公开(公告)号：KR101102678B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020107019257

申请日：2009-06-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/46 ,  H01L21/67109 ,  H05B6/105 ,  H05B6/365 ,  H05B6/44

Abstract: 복수의 서셉터에 각각 탑재된 기판을 한번에 가열할 때, 각 기판의 면내 온도의 균일성을 제어할 수 있도록 한다. 복수의 웨이퍼에 대해 소정의 처리를 실시하는 반응관(104)과, 웨이퍼를 탑재하는 탑재면을 각각 갖고, 도전성 재료로 이루어지는 복수의 서셉터(112)와, 상기 각 서셉터를, 그 탑재면에 수직인 방향에 간격을 두고 배열해서 반응관 내에서 지지하는 회전 자유로운 석영 보트(110)와, 처리실의 측벽에 마련되고, 각 서셉터의 탑재면에 평행한 방향에 교류 자기장을 형성하여 각 서셉터를 유도 가열하는 하쌍의 전자석(120, 130)으로 이루어지는 자기장 형성부와, 이 자기장 형성부에 의해서 형성되는 교류 자기장을 제어하는 제어부(200)를 구비한다.

Abstract translation: 当安装在多个基座中的每一个基座上的基板同时被加热时，可以控制每个基板的平面内温度的均匀性。 由导电材料制成的多个基座112，每个基座具有用于在多个晶片上执行预定处理的反应管104和用于安装晶片的安装表面; 可旋转地设置在反应管中并且在与基座的表面垂直的方向上彼此间隔开的石英舟110以及AC磁场在与每个基座的安装表面平行的方向上形成， 磁场形成部分由用于感应加热基座的一对电磁铁120和130以及控制由磁场形成部分形成的交变磁场的控制部分200组成。

公开(公告)号：KR100593256B1

公开(公告)日：2006-06-26

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.

公开(公告)号：KR101102740B1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：KR1020107019264

申请日：2009-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 복수의 서셉터에 각각 탑재된 기판을 한번에 가열할 때, 각 기판의 면내 온도의 균일성을 제어할 수 있도록 한다. 웨이퍼를 탑재하는 도전성 부재로서 그 중심부(126)와 둘레가장자리부(124)로 전기적으로 분할해서 이루어지는 유도 발열체(122)를 갖는 복수의 서셉터(120)와, 각 서셉터를 1열로 배열하도록 지지하는 석영 보트(112)와, 각 서셉터의 주위를 둘러싸도록 처리실(102)내에 배치되고, 온도 조절 자유롭게 구성된 유도 코일(130)과, 고주파 전류 회로(200)로부터 유도 코일에 인가하는 2개의 주파수의 고주파 전류를 제어함으로써, 유도 발열체의 중심부의 발열량과 둘레가장자리부의 발열량의 비율을 변화시켜 온도 제어를 실행하는 제어부(300)를 마련하였다.

Abstract translation: 当安装在多个基座中的每一个基座上的基板同时被加热时，可以控制每个基板的平面内温度的均匀性。 多个基座120，每个基座具有与用于安装晶片的导电构件的中心部分126和外围边缘部分124电隔离的感应加热元件122， 感应线圈130，以包围基座的方式配置在处理容器102内，以包围基座并构成温度控制; 通过控制高频电流，和用于改变的产生的热的量和运行温度控制感应加热元件的中心的热值的周边部分的比提供一控制单元300。

公开(公告)号：KR1020020063253A

公开(公告)日：2002-08-01

申请号：KR1020027008049

申请日：2000-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고미야다로 ,  오사다하츠오 ,  호사카시게토시 ,  요네나가도미히로 ,  도모야스마사유키

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 처리 조건에 상관없이 균일한 배기를 실현할 수 있는 가스 처리 장치와, 상기 가스 처리 장치를 구성하는 가스 처리실과, 상기 가스 처리실에 장착된 배플(21) 플레이트와, 상기 배플 플레이트의 제조 방법과, 상기 배플 플레이트의 제조 장치를 제공한다. 본 발명의 배플 플레이트는 공급된 가스에 의해 화학 처리가 실시되는 처리 공간과, 상기 처리 공간과 인접해 있으며 화학 처리에 의해 발생된 배기 가스를 배기시키는 기능을 하는 덕트 사이의 격벽으로서 작용한다. 배플 플레이트상의 위치에 따라 변하는 배플 플레이트의 양 측면상의 압력의 차이로 인해, 배플 홀(23)은 배플 플레이트상의 다수 위치에 배치된다.

公开(公告)号：KR100274754B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019940020358

申请日：1994-08-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 리히에키 ,  요네나가도미히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/45521

Abstract: 성막장치는, 성막면을 가지는 반도체웨이퍼를 수용하고, 그 중에서 반도체웨이퍼에 대하여 성막처리를 행하는 챔버와, 그 막을 형성하기 위한 처리가스를 반도체웨이퍼의 성막면으로 공급하는 처리가스 공급계와, 반도체웨이퍼를 가열하여 성막가스를 분해하고, 웨이퍼상에 막을 형성하기 위한 가열체와, 반도체웨이퍼의 성막면의 뒷면쪽으로부터 반도체웨이퍼의 둘레부로 향하여 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급계와, 반도체웨이퍼에 대하여 성막을 행할 때에, 막이 형성되는 면의 둘레부를 덮는 위치에 위치되고, 그 때에 그 바깥둘레가 상기 피처리체의 바깥둘레로부터 돌출하도록 설치되는 링부재를 구비하고 있다. 이 링부재에 의하여, 퍼지가스의 실질적으로 전부가 상기 피처리체의 바깥쪽으로 흐르는 유로가 형성된다.

