公开(公告)号：KR1020140046399A

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：KR1020137023183

申请日：2012-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이자와유사쿠 ,  리우준준 ,  유홍규 ,  토마도렐

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02354 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0081 ,  B23K26/082 ,  B23K26/122 ,  B23K26/1224 ,  B23K26/127 ,  B23K2203/52 ,  B23K2203/56 ,  C03C23/0025 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115

Abstract: 표면에 박막이 형성되어 있는 피처리체에 대하여 레이저 광을 조사해서 어닐 처리를 실시하는 어닐 방법에 있어서, 상기 피처리체의 표면에, 경사 방향으로부터, 상기 박막의 상기 레이저 광에 대한 높아진 흡수율이 얻어지도록 정해진 입사각으로 상기 레이저 광을 조사한다.

公开(公告)号：KR1020100074239A

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：KR1020107009516

申请日：2008-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리우준준 ,  토마도렐아이

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/67115 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for forming an air gap structure on a substrate is described. The method comprises forming a sacrificial layer on a substrate, wherein the sacrificial layer comprises a decomposable material that thermally decomposes at a thermal decomposition temperature above approximately 350 degrees C. Thereafter, a cap layer is formed on the sacrificial layer at a substrate temperature less than the thermal decomposition temperature of the sacrificial layer. The sacrificial layer is decomposed by performing a first exposure of the substrate to ultraviolet (UV) radiation and heating the substrate to a first temperature less than the thermal decomposition temperature of the sacrificial layer, and the decomposed sacrificial layer is removed through the cap layer. The cap layer is cured to cross-link the cap layer by performing a second exposure of the substrate to UV radiation and heating the substrate to a second temperature greater than the first temperature.

Abstract translation: 描述了在基板上形成气隙结构的方法。 该方法包括在衬底上形成牺牲层，其中牺牲层包括在高于约350摄氏度的热分解温度下热分解的可分解材料。之后，在牺牲层上以低于 牺牲层的热分解温度。 通过对衬底进行紫外（UV）辐射的第一次曝光并将衬底加热至低于牺牲层的热分解温度的第一温度来分解牺牲层，并且通过覆盖层去除分解的牺牲层。 通过对衬底进行UV辐射的第二次曝光并将衬底加热到​​大于第一温度的第二温度，使帽层固化以交叠盖层。

公开(公告)号：KR1020160086375A

公开(公告)日：2016-07-19

申请号：KR1020167015575

申请日：2014-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 브라운이안제이 ,  리우준준

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/31133 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/02041

Abstract: 기판을세정하기위한방법은, 반도체제조의일부분과같이, 하드마스크의마스크들및 폴리머막들을가진세정기판들을포함하여설명된다. 세정방법들은, 프로세스가스혼합물및 액체세정화학물의 UV(ultraviolet)광노출을포함한다. 기판및/또는프로세스유체는자외방사선에노출된다. 조사되는프로세스가스혼합물은산화가스혼합물(에어, 클린건식에어, 산소, 과산소등)을포함할수 있다. 수소를가진환원가스혼합물이또한조사될수 있다. 조사된가스혼합물로부터의반응종은, 예컨대후속액체세정단계를용이하게함으로써, 막특성을화학적으로변경시키기위하여기판에노출된다. 기판표면상의액체세정화학물이또한조사될수 있다. 이러한세정기술은세정시간을단축시키고, 프로세싱온도를낮추며, 유전체층과같은하부또는중간층에대한손상을감소시킨다.

公开(公告)号：KR1020100063093A

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020107006708

申请日：2008-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리우준준 ,  토마도렐아이 ,  리에릭엠

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058

Abstract: A method of curing a low dielectric constant (low-k) dielectric film on a substrate is described, wherein the dielectric constant of the low-k dielectric film is less than a value of approximately 4. The method comprises exposing the low-k dielectric film to ultraviolet (UV) radiation. Following the UV exposure, the dielectric film is exposed to IR radiation.

