公开(公告)号：KR1020170117480A

公开(公告)日：2017-10-23

申请号：KR1020177025498

申请日：2016-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라스토기비나약 ,  란잔알록

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/0276

Abstract: 패터닝된층 아래에놓인실리콘함유 ARC(반사방지코팅)층을패터닝하는방법이설명되며, 이방법은, 플라즈마처리시스템으로의공정기체의흐름을구축하는단계, 패터닝된층에대한실리콘함유 ARC층의에칭선택비를증가시키는공정조건을선택하는단계, 공정조건에따라플라즈마소스를이용하여공정기체로부터플라즈마를점화시키는단계, 및상기패터닝된층의상기개구피처패턴을상기실리콘함유 ARC 층내로연장시키기위해상기기판을상기플라즈마에노출시키는단계를포함한다.

Abstract translation: 描述了图案化图案化层下方的含硅ARC（抗反射涂层）层的方法，包括：建立工艺气体流入等离子体处理系统;沉积含硅ARC层 选择提高图案层的蚀刻选择性的工艺条件，根据工艺条件使用等离子体源从工艺气体点燃等离子体，并且将图案化层的孔特征图案延伸到含硅ARC层 并将衬底暴露于等离子体。