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公开(公告)号:KR1020150013778A
公开(公告)日:2015-02-05
申请号:KR1020147035028
申请日:2013-05-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0002 , G03F7/2041 , Y10T428/24802
Abstract: 계층화 구조물을 패터닝하기 위한 방법은, 아래 놓인 기판의 수평면 상에 현상된 프리패턴 층을 제공하기 위해 포토리소그래피를 수행하는 단계, 이격된 무기 물질 가이드들을 형성하도록 프리패턴 층을 변형하는 단계, 측방향으로 이격된 원통형 피처들을 형성하기 위해 자가 조립 블록 코폴리머(self-assembling block copolymer)의 층을 캐스트 및 어닐링하는 단계, 자가 조립 블록 코폴리머의 하나의 블록의 적어도 일부를 선택적으로 제거함으로써 패턴을 형성하는 단계, 및 아래 놓인 기판에 패턴을 전사하는 단계를 포함한다. 본 방법은 50nm 미만의 패터닝된 계층화 구조물들을 제조하기에 적합하다.
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公开(公告)号:KR101915370B1
公开(公告)日:2018-11-05
申请号:KR1020167013298
申请日:2014-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/308 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3213 , G03F7/00 , G03F7/09
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/091 , G03F7/165 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/0273 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31116 , H01L21/32139
Abstract: 기판상에패터닝된토포그래피를형성하기위한방법이제공된다. 기판에는초기에맨 위에형성된노출된복수의라인들이제공된다. 방법의실시예는, 복수의라인들바로위에놓이는제1 유도성자기조립(DSA, directed self-assembly) 패턴을정렬하고준비하는단계, 및복수의라인들내에컷들의제1 세트를형성하기위하여제1 DSA 패턴을전사하는단계를포함한다. 실시예는그 위에형성된콧들의제1 세트를갖는복수의라인들바로위에놓인제2 DSA 패턴을정렬하고준비하는단계, 및복수의라인들내에컷들의제2 세트를형성하기위하여제2 DSA 패턴을전사하는단계를더 포함한다. 제1 DSA 패턴및 제2 DSA 패턴각각은, 복수의라인들의개별적라인사이의간격의 0.9 내지 1.1배인특징적치수(Lo) 및육방밀집(HCP, hexagonal close-packed) 형태를갖는블록공중합체를포함한다.
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公开(公告)号:KR101845180B1
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:KR1020167013228
申请日:2014-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/00 , G03F7/09 , G03F7/42 , H01L21/308 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3213
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/091 , G03F7/165 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/0273 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31116 , H01L21/32139
Abstract: 기판상에패터닝된토포그래피를형성하기위한방법이제공된다. 기판에는, 현재존재하는토포그래피를구성하는, 맨위에형성된피쳐들이제공되며, 유도성자기조립(DSA)을위한템플릿은노출된토포그래피를둘러싸고형성된다. 방법에더하여, 템플릿은노출된토포그래피를커버하기위하여블록공중합체(BCP)로채워지며, 그후, BCP는자기조립이토포그래피와동일선상에있게만들기위하여템플릿내에서어닐링된다. 어닐링된 BCP의현상은토포그래피바로위에놓인 DSA 패턴을노출시킨다. 일실시예에서, 템플릿또는토포그래피의표면들은그 표면특성을변경하도록처리된다.
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公开(公告)号:KR101755139B1
公开(公告)日:2017-07-06
申请号:KR1020157026176
申请日:2014-02-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/11 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0035 , G03F7/0045 , G03F7/039 , G03F7/168 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40
Abstract: 자기조립물질을포함하는층상기판의형성방법(100)이제공된다. 상기방법(100)은기판위에제1 물질층을형성하는단계(110), 제1 물질층 위에방사선감응성물질층을형성하는단계(120), 방사선감응성물질층을패턴화광으로이미지화하는단계(130), 방사선감응성물질층(130)을가교반응온도이상의온도로가열하는단계(140), 이미지화층을현상하는단계(150), 및블록공중합체패턴을형성하는단계를포함한다. 방사선감응성물질은 (a) 광분해성가교제, (b) 광염기발생제, 또는 (c) 광분해성염기로부터선택되는하나이상의감광성성분; 및가교성중합체를포함하며, 여기서패턴화광에의한이미지화단계에서는비손상감광성성분의실질적인부분을갖는영역에의해둘러싸인분해된감광성성분의실질적인부분을갖는제1 영역에의해한정되는패턴을제공한다.