Abstract translation: 描述了在基底上固化低介电常数（低k）电介质膜的方法，其中低k电介质膜的介电常数小于大约4的值。该方法包括将低k电介质 膜对紫外线（UV）辐射。 在UV曝光之后，电介质膜暴露于IR辐射。

公开(公告)号：KR101690804B1

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：KR1020117008718

申请日：2009-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리우준준 ,  파게자크 ,  리에릭엠 ,  토마도렐아이 ,  유에홍유

IPC: H01L21/3105 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207

Abstract: 본원에는, 기판상의저 유전상수(low-k) 유전체막을경화시키기위한시스템이기술되어있으며, 이경우저 유전상수막의유전상수값은약 4 미만이다. 상기시스템은저 유전상수유전체막을자외선및 적외선등과같은전자기(EM) 방사선에노출시키도록구성된하나이상의프로세스모듈을포함한다.

Abstract translation: 描述了用于固化衬底上的低介电常数（低k）电介质膜的系统，其中低k电介质膜的介电常数小于大约4的值。该系统包括一个或多个处理模块配置 用于将低k电介质膜暴露于诸如红外（IR）辐射和紫外（UV）辐射的电磁（EM）辐射。

公开(公告)号：KR1020080067002A

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：KR1020087013821

申请日：2006-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리우준준 ,  리에릭엠 ,  토마도렐엘

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02348 ,  B05D3/062 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

Abstract: A multi-step system and method for curing a dielectric film in which the system includes a drying system configured to reduce the amount of contaminants, such as moisture, in the dielectric film. The system further includes a curing system coupled to the drying system, and configured to treat the dielectric film with ultraviolet (UV) radiation and infrared (IR) radiation in order to cure the dielectric film.

Abstract translation: 一种用于固化电介质膜的多步骤系统和方法，其中所述系统包括被配置为减少所述电介质膜中的诸如水分的污染物的量的干燥系统。 该系统还包括耦合到干燥系统的固化系统，并且被配置为用紫外线（UV）辐射和红外（IR）辐射来处理电介质膜，以便固化电介质膜。

公开(公告)号：KR101291017B1

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020087013821

申请日：2006-10-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리우준준 ,  리에릭엠 ,  토마도렐엘

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02348 ,  B05D3/062 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

Abstract: 본 발명은, 시스템이 유전체 막에서의 수분과 같은 오염물의 양을 감소시키도록 구성된 건조 시스템을 포함하는 것인, 유전체 막을 경화하기 위한 다단 시스템 및 방법에 관한 것이다. 본 시스템은, 건조 시스템에 연결되며, 유전체 막을 경화하기 위하여 자외(UV) 방사 및 적외(IR) 방사로 유전체 막을 처리하도록 구성된 경화 시스템을 더 포함한다.

公开(公告)号：KR1020120041641A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：KR1020107022355

申请日：2009-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리우준준 ,  토마도렐아이 ,  리에릭엠

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/31695 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/26 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324

Abstract: 기판상의저 유전상수(로우-k) 유전체막을경화하는방법이개시되며, 로우-k 유전체막의유전상수는약 4의값보다작다. 본방법은로우-k 유전체막을적외(IR) 방사및 자외(UV) 방사에노광시키는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020110081981A

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020117008718

申请日：2009-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리우준준 ,  파게자크 ,  리에릭엠 ,  토마도렐아이 ,  유에홍유

IPC: H01L21/3105 ,  C23C14/28

CPC classification number: H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207

Abstract: 본원에는, 기판 상의 저 유전상수(low-k) 유전체 막을 경화시키기 위한 시스템이 기술되어 있으며, 이 경우 저 유전상수 막의 유전상수 값은 약 4 미만이다. 상기 시스템은 저 유전상수 유전체 막을 자외선 및 적외선 등과 같은 전자기(EM) 방사선에 노출시키도록 구성된 하나 이상의 프로세스 모듈을 포함한다.

Abstract translation: 描述了用于固化衬底上的低介电常数（低k）电介质膜的系统，其中低k电介质膜的介电常数小于大约4的值。该系统包括一个或多个处理模块配置 用于将低k电介质膜暴露于诸如红外（IR）辐射和紫外（UV）辐射的电磁（EM）辐射。

公开(公告)号：KR102166974B1

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：KR1020167015575

申请日：2014-11-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 브라운이안제이 ,  리우준준

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67