公开(公告)号：KR1019950006969A

公开(公告)日：1995-03-21

申请号：KR1019940020358

申请日：1994-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히에키 ,  요네나가도미히로

IPC: H01L21/205

Abstract: 성막장치는 성막면을 가지는 반도체웨이퍼를 수용하고, 그 중에서 반도체웨이퍼에 대하여 성막처리를 행하는 챔버와, 그 막을 형성하기 위한 처리가스를 반도체웨이퍼의 성막면으로 공급하는 처리가스 공급계와, 반도체웨이퍼를 가열하여 성막가스를 분해하고, 웨이퍼상에 막을 형성하기 위한 가열체와, 반도체웨이퍼의 성막면의 뒷면쪽으로부터 반도체웨이퍼의 둘레부로 향하여 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급계와, 반도체웨이퍼에 대하여 성막을 행할 때에, 막이 형성되는 면의 둘레부를 덮는 위치에 위치되고, 그 때에 그 바깥둘레가 상기 피처리체의 바깥둘레로부터 돌출하도록 설치되는 링부재를 구비하고 있다. 이 링부재에 의하여 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성된다.

公开(公告)号：KR100274754B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940020358

申请日：1994-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히에키 ,  요네나가도미히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45521

Abstract: 성막장치는, 성막면을 가지는 반도체웨이퍼를 수용하고, 그 중에서 반도체웨이퍼에 대하여 성막처리를 행하는 챔버와, 그 막을 형성하기 위한 처리가스를 반도체웨이퍼의 성막면으로 공급하는 처리가스 공급계와, 반도체웨이퍼를 가열하여 성막가스를 분해하고, 웨이퍼상에 막을 형성하기 위한 가열체와, 반도체웨이퍼의 성막면의 뒷면쪽으로부터 반도체웨이퍼의 둘레부로 향하여 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급계와, 반도체웨이퍼에 대하여 성막을 행할 때에, 막이 형성되는 면의 둘레부를 덮는 위치에 위치되고, 그 때에 그 바깥둘레가 상기 피처리체의 바깥둘레로부터 돌출하도록 설치되는 링부재를 구비하고 있다. 이 링부재에 의하여, 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성된다.