公开(公告)号：KR102118779B1

公开(公告)日：2020-06-04

申请号：KR1020170170241

申请日：2017-12-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후앙츠헝 ,  린준 ,  오리이다케히코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

公开(公告)号：KR1020170013169A

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020160093555

申请日：2016-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린준 ,  다케야고지 ,  다치바나미츠히로 ,  야오아키후미 ,  야마우치구니히로 ,  미야자키다츠오

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

Abstract: 코발트막을산화하는산화가스와β-디케톤으로이루어지는에칭가스를이용하여피처리체표면의코발트막을에칭할때, 피처리체에카본막이형성되는것을방지할수 있는기술을제공한다. 피처리체를 250℃이하의온도로가열하면서β-디케톤으로이루어지는에칭가스와, 상기코발트막을산화하기위한산화가스를, 상기에칭가스의유량에대한상기산화가스의유량의비율이 0.5% 내지 50%가되도록상기피처리체에공급한다. 이에의해, 카본막의형성을억제하면서, 상기코발트막을에칭할수 있다.

Abstract translation: 蚀刻方法包括通过向目标物体供给含有β-二酮的蚀刻气体和氧化钴膜的氧化气体来蚀刻在目标物体的表面上形成的钴膜的工序。 执行蚀刻气体和氧化气体的供给，使得氧化气体与蚀刻气体的流量比在0.5％至50％的范围内，同时将目标物体加热到低于或等于250°的温度 C。

公开(公告)号：KR101898329B1

公开(公告)日：2018-09-12

申请号：KR1020160093555

申请日：2016-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린준 ,  다케야고지 ,  다치바나미츠히로 ,  야오아키후미 ,  야마우치구니히로 ,  미야자키다츠오

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

Abstract: 코발트막을산화하는산화가스와β-디케톤으로이루어지는에칭가스를이용하여피처리체표면의코발트막을에칭할때, 피처리체에카본막이형성되는것을방지할수 있는기술을제공한다. 피처리체를 250℃이하의온도로가열하면서β-디케톤으로이루어지는에칭가스와, 상기코발트막을산화하기위한산화가스를, 상기에칭가스의유량에대한상기산화가스의유량의비율이 0.5% 내지 50%가되도록상기피처리체에공급한다. 이에의해, 카본막의형성을억제하면서, 상기코발트막을에칭할수 있다.