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    처리 프로세스를 조정하는 방법
    1.
    发明公开
    처리 프로세스를 조정하는 방법 审中-实审
    如何调整处理过程

    公开(公告)号：KR1020170106207A

    公开(公告)日：2017-09-20

    申请号：KR1020170028460

    申请日：2017-03-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 히로세준 ,  아미쿠라노리히코 ,  미요시리사코

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

    CPC classification number: F26B3/04 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449

    Abstract: 하나의프로세스레시피를복수의상이한가스공급계에서이용하기위한기술이제공된다. 기판처리장치에서이용되는프로세스레시피를기판처리장치와상이한구성을구비하는기판처리장치에적용하여피처리체를처리하는경우에, 처리프로세스를조정하는방법으로서, 기판처리장치의가스공급계및 기판처리장치의가스공급계에관한장치정보를이용하여, 프로세스레시피의가스처리공정의개시시로부터미리설정된시간만큼, 또는가스처리공정의개시전의미리설정된시간만큼, 가스공급계에있어서의가스의유량을증감시켜, 처리프로세스를조정하는공정을포함하고, 이공정은, 프로세스레시피를이용한기판처리장치의처리프로세스를, 프로세스레시피를이용한기판처리장치의처리프로세스에적합하게한다.

    Abstract translation: 提供了在多个不同的气体供应系统中使用一个工艺配方的技术。 提供了一种在通过将在基板处理设备中使用的处理配方应用于具有不同于基板处理设备的配置的基板处理设备来处理待处理对象的情况下调整处理过程的方法， 使用该装置的气体供给系统的装置信息，从气体处理工序的气体处理工序的开始开始到气体处理工序开始前的规定时间为止的规定时间内，计算气体供给系统内的气体的流量 并且调整处理过程以使得使用处理配方的基板处理设备的处理过程适应于使用过程配方的基板处理设备的处理过程。

    감압 처리 장치에 있어서의 배출 가스 방폭 방법
    2.
    发明公开
    감압 처리 장치에 있어서의 배출 가스 방폭 방법 审中-实审
    防止排气处理装置中的排气爆炸的方法

    公开(公告)号：KR1020150131961A

    公开(公告)日：2015-11-25

    申请号：KR1020150060349

    申请日：2015-04-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  사사키노리카즈 ,  미요시리사코

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: F23N5/24 ,  F23M11/00 ,  F23M2900/11021 ,  G01N25/54 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32844 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10T137/0346

    Abstract: 본발명은, 섞이면폭발가능성이있는특정가연성가스(CH, CHF, CHF)와할로겐계의지연성가스의조합에대해서, 감압처리장치의진공펌프의출구측에서배출가스의폭발을미연에방지하기위해이용하는희석용불활성가스의사용효율을최적화하는것을목적으로한다. 이플라즈마처리장치에있어서, 주제어부(42)는, 배출가스처리부(40)에있어서의배출가스처리의상황을희석컨트롤러(45)를통해관리할수 있다. 배출가스처리부(40)는, 진공펌프(36)의출구에배기관(46)을통해접속되는제해장치(48)와, 진공펌프(36)의출구부근에서배기관(46)에희석가스공급배관(50)을통해접속되는희석가스원(52)과, 희석가스공급배관(50)의중간에설치되는 MFC(54) 및개폐밸브(55)와, 희석가스공급배관(50)의종단(노드 N)보다도하류측에서배기관(46)에부착되는가스센서(56)와, MFC(54)를제어하는희석컨트롤러(45)로구성되어있다.