公开(公告)号：KR1020100108448A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：KR1020107019264

申请日：2009-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 복수의 서셉터에 각각 탑재된 기판을 한번에 가열할 때, 각 기판의 면내 온도의 균일성을 제어할 수 있도록 한다. 웨이퍼를 탑재하는 도전성 부재로서 그 중심부(126)와 둘레가장자리부(124)로 전기적으로 분할해서 이루어지는 유도 발열체(122)를 갖는 복수의 서셉터(120)와, 각 서셉터를 1열로 배열하도록 지지하는 석영 보트(112)와, 각 서셉터의 주위를 둘러싸도록 처리실(102)내에 배치되고, 온도 조절 자유롭게 구성된 유도 코일(130)과, 고주파 전류 회로(200)로부터 유도 코일에 인가하는 2개의 주파수의 고주파 전류를 제어함으로써, 유도 발열체의 중심부의 발열량과 둘레가장자리부의 발열량의 비율을 변화시켜 온도 제어를 실행하는 제어부(300)를 마련하였다.

公开(公告)号：KR100375343B1

公开(公告)日：2003-05-09

申请号：KR1019960006211

申请日：1996-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  다치바나미쓰히로 ,  다나카스미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/481

Abstract: An anti-adhesion film, which is difficult for the deposited film to adhere thereto, is formed on the inner surface of a process chamber. A process gas is supplied from a gas supply unit to that position in the process chamber which is opposed to a table, whereupon a metal film or metallic compound film is deposited on the surface of the object. In the film deposition process, the anti-adhesion film serves considerably to reduce the build-up of the metal film deposited on the inner surface of the process chamber, especially that surface of the gas supply unit which is opposed to the table. Although at least a maintenance operation such as wet cleaning is necessary, therefore, the frequency of such operation can be lowered substantially, so that the operating efficiency of the apparatus can be improved.

Abstract translation: 在处理室的内表面上形成难以附着沉积膜的防粘附膜。 处理气体从气体供应单元供应到处理室中的与台相对的位置，于是金属膜或金属化合物膜沉积在物体的表面上。 在薄膜沉积过程中，防粘连薄膜的作用相当大，以减少沉积在处理室内表面上的金属薄膜的积聚，特别是气体供应单元的与台面相对的表面。 因此，至少需要进行湿式清洁等维护作业，因此能够大幅度地降低这种作业的频度，能够提高作业效率。

公开(公告)号：KR1019960035787A

公开(公告)日：1996-10-28

申请号：KR1019960006211

申请日：1996-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  다치바나미쓰히로 ,  다나카스미

IPC: H01L21/205

Abstract: 그 표면에 성막이 부착하기 어려운 성막부착 방지막을 처리실의 내부 표면에 형성한다. 처리 가스는, 가스 공급부로부터 처리실 내의 재치대에 대향하는 위치로 공급되어 금속막 혹은 금속화합물이 피처리체의 표면에 퇴적된다. 성막 처리 중에, 성막부착 방지막은 처리실의 내부 표면, 특히 재치대와 대향하는 가스 공급부의 표면에 퇴적되는 금속막의 부착을 현저히 감소시킨다. 최소한 웨트 클리닝과 같은 유지 작업이 필요한 경우라도, 따라서 그러한 작업의 빈도를 현저히 감소시킬 수 있어서, 장치의 가동율을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960005774A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019950019877

申请日：1995-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구부데라마사오 ,  요네나가도미히로 ,  리히데키 ,  고미야다로

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명의 막형성처리방법은, 처리실내에서 지지체에 의해서 지지된 반도체 웨이퍼의 뒷면측으로부터 백사이드가스를 공급하면서, 반도체 웨이퍼의 표면측으로 처리가스를 공급하고, 반도체 웨이퍼의 표면에 소정의 피막을 형성한다. 이 경우, WF
6 가스 및 H
2 가스를 함유하는 처리가스를 공급한다. 동시에, H
2 가스의 농도가 처리가스 중 H
2 가스의 농도와 거의 동일농도로 조정된 백사이드가스를, 처리실내를 반도체 웨이퍼의 처리가스측 공간과 백사이드가스측 공간으로 구획하는 격벽과 반도체 웨이퍼와의 사이에 형성된 간극을 경유하여 처리 가스측 공간으로 공급한다.

公开(公告)号：KR1020140001818A

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：KR1020137001374

申请日：2012-02-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  미쯔이 죠센 가부시키가이샤

Inventor： 요네나가도미히로 ,  가와노유미코 ,  우치다나오키 ,  오자키가즈히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 서셉터의 주연부로부터 들어가는 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 서셉터의 면 내 온도를 정확하게 제어한다. 기판을 탑재하는 탑재면을 갖는 도전성 부재로서, 주연부(210)와 이것에 둘러싸이는 내측부(220)로 나눠지고, 내측부는 후판 형상 발열체로 이루어지고, 주연부는 내측부보다 얇은 박판 형상 발열체를 서로 전기적으로 절연한 상태에서 적층하여 이루어지는 서셉터(200)와, 서셉터의 측면으로부터 그 탑재면에 평행한 방향으로 교류 자장을 형성하는 전자석(120)을 구비하고, 이 전자석에 감겨진 유도 코일(124)에 인가하는 2개의 주파수의 고주파 전류에 의해 각 박판 형상 발열체에 발생하는 유도 전류를 제어하여 내측부까지의 자속의 투과를 제어하는 것에 의해, 각 서셉터의 주연부의 발열량과 내측부의 발열량의 비율을 변화시켜 온도 제어를 행한다.