公开(公告)号：KR1020160121454A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：KR1020160044336

申请日：2016-04-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 라쓰색벤자민엠 ,  서머벨마크에이치

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069

Abstract: 화학템플릿을형성하기위해마이크로전자기판을처리하는방법은기판(10)을패터닝하여규정된트렌치폭(W)의복수의트렌치들(20)을가진트렌치구조물(18)을형성하는단계와, 트렌치구조물(18)을과도충전하도록기판(10) 상에광활성물질(22)을퇴적하여복수의트렌치들(20) 내의충전부분및 트렌치구조물(18) 위의과도충전부분을형성하는단계를포함한다. 방법은또한광활성물질을규정된트렌치폭(W)보다적어도 4배큰 파장을포함하는전자기방사(24)에노출하여과도충전구역이노출에의해변형되도록하는반면전자기방사(24)가복수의트렌치들(20) 쪽으로침투하지못하도록하여충전부분을변형없이남게하는단계와, 광활성물질(22)의변형된과도충전부분을제거하여선택적반응성이온에칭, 선택적퇴적, 또는유도자기조립을위한화학템플릿으로서사용하기위한평탄화된충전된트렌치구조물을형성하는단계를포함한다.