    Abstract translation: 本发明的目的是优化用于稀释的惰性气体的使用效率，其能够防止在减压处理装置的真空泵的出口处的废气的爆炸。 气体是具有爆炸概率的阻燃气体和特定可燃气体（CH_4，CH_3F，CH_2F_2）的组合。 等离子体处理装置包括通过稀释控制器（45）管理废气处理部（40）的废气处理状况的主控制部（42）。 排气处理部（40）包括通过排气管（46）与真空泵（36）的出口连接的预处理装置（48）。 通过所述真空泵（36）的出口周围的稀释气体供给管（50）与所述排气管（46）连接的稀释气体源（52）。 MFC（54）和开启阀（55），安装在稀释气体供给管（50）的中间部分; 在所述稀释气体供给管的端部（节点N）的下方，安装在所述排气管（46）的气体传感器（56） 和稀释控制器（45）控制MFC（54）。

    가스 공급계를 검사하는 방법
    5.
    发明公开
    가스 공급계를 검사하는 방법 审中-实审
    如何检查供气系统

    公开(公告)号：KR1020170033237A

    公开(公告)日：2017-03-24

    申请号：KR1020160115683

    申请日：2016-09-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  미요시리사코

    IPC: G05D7/06 ,  G01M3/28 ,  H01L21/02

    Abstract: 기판처리장치의가스공급계를검사한다. 일실시형태에서는, 기판처리장치의처리용기내로공급되는가스의유량이제 1 유량제어기에서설정유량에따라제어된다. 또한, 제 1 유량제어기로부터의가스는제 2 유량제어기로도공급된다. 제 1 유량제어기의출력유량이정상상태가되어있을때, 제 2 유량제어기의제 1 압력계의제 1 측정압력값및 제 2 압력계의제 2 측정압력값이취득된다. 제 1 측정압력값과기준압력값과의사이의차분절대값, 및, 제 2 측정압력값과기준압력값과의사이의차분절대값이구해지고, 이들차분절대값의평균값이구해진다. 차분절대값및 평균값은각각, 제1 ~ 제 3 임계치와비교된다.

    Abstract translation: 检查基板处理设备的气体供应系统。 在一个实施例中，现在根据一个流量控制器中的设定流量来控制供应到衬底处理设备的处理容器中的气体的流量。 另外，来自第一流量控制器的气体也被供应给第二流量控制器。 当第一流量控制器的输出流量处于正常状态时，获得第二流量控制器的第一压力计的第一测量压力值和第二压力计的第二测量压力值。 获得第一测量压力值和参考压力值之间的差值的绝对值以及第二测量压力值和参考压力值之间的差值的绝对值，并且获得差值的绝对值的平均值。 将差值的绝对值和平均值分别与第一至第三阈值进行比较。

    플라즈마 처리 장치 및 그 가스 공급 방법
    6.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 그 가스 공급 방법 审中-实审
    等离子体处理装置及其气体供应方法

    公开(公告)号：KR1020120134074A

    公开(公告)日：2012-12-11

    申请号：KR1020120057921

    申请日：2012-05-31

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가토요시유키 ,  아미쿠라노리히코 ,  미요시리사코 ,  후카사와키미히로

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a gas supply method therefor are provided to stably change process gas by controlling transient of a gas flow rate without mixing process gas converted into alternating when each process gas is converted. CONSTITUTION: A gas supply system(200) connects a respective gas supply path to a plurality of process gas sources. The gas supply system supplies desired process gas to a process chamber through the gas supply path. Flow controllers(230A-230D) are installed in each gas supply path. The flow controller controls a flow rate of gas flowing in the gas supply path by controlling openness of a flow controlling valve according to a preset flow rate. An opening/closing valve(216) is installed at a down portion of each flow controller. [Reference numerals] (133, 135) Matcher; (140) Exhaust device; (150) Control part; (152) Operational part; (154) Memory part

    Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，用于通过控制气体流量的瞬变来稳定地改变处理气体，而不会在每个处理气体被转换时将混合气体转化成交替的气体。 构成：气体供应系统（200）将相应的气体供应路径连接到多个处理气体源。 气体供应系统通过气体供应路径将所需的处理气体提供给处理室。 流量控制器（230A-230D）安装在每个气体供应路径中。 流量控制器通过根据预设流量控制流量控制阀的开度来控制在气体供给路径中流动的气体的流量。 开/关阀216安装在每个流量控制器的下部。 （附图标记）（133,135）匹配器; （140）排气装置; （150）控制部分; （152）作业部分; （154）内存部分

