公开(公告)号：KR101960112B1

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：KR1020137028475

申请日：2012-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 선다라라잔라드하 ,  펀크메리트 ,  첸리 ,  레인바튼

IPC: G16C10/00 ,  G06F7/60

公开(公告)号：KR1020140130009A

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020137028475

申请日：2012-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 선다라라잔라드하 ,  펀크메리트 ,  첸리 ,  레인바튼

IPC: G06F19/00 ,  G06F7/60

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/6708 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 하나 이상의 측정 절차, 하나 이상의 IEC 에칭 시퀀스 및 하나 이상의 IEO(Ion Energy Optimized) 에칭 절차를 포함할 수 있는 IE(Ion Energy) 관련 다층 공정 시퀀스와 IEC-MIMO(Ion Energy Controlled Multi-Inout/Multi-Output) 모델 및 라이브러리를 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법을 제공한다. IEC-MIMO 공정 제어는 다층 및/또는 다중 IEC 에칭 시퀀스 사이의 동적으로 상호 작용하는 거동 모델링 이용한다. 다층 및/또는 다중 IEC 에칭 시퀀스는 IEO 에칭 절차를 이용하여 형성될 수 있는 라인, 트렌치, 비아, 스페이서, 콘택 및 게이터 구조의 형성과 관련될 수 있다.