公开(公告)号：KR100827855B1

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：KR1020067016031

申请日：2005-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  데즈카가즈유키 ,  미요시리사코

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561

Abstract: 반도체 처리 장치(1)는, 공통 반송실(8)에 접속된, 피처리 기판(W)에 처리를 실시하기 위한 복수의 처리실(2)을 포함한다. 각 처리실(2)에 소정의 가스를 공급하기 위한 가스 공급 시스템(40)이 부설된다. 가스 공급 시스템(40)은, 소정 가스의 가스원에 접속된 일차측 접속 유닛(23)과 유량 제어 유닛(13)을 가진다. 일차측 접속 유닛(23)은, 대응하는 처리실(20)의 하측에 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은, 일차측 접속 유닛(23)으로부터 대응하는 처리실(2)내에 가스를 공급하는 가스 라인 상에 배치된다. 유량 제어 유닛(13)은 일차측 접속 유닛(23)의 상측에 적어도 일부가 겹치도록 배치된다.

公开(公告)号：KR101661003B1

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：KR1020117020923

申请日：2009-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 후지킨

Inventor： 히로세준 ,  데즈카가즈유키 ,  우치다요헤이 ,  고요모기무츠노리 ,  마츠다다카히로 ,  도히료우스케 ,  니시노고우지 ,  이케다노부카즈

IPC: G05D7/06 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45561 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/0396

Abstract: 본발명은, 비용을절감하고, 스페이스의감소도가능하게한 유체제어장치를제공하는것을목적으로한다. 유체제어장치(1)는, 유체제어부(2)와유체도입부(3)를포함하고있다. 유체도입부(3)는, 3개로나누어져있고, 입구측에배치되어각각 2×N/2개의개폐밸브(23)로이루어진제1 및제2 입구측차단개방부(5, 6)와, 4×M개의개폐밸브(23)로이루어지며, 제1 및제2 입구측차단개방부(5, 6)와유체제어부(2) 사이에배치된유체제어부측차단개방부(7)를포함한다.

公开(公告)号：KR1020110123258A

公开(公告)日：2011-11-14

申请号：KR1020117020923

申请日：2009-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 후지킨

Inventor： 히로세준 ,  데즈카가즈유키 ,  우치다요헤이 ,  고요모기무츠노리 ,  마츠다다카히로 ,  도히료우스케 ,  니시노고우지 ,  이케다노부카즈

IPC: G05D7/06 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45561 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/0396 ,  G05D7/0617

Abstract: 본 발명은, 비용을 절감하고, 스페이스의 감소도 가능하게 한 유체 제어 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 유체 제어 장치(1)는, 유체 제어부(2)와 유체 도입부(3)를 포함하고 있다. 유체 도입부(3)는, 3개로 나누어져 있고, 입구측에 배치되어 각각 2×N/2개의 개폐 밸브(23)로 이루어진 제1 및 제2 입구측 차단 개방부(5, 6)와, 4×M개의 개폐 밸브(23)로 이루어지며, 제1 및 제2 입구측 차단 개방부(5, 6)와 유체 제어부(2) 사이에 배치된 유체 제어부측 차단 개방부(7)를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060116221A

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020067016031

申请日：2005-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  데즈카가즈유키 ,  미요시리사코

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561

Abstract: A semiconductor treating device (1) includes treating chambers (2) connected to a common transportation chamber (8) and treating a substrate (W) to be treated. A gas supply system (40) for supplying a predetermined gas to each of the treating chambers (2) is attached to each chamber. The gas supply system (40) has a primary side connection unit (23) connected to the source of the predetermined gas and has a flow rate control unit (13). The primary side connection unit (23) is placed on the lower side of the corresponding treating chamber (2). The flow rate control unit (13) is placed on a gas line for supplying the gas from the primary side connection unit (23) to the corresponding treating chamber (2). The flow rate control unit (13) is provided such that at least a part of it is superposed on the upper side of the primary side connection unit (23).

Abstract translation: 半导体处理装置（1）包括连接到公共运输室（8）并处理待处理的基板（W）的处理室（2）。 用于向每个处理室（2）供应预定气体的气体供应系统（40）被附接到每个室。 气体供给系统（40）具有连接到预定气体源的初级侧连接单元（23），并具有流量控制单元（13）。 初级侧连接单元（23）设置在相应的处理室（2）的下侧。 流量控制单元（13）被放置在用于将气体从初级侧连接单元（23）供应到相应的处理室（2）的气体管线上。 流量控制单元（13）设置成使其至少一部分重叠在初级侧连接单元（23）的上侧。