜处理。 本发明设置多个第一和第二气体分配单元（4A，4B），其具有沿圆周方向形成的气体放电单元（52），以便沿着纵向方向将气体分布到淋浴器上的扩散空间（50） 在布置在晶片（W）的大于晶片（W）的区域的工作台（2）的上侧上的喷淋头（5）的气体吹出孔（511）的前端（5）。 本发明在基板的中央部分的内侧的第一圆周配置四个第一气体分配单元（4A），并且在第一圆的外侧沿着第二圆形使用八个第二气体分配单元（4B） 。

公开(公告)号：KR101477831B1

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020097024758

申请日：2008-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사노마사키 ,  이시즈카슈우이치

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3143 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3115

Abstract: 플라즈마질화처리에있어서기판에형성된산화막의질화처리를행하기에앞서서챔버내의전처리를행하는플라즈마질화처리에있어서의챔버내의전처리방법은, 챔버내에산소를함유하는처리가스를공급하여, 플라즈마화해서, 챔버내에산화플라즈마를생성하는공정(단계 1)과, 챔버내에질소를함유하는처리가스를공급하여, 플라즈마화해서, 챔버내에질화플라즈마를생성하는공정(단계 2)을포함한다.

公开(公告)号：KR1020130018823A

公开(公告)日：2013-02-25

申请号：KR1020127028466

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데바리도시노리 ,  사노마사키

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0234

Abstract: 플라즈마 처리 장치의 처리 용기에서 피처리체에 대하여 고 질소 도우즈량의 플라즈마 질화 처리를 한 후에, 저 질소 도우즈량의 플라즈마 질화 처리를 하는 플라즈마 질화 처리 방법으로서, 고 질소 도우즈량 조건의 플라즈마 질화 처리의 종료후에, 동일한 상기 처리 용기 내에 희가스와 질소 가스와 산소 가스를 도입하고, 처리 용기 내의 압력이 53 Pa 이상 833 Pa 이하이고, 전처리 가스중의 산소 가스의 체적 유량비가 1.5% 이상, 5% 이하의 조건에서 미량 산소 첨가 질소 플라즈마에 의해 처리 용기 내를 플라즈마 시즈닝 처리한다.

公开(公告)号：KR100997839B1

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020077030752

申请日：2007-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치 ,  사노마사키

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  Y10T428/24355

Abstract: 본 발명에 따르면, 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서 마이크로파 투과창으로서 이용되는 석영 유리제의 천판의 개량이 개시된다. 천판의 기판 W에 대면하는 면의 표면 조도를, 산술 평균 표면 조도 Ra로 하여 O.2㎛ 이하로 한다. 이에 따라, 마이크로파 플라즈마 처리 중에, 천판이 고전자 밀도 및 고전자 온도의 가혹한 환경에 노출되었다고 하더라도, 천판을 구성하는 석영 유리 재료에 유래하는 파티클의 발생이 최소한으로 억제된다.

公开(公告)号：KR1020080022137A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020077030752

申请日：2007-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키고이치 ,  사노마사키

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  Y10T428/24355

Abstract: Disclosed is a microwave plasma processing apparatus wherein a quartz glass top plate used as a microwave transmitting window is improved. In this microwave plasma processing apparatus, a surface of the top plate facing a substrate W is formed to have an arithmetic average surface roughness Ra of not more than 0.2 mum. Consequently, generation of particles derived from the quarts glass material constituting the top plate can be minimized even when the top plate is exposed to a severe environment of high electron density and high electron temperature. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种微波等离子体处理装置，其中用作微波发射窗的石英玻璃顶板得到改善。 在这种微波等离子体处理装置中，顶板的面向基板W的表面形成为具有不大于0.2μm的算术平均表面粗糙度Ra。 因此，即使当顶板暴露于高电子密度和高电子温度的严酷环境下时，也可以使构成顶板的石英玻璃材料的颗粒的产生最小化。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR101946124B1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：KR1020160174322

申请日：2016-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR101930595B1

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：KR1020160121397

申请日：2016-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카다다히로 ,  고이즈미마사키 ,  사노마사키 ,  홍석형

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28

Abstract: (과제) 평활성이 우수한 TiON막을 성막할 수 있는 TiON막의 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단) 성막 초기 단계에 있어서, Ti 함유 가스와 질화 가스의 교대 공급을 X1회 반복한 후, 산화제를 공급하는 사이클을, Y1 사이클 행하고, 그 후의 성막 단계에 있어서, Ti 함유 가스와 질화 가스의 교대 공급을 X2회 반복한 후, 산화제를 공급하는 사이클을, 소망하는 막 두께가 될 때까지 Y2 사이클 행한다. 이때, 성막 초기 단계의 반복 수 X1과, 그 후의 성막 단계의 반복 수 X2는, X1>X2가 되도록 설정된다.