公开(公告)号：KR101989629B1

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：KR1020127021404

申请日：2011-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  펑크메리트

IPC: H05H3/00 ,  H01L21/205 ,  H01J37/32

公开(公告)号：KR1020150129022A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：KR1020157029440

申请日：2014-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 자오지안핑 ,  첸리 ,  펑크메리트 ,  이와오도시히코 ,  벤트젝피터엘지

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32247 ,  H01J37/32256

Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.

公开(公告)号：KR1020140130009A

公开(公告)日：2014-11-07

申请号：KR1020137028475

申请日：2012-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 선다라라잔라드하 ,  펀크메리트 ,  첸리 ,  레인바튼

IPC: G06F19/00 ,  G06F7/60

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/6708 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 하나 이상의 측정 절차, 하나 이상의 IEC 에칭 시퀀스 및 하나 이상의 IEO(Ion Energy Optimized) 에칭 절차를 포함할 수 있는 IE(Ion Energy) 관련 다층 공정 시퀀스와 IEC-MIMO(Ion Energy Controlled Multi-Inout/Multi-Output) 모델 및 라이브러리를 이용하여 웨이퍼를 처리하는 방법을 제공한다. IEC-MIMO 공정 제어는 다층 및/또는 다중 IEC 에칭 시퀀스 사이의 동적으로 상호 작용하는 거동 모델링 이용한다. 다층 및/또는 다중 IEC 에칭 시퀀스는 IEO 에칭 절차를 이용하여 형성될 수 있는 라인, 트렌치, 비아, 스페이서, 콘택 및 게이터 구조의 형성과 관련될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140113464A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020140029756

申请日：2014-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 자오지안핑 ,  벤트젝피터엘지 ,  첸리 ,  레인바턴 ,  펑크메리트 ,  순다라라잔라다 ,  도시히코이와오 ,  첸지잉

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32256

Abstract: Provided is a plasma tuning rod which can be used with a microwave processing system. A wave guide includes a first dielectric part having a first external diameter. A second dielectric part having a second external diameter which is larger than the first external diameter surrounds the first dielectric part. The axis of the second dielectric part can be equal to the axis of the first dielectric part. In some embodiments of the present invention, the dielectric constant of the first dielectric part can be the same as or greater than the dielectric constant of the second dielectric part.

Abstract translation: 提供了可以与微波处理系统一起使用的等离子体调音杆。 波导包括具有第一外径的第一介电部分。 具有大于第一外径的第二外径的第二电介质部分包围第一电介质部分。 第二电介质部分的轴线可以等于第一电介质部分的轴线。 在本发明的一些实施例中，第一电介质部分的介电常数可以与第二电介质部分的介电常数相同或更大。

公开(公告)号：KR101419975B1

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：KR1020107008983

申请日：2008-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  펑크메릿

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32422 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3447

Abstract: 본 발명은 음이온 플라즈마를 생성하는 처리 시스템에 관한 것으로, 음의 전하를 띠는 이온을 갖는 정지 플라즈마(quiescent plasma)를 생성한다. 처리 시스템은 제1 공정 가스를 이용하여 플라즈마를 생성하는 제1 챔버 영역과, 분리 부재에 의해 제1 챔버 영역과 분리되어 있는 제2 챔버 영역을 포함한다. 제1 챔버 영역의 플라즈마로부터의 전자가 제2 챔버 영역으로 이송되어 제2 공정 가스와의 충돌을 통하여 정지 플라즈마를 형성한다. 제1 챔버 영역으로부터의 전자가 제2 공정 가스와 충돌 소광하여 음의 전하를 띠는 이온을 갖는 정지 플라즈마를 생성하는 비활성 전자를 형성하도록 제2 챔버 영역에 결합된 압력 제어 시스템을 활용하여 제2 챔버 영역 내의 압력을 제어한다.

公开(公告)号：KR101185682B1

公开(公告)日：2012-09-24

申请号：KR1020077003455

申请日：2005-08-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  티안카이즈홍 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/00 ,  B31D3/00

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: SWP(surface wave plasma) 소스와 플라즈마 공간 사이의 결합을 향상시키기 위한 방법 및 시스템이 설명된다. SWP 소스는, 공진기 플레이트를 가진 슬롯 안테나와 같은, EM(electromagnetic)파 론처를 구비하는데, 이 경우, 공진기 플레이트와 플라즈마 사이의 플라즈마 대향 표면에서는, 모드 스크램블러가 이용되어 플라즈마로의 결합을 향상시킨다.
SWP, 결합, 플라즈마 프로세싱 시스템, 플라즈마 공간, 프로세스 공간, 공정 화학 물질, 가스 주입 그리드, 모드 스크램블러, 공간 균일성

