Abstract:
본 발명의 세정 장치는 피처리 기판(W)의 주연부를 세정한다. 세정 장치는, 피처리 기판(W) 표면(Wa)의 주연부에 접촉하고 이 피처리 기판(W)의 면내 방향으로 회전 구동되는 제1 세정부(11)와, 피처리 기판(W) 이면(Wb)의 주연부에 접촉하고 이 피처리 기판(W)의 면내 방향으로 회전 구동되는 제2 세정부(21)를 구비하고 있다. 제2 세정부(21)로부터 피처리 기판(W)의 이면(Wb)에 가해지는 마찰력은, 제1 세정부(11)로부터 피처리 기판(W)의 표면(Wa)에 가해지는 마찰력보다 크게 되어 있다.
Abstract:
PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided to prevent the inside a processing container from becoming contaminated by exhausting fluid remaining in a fluid supply passage to the outside. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus comprises a processing container(31), a fluid supply source, a fluid supply passage(351), a flow rate control unit(354), an opening and closing valve(352), a cutoff unit, an exhaust passage(341), and a control unit. When high-pressure fluid is supplied to the processing container to process a substrate, the cutoff unit installed in the fluid supply passage is opened, and the opening and closing valve is opened. The pressure of the fluid supply passage and the processing container is simultaneously reduced through the exhaust passage connected to the processing container. The processed substrate is drawn out of the processing container. [Reference numerals] (4) Controller; (W) Wafer
Abstract:
PURPOSE: A substrate back side grinding apparatus, a substrate back side grinding system, a substrate back side grinding method and a recording medium recording the substrate back side grinding program are provided to prevent the degradation of substrate when grinding the rear side of substrate. CONSTITUTION: A substrate back side grinding apparatus comprises a substrate grinding unit(16,17) and a control unit. The substrate grinding unit grinds the back side of a substrate(5). The control unit controls the substrate grinding unit. The control unit controls the driving of the substrate grinding unit according to the information about treatment in the process before substrate back side grinding process. The substrate grinding unit has various kinds. A cleaning unit is equipped for cleaning the back side of the substrate.
Abstract:
본 발명은 피에칭막을 에칭한 후 희생막 등의 잔존 물질을 제거하는 처리를 위하여, 그 잔존 물질을 소정의 액에 가용화하고 그 후, 그 소정의 액에 의해 잔존 물질의 제거를 수행할 때에, 패턴 벗겨짐 등의 데미지가 적은 기판 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 기판 상에 형성된 피에칭막을 에칭 처리하여 소정 패턴을 형성하는 공정과, 에칭 처리를 끝낸 후에 잔존하는 물질을 소정의 액에 대하여 가용화하도록 변성시키는 공정과, 그 후, 패턴이 형성된 피에칭막의 표면을 실릴화 처리하는 공정과, 그 후 소정의 액을 공급하여 변성된 물질을 용해 제거하는 공정을 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A substrate process device and a method for cleaning a substrate are provided to reduce a process time by cleaning the edge of the lower side and the cross section of the substrate using a second cleaning unit when the upper side of the substrate with a circuit pattern is cleaned using a first cleaning unit. CONSTITUTION: A substrate maintaining unit(19) maintains a substrate. A first cleaning unit(25) cleans the edge of the upper side of the substrate with a pressure cleaning solution. A second cleaning unit(26) cleans the edge of the lower side and the cross section of the substrate in contact with the cleaning unit.
Abstract:
본 발명은 ArF 레지스트막을 수반한 웨이퍼로부터 이 ArF 레지스트막을 제거하는 처리 방법에 관한 것이다. ArF 레지스트막에 자외선 조사 처리를 실시하고, 이어서 ArF 레지스트막에 오존 가스와 수증기를 공급하여 처리함으로써, 이 ArF 레지스트막을 수용성으로 변성시킨다. 그 후, 수용성으로 변성된 ArF 레지스트막에 순수를 공급함으로써, ArF 레지스트막을 기판으로부터 박리한다.
Abstract:
The purposes of the present invention are to reduce a supply quantity of a processing liquid and cover the entire surface of a substrate by the processing liquid. The substrate liquid processing method comprises the steps of: forming a liquid film of a processing liquid having a diameter smaller than that of the substrate on the surface of a substrate by supplying the processing liquid from a first nozzle to a central portion of the surface of the substrate while rotating the substrate (W) around a vertical axis in a horizontal posture; supplying a processing liquid, that is the same as the processing liquid supplied from the first nozzle, to a peripheral edge of the liquid film of the processing liquid formed on the surface by the first nozzle from a second nozzle (33); ; and moving a supplying position of the processing liquid from the second nozzle of the surface of the substrate toward the peripheral edge of the substrate and, as a result, expanding the liquid film of the processing liquid toward the peripheral edge of the substrate.