公开(公告)号：KR1020110069015A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020117006359

申请日：2009-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  로이싱크게릿제이

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517

Abstract: 본원에는, 반도체 디바이스용의 알루미늄 도핑된 금속(탄탈 또는 티타늄) 탄질화물 게이트 전극을 형성하는 방법이 기술되어 있다. 상기 방법은, 그 위에 유전체층이 마련된 기판을 제공하는 단계와, 플라즈마의 부재하에 상기 유전체층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 게이트 전극은, 금속 탄질화물막을 증착하는 단계와, 이 금속 탄질화물막 상에 알루미늄 전구체의 원자층을 흡착시키는 단계에 의해 형성된다. 상기 증착 단계와 흡착 단계는, 상기 알루미늄 도핑된 금속 탄질화물 게이트 전극이 소기의 두께를 가질 때까지, 소기의 횟수로 반복될 수 있다.

公开(公告)号：KR101503969B1

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：KR1020117006359

申请日：2009-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세가와도시오 ,  로이싱크게릿제이

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/517

Abstract: 본원에는, 반도체 디바이스용의 알루미늄 도핑된 금속(탄탈 또는 티타늄) 탄질화물 게이트 전극을 형성하는 방법이 기술되어 있다. 상기 방법은, 그 위에 유전체층이 마련된 기판을 제공하는 단계와, 플라즈마의 부재하에 상기 유전체층 상에 상기 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 게이트 전극은, 금속 탄질화물막을 증착하는 단계와, 이 금속 탄질화물막 상에 알루미늄 전구체의 원자층을 흡착시키는 단계에 의해 형성된다. 상기 증착 단계와 흡착 단계는, 상기 알루미늄 도핑된 금속 탄질화물 게이트 전극이 소기의 두께를 가질 때까지, 소기의 횟수로 반복될 수 있다.