블록 코폴리머들을 이용한 패턴들의 형성 및 그 물품들
    1.
    发明公开
    블록 코폴리머들을 이용한 패턴들의 형성 및 그 물품들 审中-实审
    使用块状共聚物和文章形成图案

    公开(公告)号:KR1020150013778A

    公开(公告)日:2015-02-05

    申请号:KR1020147035028

    申请日:2013-05-13

    CPC classification number: G03F7/40 G03F7/0002 G03F7/2041 Y10T428/24802

    Abstract: 계층화 구조물을 패터닝하기 위한 방법은, 아래 놓인 기판의 수평면 상에 현상된 프리패턴 층을 제공하기 위해 포토리소그래피를 수행하는 단계, 이격된 무기 물질 가이드들을 형성하도록 프리패턴 층을 변형하는 단계, 측방향으로 이격된 원통형 피처들을 형성하기 위해 자가 조립 블록 코폴리머(self-assembling block copolymer)의 층을 캐스트 및 어닐링하는 단계, 자가 조립 블록 코폴리머의 하나의 블록의 적어도 일부를 선택적으로 제거함으로써 패턴을 형성하는 단계, 및 아래 놓인 기판에 패턴을 전사하는 단계를 포함한다. 본 방법은 50nm 미만의 패터닝된 계층화 구조물들을 제조하기에 적합하다.

    광분해성 작용제를 사용하여 자기 조립 물질을 포함하는 층상 기판을 형성하는 방법
    4.
    发明授权
    광분해성 작용제를 사용하여 자기 조립 물질을 포함하는 층상 기판을 형성하는 방법 有权
    使用光降解剂形成包含自组装材料的分层基板的方法

    公开(公告)号:KR101755139B1

    公开(公告)日:2017-07-06

    申请号:KR1020157026176

    申请日:2014-02-18

    Abstract: 자기조립물질을포함하는층상기판의형성방법(100)이제공된다. 상기방법(100)은기판위에제1 물질층을형성하는단계(110), 제1 물질층 위에방사선감응성물질층을형성하는단계(120), 방사선감응성물질층을패턴화광으로이미지화하는단계(130), 방사선감응성물질층(130)을가교반응온도이상의온도로가열하는단계(140), 이미지화층을현상하는단계(150), 및블록공중합체패턴을형성하는단계를포함한다. 방사선감응성물질은 (a) 광분해성가교제, (b) 광염기발생제, 또는 (c) 광분해성염기로부터선택되는하나이상의감광성성분; 및가교성중합체를포함하며, 여기서패턴화광에의한이미지화단계에서는비손상감광성성분의실질적인부분을갖는영역에의해둘러싸인분해된감광성성분의실질적인부분을갖는제1 영역에의해한정되는패턴을제공한다.

    Abstract translation: 现在提供形成包含自组装材料的分层基板的方法100。 方法100包括在衬底110上形成第一层材料,在第一层材料上形成辐射敏感材料层120, (140)将辐射敏感材料层(130)加热至高于交联反应温度的温度,显影成像层(150),并形成嵌段共聚物图案。 所述辐射敏感材料包含选自(a)可光降解交联剂,(b)光产碱剂或(c)可光降解基质的至少一种光敏组分; 并且其中用图案化光的成像步骤提供由第一区域限定的图案的可交联聚合物,所述第一区域具有被具有大部分完整光敏组分的区域围绕的退化感光组分的大部分。

    현상 가능한 하부 반사 방지 코팅 및 염색된 주입물 레지스트를 위한 화학 증폭 방법 및 기술
    8.
    发明公开
    현상 가능한 하부 반사 방지 코팅 및 염색된 주입물 레지스트를 위한 화학 증폭 방법 및 기술 审中-实审
    用于可开发的底部抗反射涂层和染色植入物的化学放大方法和技术

    公开(公告)号:KR1020160127069A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:KR1020167026319

    申请日:2015-02-24

    CPC classification number: H01L21/0276 G03F7/091 G03F7/11 G03F7/203 H01L21/0271

    Abstract: 본발명은반도체기판상에감광성필름(예를들어, 반사방지코팅상의포토레지스트)을패터닝하기위한감광성화학증폭레지스트화학물(PS-CAR)을위한방법을설명하고있다. 일실시예에서, 2단계노광프로세스가포토레지스트층내에더 높은산 농도영역을발생할수도있다. PS-CAR 화학물은광산발생제(PAG) 및산으로의 PAG의분해를향상시키는감광제원소를포함할수도있다. 제1 노광은산 및감광제의초기량을발생하는패터닝된 EUV 또는 UV 노광일수도있다. 제2 노광은감광제가필름스택내에위치되는산 발생율을증가시키는감광제를여기하는비-EUV 플러드노광일수도있다. 노광중에에너지의분포는포토레지스트층, 하위층, 및/또는상위층의특정특성(예를들어, 두께, 굴절률, 도핑)을사용하여최적화될수도있다.

    Abstract translation: 本文的公开内容描述了用于光敏化学放大抗蚀化学品(PS-CAR)在半导体衬底上图案感光膜(例如抗反射涂层上的光致抗蚀剂)的方法。 在一个实施方案中,两步曝光工艺可在光致抗蚀剂层内产生更高的酸浓度区域。 PS-CAR化学品可以包括光酸产生剂(PAG)和增强PAG分解成酸的光敏剂元素。 第一次曝光可以是产生初始量的酸和光敏剂的图案化的EUV或UV曝光。 第二次暴露可能是非EUV泛滥暴露,其激发光敏剂,其增加了光敏剂位于膜堆中的酸产生速率。 可以通过使用光致抗蚀剂层,下层和/或上覆层的某些特性(例如,厚度,折射率,掺杂)来优化曝光期间的能量分布。

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