    볼트 풀림 방지 장치, 그 부착 방법과 부착 지그, 유체 제어 장치 및 기판 처리 장치
    7.
    发明公开
    볼트 풀림 방지 장치, 그 부착 방법과 부착 지그, 유체 제어 장치 및 기판 처리 장치 审中-实审
    用于防止螺栓松动的装置，连接方法和连接装置，流体控制装置和基板处理装置

    公开(公告)号：KR1020120104112A

    公开(公告)日：2012-09-20

    申请号：KR1020120024374

    申请日：2012-03-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 후지킨

    Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  가가츠메사토시 ,  사토마사히코 ,  나이토유키오 ,  무토사토시 ,  나카타도모히로 ,  시노하라츠토무 ,  야마지미치오

    IPC: F16B39/10 ,  F16B39/12 ,  F16B35/06 ,  B25B23/10

    CPC classification number: F16B39/101 ,  F16B39/103 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/53 ,  Y10T403/50

    Abstract: PURPOSE: A bolt loosening prevention device, an attaching method thereof, an attaching jig, a fluid controlling device, and a substrate processing device are provided to authentically preventing a blot loosening because the rotation of each interlocking member are prevented by a joining member in the state that the relative rotation of the interlocking member with respect to each bolt is impossible. CONSTITUTION: A bolt loosening prevention device comprises interlocking members(2,3) and a joining member(4). The interlocking members are interlocked to each head unit of a plurality of bolts(5) to be respectively relative-rotated. The outer circumferences(2b,3b) of the interlocking members are formed into a non-circular. The joining member is joined to the each interlocking members. The joining member comprises joining units(8a,8b) preventing the movement of the interlocking members. The joining unit is joined to at least a part of the non-circular outer circumference of the interlocking member.

    Abstract translation: 目的：提供一种螺栓松动防止装置，其安装方法，安装夹具，流体控制装置和基板处理装置，以真正防止印迹松动，因为每个互锁构件的旋转通过连接构件 表示互锁构件相对于每个螺栓的相对旋转是不可能的。 构成：螺栓松动防止装置包括互锁构件（2,3）和接合构件（4）。 互锁构件与多个螺栓（5）的每个头单元互锁，以分别相对旋转。 互锁构件的外周（2b，3b）形成为非圆形。 接合部件与各互锁部件接合。 接合构件包括防止互锁构件的移动的接合单元（8a，8b）。 接合单元与互锁构件的非圆形外周的至少一部分接合。

    반도체 처리 장치
    8.
    发明公开
    반도체 처리 장치 有权
    半导体处理器件

    公开(公告)号：KR1020060116221A

    公开(公告)日：2006-11-14

    申请号：KR1020067016031

    申请日：2005-02-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 아미쿠라노리히코 ,  데즈카가즈유키 ,  미요시리사코

    IPC: H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/67167 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45561

    Abstract: A semiconductor treating device (1) includes treating chambers (2) connected to a common transportation chamber (8) and treating a substrate (W) to be treated. A gas supply system (40) for supplying a predetermined gas to each of the treating chambers (2) is attached to each chamber. The gas supply system (40) has a primary side connection unit (23) connected to the source of the predetermined gas and has a flow rate control unit (13). The primary side connection unit (23) is placed on the lower side of the corresponding treating chamber (2). The flow rate control unit (13) is placed on a gas line for supplying the gas from the primary side connection unit (23) to the corresponding treating chamber (2). The flow rate control unit (13) is provided such that at least a part of it is superposed on the upper side of the primary side connection unit (23).

    Abstract translation: 半导体处理装置（1）包括连接到公共运输室（8）并处理待处理的基板（W）的处理室（2）。 用于向每个处理室（2）供应预定气体的气体供应系统（40）被附接到每个室。 气体供给系统（40）具有连接到预定气体源的初级侧连接单元（23），并具有流量控制单元（13）。 初级侧连接单元（23）设置在相应的处理室（2）的下侧。 流量控制单元（13）被放置在用于将气体从初级侧连接单元（23）供应到相应的处理室（2）的气体管线上。 流量控制单元（13）设置成使其至少一部分重叠在初级侧连接单元（23）的上侧。

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