公开(公告)号：KR101027183B1

公开(公告)日：2011-04-05

申请号：KR1020057005631

申请日：2003-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 델프디에나 ,  첸리

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/32

Abstract: 본 발명은, 응답 표면 및 뉴럴 네트워크들을 플라즈마 프로세스의 최적의 프로세스 세팅들을 개선하거나 찾아내는데 이용해서, 성능 측정값들과 모델 측정값을 비교하여 현재 플라즈마 프로세스를 수정함으로써 최적화된 처리 성능을 달성하는 플라즈마 프로세스들의 다변 데이터를 분석하는 시스템 및 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110033097A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：KR1020100092953

申请日：2010-09-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  펑크메릿트

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299

Abstract: PURPOSE: A DC and an RF hybrid processing system are provided to process a substrate and/or a wafer in real time by using a direct current and radio frequency hybrid process tool and a direct current / radio frequency hybrid recipe and/or a model related thereof. CONSTITUTION: In a DC and an RF hybrid processing system, a system controller(190) is connected to an MES(180) by using a first data transmission server system(181). A lithography subsystem(110) comprises a return / storage element(112), a processing element(113), and a controller(114). A return subsystem(170) is combined in the return / storage element, the processing element and/or an evaluation element(115). A substrate(105) is returned in real time through combination between the return subsystem and the lithography subsystem. An exposure subsystem(120) comprises the return / storage element(122), the processing element(123), and a controller(124).

Abstract translation: 目的：提供DC和RF混合处理系统，以通过使用直流和射频混合处理工具以及直流/射频混合配方和/或模型相关联来实时处理衬底和/或晶片 它们。 构成：在DC和RF混合处理系统中，系统控制器（190）通过使用第一数据传输服务器系统（181）连接到MES（180）。 光刻子系统（110）包括返回/存储元件（112），处理元件（113）和控制器（114）。 返回子系统（170）被组合在返回/存储元件，处理元件和/或评估元件（115）中。 基板（105）通过返回子系统和光刻子系统之间的组合实时返回。 曝光子系统（120）包括返回/存储元件（122），处理元件（123）和控制器（124）。

公开(公告)号：KR1020100126528A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：KR1020107023351

申请日：2009-03-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C14/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32357 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

Abstract: 화학적 처리 시스템과, 기판을 단일 에너지의 공간 전하 중성화된 중성 빔 활성화된 화학적 처리로 처리하기 위하여 화학적 처리 시스템을 사용하는 방법을 설명한다. 화학적 처리 시스템은, 제1 플라즈마를 제1 플라즈마 전위에서 형성하기 위한 제1 플라즈마 챔버, 및 제1 플라즈마 전위보다 큰 제2 플라즈마 전위에서 제1 플라즈마로부터의 전자 플럭스를 사용하여 형성된 제2 플라즈마를 형성하기 위한 제2 플라즈마 챔버를 포함한다. 또한, 화학적 처리 시스템은 기판을 제2 플라즈마 챔버에 위치 결정하도록 구성된 기판 홀더를 포함한다.

Abstract translation: 描述了一种化学处理系统和使用化学处理系统来处理具有单能空间电荷中和的中性束激活化学过程的衬底的方法。 该化学处理系统包括用于形成第一等离子体电势的第一等离子体的第一等离子体室和用于在大于第一等离子体电位的第二等离子体电位下形成第二等离子体的第二等离子体室，其中使用电子 来自第一等离子体的通量。 此外，化学处理系统包括被配置为将衬底定位在第二等离子体室中的衬底保持器。

公开(公告)号：KR102236809B1

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020157034823

申请日：2014-05-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 첸리 ,  펑크메리트 ,  첸즈잉

IPC: H01J37/32

Abstract: 소스플라즈마를여기시켜전자빔을생성하는플라즈마소스챔버, 및전자빔에대한기판의노출을위해기판을수용하는프로세스챔버를구비하는프로세싱시스템이개시된다. 프로세싱시스템은또한, 전자빔이프로세스챔버에들어갈때 소스플라즈마로부터전자빔 안으로전자를주입하는전자주입기를포함한다. 전자빔은프로세스챔버에서실질적으로동일한수의전자및 정으로하전된이온을포함한다. 일실시형태에서, 프로세싱챔버는또한, 전자빔에포함되는전자를포획하여자기장생성기와기판사이에전압전위를생성하기위해, 프로세스챔버에자기장을생성하는자기장생성기를포함한다. 전압전위는정으로하전된이온을기판으로가속시키고기판에도달하는전자를최소로한다.