Abstract translation: 现在提供形成包含自组装材料的分层基板的方法100。 方法100包括在衬底110上形成第一层材料,在第一层材料上形成辐射敏感材料层120, (140)将辐射敏感材料层(130)加热至高于交联反应温度的温度,显影成像层(150),并形成嵌段共聚物图案。 所述辐射敏感材料包含选自(a)可光降解交联剂,(b)光产碱剂或(c)可光降解基质的至少一种光敏组分; 并且其中用图案化光的成像步骤提供由第一区域限定的图案的可交联聚合物,所述第一区域具有被具有大部分完整光敏组分的区域围绕的退化感光组分的大部分。
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公开(公告)号:KR101846109B1
公开(公告)日:2018-04-05
申请号:KR1020167025792
申请日:2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/70608 , G03F7/2022 , G03F7/70633 , G03F7/70675
Abstract: 감광성화학적증폭레지스트(Photo-Sensitized Chemically-Amplified resist; PS-CAR) 패터닝공정에서감광제농도들을측정하는방법이설명된다. 측정된감광제농도들은패터닝공정과후속처리단계들의피드백및 피드포워드제어에서이용될수 있다. 또한, 패터닝공정제어를촉진시키기위해 PS-CAR 레지스트를이용하여형성된계측타겟, 및이러한복수의계측타겟들을포함한기판이설명된다.
Abstract translation: 描述了用于测量光敏化学放大光刻胶(PS-CAR)图案化过程中的光敏剂浓度的方法。 测得的光敏剂浓度可用于图案化过程和后续处理步骤和前馈控制的反馈。 此外,描述了使用PS-CAR抗蚀剂形成的测量目标以促进图案化处理的控制,以及包括这种多个测量目标的基板。
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公开(公告)号:KR1020160073410A
公开(公告)日:2016-06-24
申请号:KR1020167013298
申请日:2014-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/308 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3213 , G03F7/00 , G03F7/09
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/091 , G03F7/165 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/0273 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31116 , H01L21/32139
Abstract: 기판상에패터닝된토포그래피를형성하기위한방법이제공된다. 기판에는초기에맨 위에형성된노출된복수의라인들이제공된다. 방법의실시예는, 복수의라인들바로위에놓이는제1 유도성자기조립(DSA, directed self-assembly) 패턴을정렬하고준비하는단계, 및복수의라인들내에컷들의제1 세트를형성하기위하여제1 DSA 패턴을전사하는단계를포함한다. 실시예는그 위에형성된콧들의제1 세트를갖는복수의라인들바로위에놓인제2 DSA 패턴을정렬하고준비하는단계, 및복수의라인들내에컷들의제2 세트를형성하기위하여제2 DSA 패턴을전사하는단계를더 포함한다. 제1 DSA 패턴및 제2 DSA 패턴각각은, 복수의라인들의개별적라인사이의간격의 0.9 내지 1.1배인특징적치수(Lo) 및육방밀집(HCP, hexagonal close-packed) 형태를갖는블록공중합체를포함한다.
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7.그래포-에피택셜 애플리케이션에서의 블록 공중합체들의 유도성 조립에 대한 토포그래피의 사용 审中-实审
Title translation: 使用地层学方法直接组装嵌段共聚物在GRAPHO-外源应用中的应用公开(公告)号:KR1020160073408A
公开(公告)日:2016-06-24
申请号:KR1020167013228
申请日:2014-10-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/00 , G03F7/09 , G03F7/42 , H01L21/308 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3213
CPC classification number: G03F7/0002 , G03F7/091 , G03F7/165 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/0273 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31116 , H01L21/32139
Abstract: 기판상에패터닝된토포그래피를형성하기위한방법이제공된다. 기판에는, 현재존재하는토포그래피를구성하는, 맨위에형성된피쳐들이제공되며, 유도성자기조립(DSA)을위한템플릿은노출된토포그래피를둘러싸고형성된다. 방법에더하여, 템플릿은노출된토포그래피를커버하기위하여블록공중합체(BCP)로채워지며, 그후, BCP는자기조립이토포그래피와동일선상에있게만들기위하여템플릿내에서어닐링된다. 어닐링된 BCP의현상은토포그래피바로위에놓인 DSA 패턴을노출시킨다. 일실시예에서, 템플릿또는토포그래피의표면들은그 표면특성을변경하도록처리된다.
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8.현상 가능한 하부 반사 방지 코팅 및 염색된 주입물 레지스트를 위한 화학 증폭 방법 및 기술 审中-实审
Title translation: 用于可开发的底部抗反射涂层和染色植入物的化学放大方法和技术公开(公告)号:KR1020160127069A
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:KR1020167026319
申请日:2015-02-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/203 , H01L21/0271
Abstract: 본발명은반도체기판상에감광성필름(예를들어, 반사방지코팅상의포토레지스트)을패터닝하기위한감광성화학증폭레지스트화학물(PS-CAR)을위한방법을설명하고있다. 일실시예에서, 2단계노광프로세스가포토레지스트층내에더 높은산 농도영역을발생할수도있다. PS-CAR 화학물은광산발생제(PAG) 및산으로의 PAG의분해를향상시키는감광제원소를포함할수도있다. 제1 노광은산 및감광제의초기량을발생하는패터닝된 EUV 또는 UV 노광일수도있다. 제2 노광은감광제가필름스택내에위치되는산 발생율을증가시키는감광제를여기하는비-EUV 플러드노광일수도있다. 노광중에에너지의분포는포토레지스트층, 하위층, 및/또는상위층의특정특성(예를들어, 두께, 굴절률, 도핑)을사용하여최적화될수도있다.
Abstract translation: 本文的公开内容描述了用于光敏化学放大抗蚀化学品(PS-CAR)在半导体衬底上图案感光膜(例如抗反射涂层上的光致抗蚀剂)的方法。 在一个实施方案中,两步曝光工艺可在光致抗蚀剂层内产生更高的酸浓度区域。 PS-CAR化学品可以包括光酸产生剂(PAG)和增强PAG分解成酸的光敏剂元素。 第一次曝光可以是产生初始量的酸和光敏剂的图案化的EUV或UV曝光。 第二次暴露可能是非EUV泛滥暴露,其激发光敏剂,其增加了光敏剂位于膜堆中的酸产生速率。 可以通过使用光致抗蚀剂层,下层和/或上覆层的某些特性(例如,厚度,折射率,掺杂)来优化曝光期间的能量分布。
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公开(公告)号:KR1020160124844A
公开(公告)日:2016-10-28
申请号:KR1020167025792
申请日:2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G03F7/70608 , G03F7/2022 , G03F7/70633 , G03F7/70675 , G03F7/38
Abstract: 감광성화학적증폭레지스트(Photo-Sensitized Chemically-Amplified resist; PS-CAR) 패터닝공정에서감광제농도들을측정하는방법이설명된다. 측정된감광제농도들은패터닝공정과후속처리단계들의피드백및 피드포워드제어에서이용될수 있다. 또한, 패터닝공정제어를촉진시키기위해 PS-CAR 레지스트를이용하여형성된계측타겟, 및이러한복수의계측타겟들을포함한기판이설명된다.
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公开(公告)号:KR1020160121454A
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:KR1020160044336
申请日:2016-04-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/04 , H01L21/3065 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0002 , G03F7/40 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/0275 , H01L21/0475 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/67069
Abstract: 화학템플릿을형성하기위해마이크로전자기판을처리하는방법은기판(10)을패터닝하여규정된트렌치폭(W)의복수의트렌치들(20)을가진트렌치구조물(18)을형성하는단계와, 트렌치구조물(18)을과도충전하도록기판(10) 상에광활성물질(22)을퇴적하여복수의트렌치들(20) 내의충전부분및 트렌치구조물(18) 위의과도충전부분을형성하는단계를포함한다. 방법은또한광활성물질을규정된트렌치폭(W)보다적어도 4배큰 파장을포함하는전자기방사(24)에노출하여과도충전구역이노출에의해변형되도록하는반면전자기방사(24)가복수의트렌치들(20) 쪽으로침투하지못하도록하여충전부분을변형없이남게하는단계와, 광활성물질(22)의변형된과도충전부분을제거하여선택적반응성이온에칭, 선택적퇴적, 또는유도자기조립을위한화학템플릿으로서사용하기위한평탄화된충전된트렌치구조물을형성하는단계를포함한다.
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